DIY制作:图文详解逆变器电路制作过程
2.3MOS场效应管电源开关电路
下面简述一下用C-MOS场效应管(增强型MOS 场效应管)组成的应用电路的工作过程(见图4)。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
图4 MOS场效应管电源开关电路
由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程(见图5)。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时,会在变压器的高压侧感应出高压交流电压,完成直流到交流的转换。这里需要注意的是,在某些情况下,如振荡部分停止工作时,变压器的低压侧有时会有很大的电流通过,所以该电路的保险丝不能省略或短接。
图5
3、制作要点
电路板见图6。所用元器件可参考图7。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管(2SJ471)最大漏极电流为30A,在场效应管导通时,漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管(2SK2956)最大漏极电流为50A,场效应管导通时,漏-源极间电阻为7毫欧,此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W.由此我们也可知在同样的工作电流情况下,2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图8展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器(100mm×100mm×17mm)上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大,出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。
图6 电路板
图7所用元器件
图8 位置分布和接法
图片新闻
最新活动更多
-
5月22日立即观看>> 蔡司-“质”敬明天线上峰会-电子行业主题日
-
5月22日立即报名>>> OFweek 2024新周期显示技术趋势研讨会
-
5月28日立即观看>> 【在线研讨会】Ansys镜头点胶可靠性技术及方案
-
5月29日抢占席位>> 2024 TUYA全球开发者大会
-
5月31日立即报名>> 【线下论坛】新唐科技2024未来创新峰会
-
6月12日立即报名>> 颠覆传统,外卷光学:探索超广角超构透镜设计流程!
- 1 拆机实锤!华为Pura70使用新芯片,推测为7nm,性能如何?
- 2 华为麒麟9010、苹果A17、高通8Gen3对比,差距有多大?
- 3 中国芯片基地诞生:一年产量1055亿颗,占全国30%,三省共占67%
- 4 最新手机CPU天梯图:苹果、高通、联发科、华为芯片排位
- 5 避免内卷?中国大陆4大芯片代工厂,产能、营收、优势介绍
- 6 100%国产CPU爆发,一个季度,就卖了去年一年的量
- 7 华为Pura70又打脸了?美国商务部长:华为芯片没那么先进
- 8 华为Pura70证明:我们7nm已没问题,接下来是5nm、3nm
- 9 MTK和Intel联手,投资RISC-V芯片新贵谋发展?
- 10 应用在防蓝光显示器中的LED防蓝光灯珠
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论