第三代半导体倍受资本青睐

不止是三安光电大力发展第三代半导体业务，国内资本市场同样看好该领域前景。自5月以来，Wind第三代半导体概念指数强势崛起，累计涨幅近60％，创下历史新高。值得注意的是，6月17日中午，外媒一则关于“中国制定了‘第三代半导体’发展推进计划，并为该计划准备了约1万亿美元的资金”的报道掀起A股半导体股大涨狂潮，半导体行业指数中46只成分股全部飘红，38只成分股涨幅超过5％。

相关人士表示，这个事情的背景其实是5月14日在北京召开的一次会议。根据“工信头条”公众号的信息，这次会议上，科技部就“十四五”国家科技创新规划编制工作做了汇报，领导小组成员单位及有关部门负责同志进行了讨论。此次会议还专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。但并没有明确提到第三代半导体，看起来更是断章取义，是一种炒作。这种现象并不是好事，但拨动了市场的神经，炒热了舆论，也把半导体股炒起来。

但无论如何，第三代半导体产业发展不止是受到资本的青睐，我国也将第三代半导体列入2030年国家新材料重大项目七大方向之一，目前正处于研发及产业化发展的关键期。

（整理自公开资料）

技术特点明显，应用前景广阔

区别于第一代半导体材料（主要指硅、锗元素半导体材料）、第二代半导体材料（化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟），第三代半导体材料被业内誉微电子产业的“新发动机”，它具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度、更高的电子密度、高迁移率等特点，在短波发光、激光、探测等光电子器件和高温、高压、高频大功率的电子电力器件领域拥有广阔应用前景。

（整理自公开资料）

以当前最主流的两种第三代半导体材料来看，SiC具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，SiC 可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，如MOSFET、IGBT、SBD 等，下游主要用于智能电网、新能源汽车等行业。就国内发展现状来看，预计未来几年SiC市场将充分受益于新能源汽车渗透提升、电动车配套设备建设和5G通讯基站及数据中心建设，其中汽车电动化为驱动SiC市场规模增长的最主要因素。目前在新能源汽车上采用SiC解决方案主要体现在功率控制单元（PCU）、逆变器，及车载充电器等方面。预计2024年SiC市场规模将达到20亿美元。

GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的极佳选择。展望未来，5G通讯、消费电子快充和车规级充电成为GaN产品规模扩张的主要动力。在5G和更高频率应用中，GaN的效率比LDMOS／硅器件要高10％－15％，预计在5G基站PA中份额将持续提升；手机快充逐渐普及，消费级快充将成为推动GaN功率器件渗透的重要因素。预计2024年GaN电源市场产值将超过3．5亿美元。

CASAResearch数据统计显示，消费类电源、商业电源和新能源汽车为SiC、GaN电子电力器件的前三大应用领域，分别占比28％、26％和11％。消费类电源是当前普及范围最广的领域，主要以GaN快充技术落地应用在PC、智能手机等移动电子产品上；新能源汽车方面，国内已成为全球最大的新能源汽车市场，特斯拉、比亚迪等厂商代表开始全方位布局SiC元器件在整车上的应用。

明年或达600亿规模

在5G通信、新能源汽车、快充、绿色照明等新兴需求崛起和国家政策大力支持的双重驱动下，预计我国第三代化合物半导体市场规模有望实现快速增长。《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94．15亿元，预计2019－2022年将保持85％以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623．42亿元。其中，第三代半导体衬底市场规模从7．86亿元增长至15．21亿元，年复合增速为24．61％，半导体器件市场规模从86．29亿元增长至608．21亿元，年复合增速为91．73％。