双电层电容器
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满足欧盟无线电设备指令（RED）信息安全标准
随着全球互联程度日益加深，信息安全与隐私保护已成为监管框架的核心议题。欧盟的无线电设备指令（European Union’s Radio Equipment Directive, RED），尤其是其中的第3.3条款，是确保在欧盟市场上销售的无线设备满足严格信息安全要求的重中之重
华邦电子 2024-12-20 -
安森美与电装（DENSO）加强合作关系
中国上海 - 2024 年 12 月 17 日 -安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）和一级汽车供应商（tier-one）株式
安森美 2024-12-17 -
Imec 的RF 硅中介层技术：无缝集成InP 芯片
芝能智芯出品 在当今高速无线通信和毫米波技术迅猛发展的背景下，比利时纳米电子中心 Imec 在 IEEE IEDM 2024 上展示的突破性成果：通过射频硅中介层技术实现了磷化铟（InP）芯片的无缝集成
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风电全球装机要翻番，中企在新兴市场海外拿单
前言： 2024年，风电经历了重要的变化，涉及技术、质量、商业模式等诸多方面。 风电与光伏等行业一样，长期被视为内卷过度的行业。但在当前风电企业卯足了劲出海的背景下，一些改变行业走向的动作正在进行
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基辛格的退出对台积电和三星意味着什么？
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 芯片巨头，“美国英雄”梦碎。 英特尔已与首席执行官帕特·基辛格分道扬镳，但这是否意味着它也将放弃代工芯片
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SS8833E_双H桥电机驱动芯片-可替代DRV8833
SS8833E是一款双桥电机驱动器，配有两个H桥驱动器，适用于有刷直流或双极步进电机的集成驱动解决方案，可驱动各种类型的电机和负载，包括直流有刷电机、双极步进电机、电磁阀等；工作电压范围为2.7V至16V，每个通道负载电流可达1.0A，可完美替MPS6507和DRV8833
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台积电 2 纳米产能的布局，与英伟达合作AI芯片
芝能智芯出品 台积电高雄2纳米新厂提前半年设备进机，创下多项纪录，在先进制程领域的持续推进，通过高雄与新竹宝山南北联动，2纳米工艺预计2025年全面投产。 苹果与超微将成为首批客户。在全球需求旺盛的推动下，台积电不断加先进工艺扩展步伐，而台积电与英伟达洽谈在亚利桑那州生产AI芯片事宜
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400层NAND：完成开发，准备量产
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 除了400层NAND，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。 三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上
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突破性进展！三星400层NAND闪存开发完成：最快2025年二季度末量产
快科技12月9日消息，据媒体报道，三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。 这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士
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国产芯片替代加速推进，台积电的增速也败给中国芯片，三星最惨
市调机构TrendForce公布的全球前十大芯片代工企业在今年三季度的营收数据，数据显示中国大陆的芯片企业增速最快，甚至超过了台积电，显示出即使台积电拥有最先进的工艺，但是由于中国大陆市场推进国产芯片替代，台积电也受到了一定影响
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英伟达Blackwell芯片美国本土制造在望：与台积电谈判进行中
快科技12月6日消息，据媒体报道，最新消息显示，英伟达正与台积电洽谈，计划在美国亚利桑那州的新工厂生产Blackwell芯片，以满足市场需求。 多位知情人士透露，台积电正在为明年初在亚利桑那州工厂投产Blackwell芯片做准备
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GTC08L-八键8通道防水抗干扰电容式触摸IC
GTC08L是韩国GreenChip推出的一款支持8通道电容式触摸芯片，具有高灵敏度、低功耗、超强防水和抗干扰特性；搭载独有的嵌入式GreenTouch5TM引擎，可完美替代启攀微CP2528、CP2682、和市面上多款8通道触摸感应芯片；广泛应用于多媒体设备和家用电器类产品上
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台积电又要搞事情，这一次可能大陆市场都要受“牵连”！
中国也有全世界首屈一指的芯片巨头，但它的名字却叫台积电！因为台积电可能是台湾最有影响力的企业，以至于它的一举一动，不仅可能影响到台湾经济的走向，也会让中国内地的许多与芯片有关的行业受影响。而在20
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台积电欲在2025年后将先进2nm制造转移美国！
11月29日消息，据最新消息显示，台积电可能或在2025年后将先进2nm制造转移美国。 中国台湾科学技术部门官员吴诚文表示，台积电2nm制程将于明年量产，这时候台积电应已开始新一代制程的研发，就可以跟台积电讨论，是否要在友好地区投资2nm
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台积电2027年推出9个掩模尺寸的超大版CoWoS封装
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 市场还关注台积电2nm是否可能提前赴美生产。 台积电11月欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，该公司有望在2027年认证其超大版本的CoWoS（晶圆上芯片）封装技术，该技术将提供高达9个掩模尺寸的中介层尺寸和12个HBM4内存堆栈
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一款利用单端对地式电容测量原理而成的单端液位模组-LSP
工采网代理的国产单端液位模组 - LSP（Liquid-level -Single-ended-Pro）是一款利用单端对地式电容测量原理，通过电容传感芯片测量介电常数的变化，模组数字信号输出电容值，转
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GT316L-16键电容式触摸芯片-抗干扰，防水性强
GT316L是一款支持16通道电容式触摸触控芯片；适合多种形式的触摸按键控制；具备高灵敏度、超强防水和抗干扰特性；高集成度搭载独有的嵌入式GreenTouch3TM引擎，被广泛应用于智能门锁、便携式电子产品、多媒体设备、智能家电、及办公设备中
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台积电A16工艺将于2026年量产
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 台积电表示，先进工艺的开发正按路线图推进，未来几年基本保持不变。 近日，台积电在其欧洲开放创新平台论坛上宣布，计划在2025年末开始大规模量产N2工艺，A16（1.6nm级）工艺则预计在2026年末投产
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部署High-NA EUV光刻机，台积电2nm要来了
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。 据悉，台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机
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宇电智能温控器推出新品，助力新能源产业节能增效
在新能源产业快速发展的浪潮中，锂电池作为核心动力源，其产业发展过程中的节能降耗的重要性抬升。产业共识是，节能降耗落实在制造规模更大的锂电企业生产活动中，是直观的经济效益和竞争力。尤其国内锂电产业发展至今，对降本增效的追逐在2023到2024上半年的产业低谷时达到极致
宇电智能 2024-11-22 -
2024全球前十大市值公司，6家是台积电客户
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自bnext “富可敌国”的台积电。 美国高科技相关股票近几年的涨势十分惊人，股票市值年年创新高，你可以解释美股市值跟美国梦、科技梦非常相关，你也可以讲它们的涨势是非理性的
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SK海力士突破300层技术大关，正式量产321层堆叠NAND闪存
（本篇文篇章共788字，阅读时间约2分钟） 2024年11月21日，韩国存储器巨头SK海力士宣布，已正式量产全球首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存，标志着存储器行业又一项技术里程碑的诞生
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甚高频、双通道、单端对地式数字电容传感芯片-MC12G/12T
工采网代理的MC12G、MC12T是高集成度双通道电容型传感芯片，芯片测量单端对地电容，直接与被测电容极板相连，通过甚高频谐振激励并解算测量微小电容的变化。激励频率在10~100MHz范围内可配置，其频率测量输出为16bit数字信号，对应的电容感知较高分辨率为0.5ff
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英伟达Q3营收实现近翻倍，华尔街奈何对股价“多空双杀”
当地时间11月20日，英伟达公布2025财年第三季度的财务报告。报告显示，该季度英伟达实现了显著的营收增长，几乎翻倍，这主要得益于AI需求的强劲推动。 财报显示。英伟达第三季度调整后的每股收益（EPS）为0.81美元，高于分析师预期的0.74美元
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疯狂扩产！曝台积电将每年在台新盖1座厂
快科技11月20日消息，据知情人士透露，台积电可能在未来十几年间1年在台湾盖1座厂。 针对台积电2纳米制程技术是否将赴美投资的问题，这不仅取决于全球市场的需求动态，更需基于企业经营策略的深思熟虑。台积电秉持稳健经营的原则，对于尚未成熟掌握的生产技术，不会轻率地进行海外扩展
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历史首次 台积电明年全球要建十座厂！支出可达2700亿元
快科技11月18日消息，据媒体报道，台积电正加速海外布局，预计2025年包含在建与新建厂在内，海内外将建设十个新工厂。 这不仅是太极带你历来头一遭，也刷新了全球半导体行业同时推进十个工厂建设的记录。
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台积电之后 三星也对中国下手了！断供7nm及以下
美国商务部已经给台积电发函，要求暂停中国大陆AI芯片企业的7nm及以下先进制程芯片的代工服务，重新审核认证客户身份（KYC）流程，扩大代工产品审查范围。 按照消息人士的说法，并非所有大陆IC设计公司
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特朗普的胜选：比特币暴涨与台积电断供
在过去五天，比特币涨超15%，价格再创新高。与比特币一同暴涨的还有马斯克的身价。作为特朗普最“激进”的支持者，特斯拉的股价在四个交易日内暴涨39%，马斯克的身价增加700亿美元
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突袭禁令！美国下令台积电断供7纳米芯片，中国AI企业何去何从？
（本篇文篇章共625字，阅读时间约1分钟） 2024年11月11日，美国政府正式下令台积电（TSMC）停止向中国客户供应7纳米以下的先进制程芯片。该禁令的突然实施震动了全球半导体行业，尤其是在中美科技博弈愈演愈烈的背景下，此举进一步加剧了两国在高科技领域的竞争和对抗
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基于BCDMOS技术设计的高灵敏度双极霍尔开关芯片-AH501
工采网代理的霍尔传感器 - AH501是一款基于BCDMOS技术设计的高灵敏度双极霍尔开关芯片。芯片包括温度补偿、比较器和输出驱动器。此外，机械应力对芯片的磁性参数影响很小。 该系列芯片传感器适用于工业环境和汽车应用，环境温度范围为-40℃～150℃，电源电压范围为2.7V～30V
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为防核心技术外流，台积电暂不能海外生产2nm芯片
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 尽管台积电正积极在美国、欧洲及日本布局建设采用先进制程技术的晶圆厂，其核心的最尖端半导体生产技术却无法迁移至海外生产基地。 台积电首席执行官魏
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额定电源电压为42V+两个H桥驱动器的双桥电机驱动芯片-SS6810R
工采网代理的电机驱动芯片 - SS6810R是一个有两个h桥驱动器的双桥电机驱动器。该设备的额定电源电压为42V。输入接口采用palaa-in驱动模式。电流衰减的间隔，快速衰减/慢衰减比可以以适当的方式进行控制
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一个尴尬的事实：国产机涨价，钱却都是高通、台积电赚走了
近日，小米15系列正式发布，告别了3999元，起步就要4499元了，涨了500块。 事实上，不只是小米，可以预计到的是，接下来其它手机厂商们的旗舰手机，都会涨价， 为什么会涨价，原因就是零部件成本
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NVIDIA、微软、谷歌等抢破头！台积电CoWoS封装要涨价20%
快科技11月3日消息，据摩根士丹利的最新报告，台积电正考虑对其3nm制程和CoWoS先进封装工艺提价，以应对市场需求的激增。 台积电计划在2025年实施涨价，预计3nm制程价格将上涨高达5%，而CoWoS封装价格可能上涨10%至20%
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