据彭博社6月26日报道，美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令，将涉嫌窃取美国存储大厂美光DRAM技术商业机密案的三位嫌疑人列入通缉名单。

三人中有一人是福建晋华总经理陈正坤，另外两人是从美光跳槽至联电的工程师何建廷和王永明。

联电、福建晋华与美光的昔日纠葛

据悉，与案件相关的信息最早可以追溯至联电与福建晋华的合作。

2016年2月，福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资，通过与联电技术合作，成立了DRAM芯片制造企业福建晋华电子，致力于开发 DRAM 相关技术；

2017年2月，陈正坤出任福建晋华总经理；

2017年9月，美光称，从美光跳槽到联电的员工窃取了美光的DRAM知识产权，涉嫌将美光DRAM技术泄漏给联电，帮助联电开发32nm DRAM；

2017年12月，美光在美国加州联邦法庭起诉联电与福建晋华，称联电通过美光台湾地区员工窃取包含存储芯片的关键技术在内的知识产权，并交由福建晋华；

2018年1月，联电向福州市人民法院递状，控告美光在DRAM及固态硬盘（SSD）等存储产品涉嫌侵害联电大陆公司专利，导致美光科技26种芯片产品在中国遭到临时禁售；

2018年7月，福州市中级人民法院裁定美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品；

2018年10月，美国商务部以国家安全为由，将福建晋华列入“实体清单”，对其实施出口管制；

2018年11月，美国司法部以“经济间谍罪”向台湾联华电子、福建晋华集成电路两家公司，以及晋华总经理陈正坤以及其他两位联电主管，提起了刑事和民事诉讼，指控这三人涉嫌窃取美国DRAM技术商业机密。随后福建晋华发布声明回应称，不存在窃取其他公司技术的行为；

2019年曾传出，晋华或主动放弃DRAM，转向晶圆代工，以企与美光和解。但就目前的情况来看似乎并不存在“和解”的方案；

据台媒报道，联电对此回应表示，并未违反营业秘密法，不便评论离职人员，相关案件仍会提起上诉。

DRAM行业厮杀正酣

存储器作为半导体中的重要器件，它是一种用于保存信息的记忆设备，一般按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储器和非易失性存储器。目前主流的存储器是DRAM与NANDFlash两者，共计占据九成以上存储器市场。

DRAM行业竞争一直都很激烈：

70年代，Intel凭借1K DRAM的成功迅速占领市场，同时期入局的还有IBM和德州仪器；

80年代，日系企业凭借价格优势持续扩大市场份额，韩国三星此时也开始布局DRAM。而早期的先行者Intel开始退出市场，德州仪器将存储业务出售给美光，IBM也将合资工厂出售给东芝；

发展至今，三星、SK 海力士、美光市占率分别为46％、27％、21％，是当之无愧的DRAM三巨头，而中国的DRAM产业高速发展，正朝着除韩、美两国以外的第三大势力进军。

就目前全球DRAM市场规模来看，中国是DRAM领域最大的市场，但缺点在于几乎完全依赖进口，自给率几乎为零，随着国内半导体产业发展加速，紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等国内企业已成为DRAM技术的关键一员。随着5G、云计算等产业的普及，DRAM国产化替代的机会必然会越来越多。