理想汽车与三安半导体成立合资公司
据媒体报道,国家市场监督管理总局反垄断司的经营者集中简易案件公示显示,北京车和家汽车科技有限公司(简称:车和家)与湖南三安半导体有限责任公司(简称:三安半导体)将成立合营企业。
(源自国家市场监督管理总局反垄断司经营者集中简易案件公示)
公示显示,车和家拟与三安半导体共同设立和经营一家合资公司,其中,车和家持有合资公司70%股权,三安半导体持有合资公司30%股权。但交易双方享有对合资公司的共同控制权。
资料显示,车和家主要从事新能源汽车的设计、研发、生产和销售,公司成立于2021年3月,法定代表人为理想汽车创始人李想,由理想汽车关联公司Leading Ideal HK Limited 100%持股,经营范围包括技术开发、技术转让,以及制造新能源智能汽车整车等。
而三安半导体则是三安光电股份有限公司(简称:三安光电)100%控股的子公司。三安光电是国内LED芯片的行业龙头,而三安半导体主要从事SiC衬底、外延、芯片相关半导体材料的研发、生产和销售业务,以及电力电子元器件的制造、销售、研发、电力电子技术服务。
(源自国家市场监督管理总局反垄断司经营者集中简易案件公示)
公示备注中显示,在全球新能源乘用车驱动电机控制器SiC芯片研发市场以及新能源乘用车驱动电机控制器SiC模块研发市场方面,车和家与三安半导体双方占比均小于5%。
业内推测,两者合资公司未来将主要从事新能源乘用车驱动电机控制器SiC芯片的研发。
风头大热,2025年将达25亿美元市场
随着近些年来新能源汽车发展大热,相应的半导体元器件也成为了业内的“香饽饽”。SiC作为第三代半导体材料的典型代表,光电特性优越,满足新兴应用需求。
第一代半导体硅、锗等,虽然自然储量大、制备工艺简单,成为了制造半导体产品的主要原材料,并被广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但其缺点在于难以满足高功率及高频器件需求。
而第二代半导体材料的代表以砷化镓为主,高电子迁移率使其成为制作半导体发光二极管和通信器件的核心材料,被广泛应用于光电子和微电子领域。但砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性,无法在高温、高频、高功率器件领域推广。
第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表,与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度,保证了其可击穿更高的电场强度,适合制备耐高压、高频的功率器件,是电动汽车、5G基站、卫星等新兴领域的理想材料。
具体来看SiC,SiC器件相对于传统器件的优势主要来自三个方面:
1.降低电能转换过程中的能量损耗;
2.更容易实现小型化;
3.更耐高温高压。
从市场空间来看,SiC产业链目前分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用几个环节。
通常首先采用物理气相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)等生成外延片,最后制成相关器件。在整个碳化硅器件产业链中,由于衬底制造工艺难度大,产业链价值量主要集中于上游衬底环节,目前占整个产业链价值量的 50%左右。由于衬底在整个产业链价值量占比最高,有券商预计,到2025年新能源汽车SiC衬底需求空间为37.5-45亿元。
此外,随着下游应用需求的提升,将带动碳化硅高度景气成长。比如导电型碳化硅衬底主要用于制作功率器件,应用场景有电动汽车、数字新基建、工业电机等,是电力电子行业的核心。
根据 Yole 数据,2019 年碳化硅功率器件的市场规模为 5.41 亿美元,预计 2025 年将增长至 25.62 亿美元,复合年增长率达 30%。
(资料源自Yole Development)
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