3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电
虽然在2021年时,大家就都知道2022年会是3nm芯片的量产之时,因三星、台积电都有过表示,但具体是什么时候,大家都没有细说。
而近日,终于传出了确切消息,那就是三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang正式对外表示,2022上半年三星第一代的3nm GAA (3GAAE)制程技术将量产,最迟不会超过二季度,而下半年将开始商业化生产。
此外,Moonsoo Kang还表示,三星的3nm芯片,会按照之前的计划,采用GAAFET晶体管技术,而不是继续使用从14nm就开始的FinFET晶体管技术。
而基于GAA技术,三星还将开发出第二代GAA技术,称之为3GAAP(3nm Gate-All-Around Plus),预计于明年,也就是2023年量产。
估计听到这个消息后,台积电还是有点慌的,并不是因为三星要量产3nm芯片了,而主要是因为三星使用了GAA晶体管技术,确实比台积电在3nm时使用的FinFET晶体管更先进。
GAA晶体管能够提供比FinFET 技术更好的静电特性,能够让芯片进一步微缩,也就是晶体管密度更大,另外还能降低栅极电压,让功耗降低。
所以如果三星的GAA技术的3nm芯片进展迅速,良率比较高的话,对于台积电而言,确实是一个非常大的压力,说不定能够从台积电这抢到更多的客户。
而按照三星的说法,3nmGAA芯片,较上一代的5nm的FinFET技术,面积能够缩小35%,性能提高30%,或功耗提高50%。
接下来就让我静态三星新一代的3nm芯片何时量产了,我想台积电也是在拭目以待,看看三星能不能借3nm工艺,威胁到自己的地位,毕竟三星一直想要打败台积电,成全球代工厂商中的冠军的。
当然,台积电和三星在3nm竞争,于我们而言,只是神仙打架,毕竟中芯才14nm,离3nm还好几代,再加上10nm以下的设备受限,可以说离3nm还遥不可及。
原文标题 : 3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电
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