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部署High-NA EUV光刻机,台积电2nm要来了
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。 据悉,台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻机
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阿斯麦和IMEC联合光刻实验室启用:最早2025年大量生产High NA EUV
快科技6月4日消息,据媒体报道,比利时微电子研究中心(IMEC)与阿斯麦(ASML)宣布在荷兰费尔德霍芬(Veldhoven)开设联合High-NA EUV光刻实验室(High NA EUV Lithography Lab)
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未来芯片巅峰!ASML露面的High NA EUV光刻机,为2纳米技术揭开神秘面纱
(本篇文篇章共715字,阅读时间约1分钟) 近日荷兰光刻机巨头ASML首次向媒体展示了最新一代的High NA EUV光刻机,这一机器被视为全球最先进的光刻技术,能够制造2纳米以下的芯片
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台积电计划在2030年采用High-NA EUV光刻机完成1nm制程芯片
(本篇文篇章共935字,阅读时间约1分钟) 近期,台积电发布了其在1nm制程芯片领域的产品规划,计划在2030年前完成1nm级A10工艺的开发。这一计划是在ASML交付给英特尔业
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ASML首台High-NA EUV光刻机明年交付!
9月27日消息,ASML首席技术官Martin van den Brink在接受采访时表示,目前公司正有序推行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术。值得注意的是,Martin van den Brink提到,ASML计划在明年某个时间点向客户交付首台High-NA EUV光刻机
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Intel拿下首批第二代High-NA光刻机,斥资200亿美元建厂
1月19日,ASML宣布2022年一季度,其第二代High-NA光刻机TWINSCAN EXE:5200获得了首个订单,第二代High-NA光刻机被用于2NM制程芯片制造,有望在2024年实现交付。自
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技术文章:分布式系统模式-High-Water Mark
作者: Unmesh Joshi译者: java达人预写日志中的索引,显示最近一次成功的复制。问题服务器崩溃并重新启动后,可使用“Write-Ahead Log”模式恢复状态。但是,如果服务器发生故障,Write-Ahead Log不足以提供可用性
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