台积电2nm技术研发取得突破，打算为华为再争取“宽限期”

2020-07-14 09:39

7月13日消息据台湾媒体的报道，台积电2nm技术研发已取得重大突破，找到了实现的路径，并将切入环绕式栅极技术（gate－all－around，GAA）。此外，台积电还被曝出已向美国提交相关的申请资料，打算进一步争取对华为供货的“宽限期”。

对台积电来说，目前已切实感受到来自三星的竞争压力。有消息称，三星决定在3nm率先导入GAA 技术，并宣称到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。台积电在2nm技术研发上取得突破，再次取得对三星的相对领先优势。

按照台积电的计划，其2nm制程芯片将在2023年－2024年间推出。截至目前，华为是台积电最大的芯片客户，因此，与华为维持合作在此时对台积电来说显得至关重要。这也就不难理解台积电出头，为华为争取进一步的宽限期了。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产。台积电今年4月曾表示，3nm仍会沿用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。

台积电成立于1987年，是全球最大的晶圆代工半导体制造厂，客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。

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