霍尔效应
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基于BCDMOS技术设计的高灵敏度双极霍尔开关芯片-AH501
工采网代理的霍尔传感器 - AH501是一款基于BCDMOS技术设计的高灵敏度双极霍尔开关芯片。芯片包括温度补偿、比较器和输出驱动器。此外,机械应力对芯片的磁性参数影响很小。 该系列芯片传感器适用于工业环境和汽车应用,环境温度范围为-40℃~150℃,电源电压范围为2.7V~30V
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采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH401F
工采网代理的霍尔芯片 - AH401F是一款采用高压bipolar工艺制程的国产双极霍尔开关芯片;性能卓越具备耐高压、抗噪能力强等特点;能够承受高电压冲击,适用于各种恶劣环境。同时,极强的抗干扰能力,能够有效地抵御外部干扰,确保信号的准确性和可靠性
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ACM6755 支持3霍尔应用的全集成三相直流无刷电机驱动IC方案
无刷直流电机的有感和无感的区别 什么是有感? 在有感无刷中的有感是指“霍尔传感器”,那么什么是“霍尔”呢?霍尔是指的霍尔效应,这一现象
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适用于工业环境和汽车应用的霍尔传感AH510
由工采网代理的AH510是一款采用BCDMOS技术设计的高灵敏度单极霍尔开关芯片;与传统的霍尔开关芯片相比,具有更高的灵敏度和更稳定的性能;芯片集成了温度补偿、比较器和输出驱动器功能,能够实现精准的磁场检测和开关控制
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高灵敏双极霍尔开关-双极锁存型磁传感器AH502
在现代工业和汽车应用中,传感器的作用日益重要;AH502双极霍尔开关芯片凭借其高灵敏度和稳定性,以及基于BCDMOS技术的设计;还拥有温度补偿、比较器和输出驱动器等多种功能,提供出色的解决方案。
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中科阿尔法-耐高压双极锁存霍尔芯片AH402H
随着科技的发展,电子消费类、汽车和工业控制等领域对于高压双极霍尔开关芯片的需求也越来越迫切;而在众多的芯片产品中,AH402H以其卓越的性能和可靠性,成为了行业的领军者。 产品描述: AH402H
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高灵敏度单极霍尔开关传感器-AH510
由工采网代理的AH510是一款高灵敏度单极霍尔开关芯片,采用了BCDMO技术设计;该芯片具有温度补偿、比较器和输出驱动器等功能。它适用于工业环境和汽车应用,提供三种封装形式:TO92S、SOT23(small)和SOT23-3L
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TDK 推出用于高速电机应用场景的抗杂散磁场 ASIL C 级霍尔 效应位置传感器系列
·TDK 借助经优化的传感器来扩展其创新抗杂散磁场传感器产品系列,适用于高速、低延迟电机位置应用场 景·极端恶劣的机械和电气条件下仍具备一流的测角
TDK 2023-07-19 -
高通芯片前景堪忧,智能机断崖式下跌产生蝴蝶效应
近日,机芯片供应商高通发布淡季度销售额前景,智能手机换机周期延长,消费者对智能手机的需求放缓,导致高通芯片供应下降,业绩环比下降,前景堪忧。市场调研机构CINNO Research发布的数据显示,国内智能机SoC市场4月终端出货量降至约1760万颗,同比下降约21.6%,环比下降约12.1%
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可使物质隐形,全球奇异量子效应相关技术布局特征如何?
近日,在一项新研究中,科学家终于证实了一个几十年前预言的奇异量子效应 —— 如果能使一团气体变得足够冷且足够致密,那就能让它隐形。这项技术或许可以用于防止量子计算机的信息丢失。美国麻省理工学院的研究人
量子 2021-11-25 -
霍尔传感器的工作原理及分类应用
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这
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Melexis推出可靠的高性能通用型霍尔效应锁存器IC
2020年9月25日,全球微电子工程公司 Melexis 宣布,推出可靠的霍尔效应锁存器 IC MLX 92214,可简化设计并确保稳定的磁特性。该器件面向电动工具、个人电脑、服务器和家用电器等成本敏感型应用
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臭名昭著的MOS管米勒效应
如下是一个NMOS的开关电路,阶跃信号VG1设置DC电平2V,方波(振幅2V,频率50Hz),T2的开启电压2V,所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
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一文读懂:5G高频率的“蝴蝶效应”
用蝴蝶效应来比喻5G频率的变化对整个通信生态造成的影响可能不太准确,但频率的变化的确对通信生态造成了不小的影响,这也符合蝴蝶效应中的“一个微小的变化能影响事物的发展”,不精确,却较为符合。
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关键零组件替代效应发酵:COF供不应求
尽管今年上半中美贸易战不确定性充斥,半导体业界纷纷认为3月将是关键时间点,客户订单缩手早已在去年底时有所闻,不过,在关键零组件的替代效应发酵的态势下,驱动IC封测的薄膜覆晶封装(COF)产能在传统淡季逆势爆满。
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中国科学家首次观测到三维量子霍尔效应
量子霍尔效应是20世纪以来凝聚态物理领域最重要的科学发现之一,至今已有四个诺贝尔奖与其直接相关。但一百多年来,科学家们对量子霍尔效应的研究仍停留于二维体系。
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氮化镓垂直沟道结场效应晶体管
研究人员使用低成本的2英寸蓝宝石衬底通过MOCVD生成准垂直vc-JFET。之后使用重n型掺杂GaN层实现背面“虚拟”接触(图1)。真正的垂直器件会使漏极触点穿过晶圆的背面 - 这是使用绝缘蓝宝石无法实现的。
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