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中国芯的现状:设计、封测与制造,可能有10年的差距

作为科技产业,以及信息化、数字化的基础,芯片自诞生以来,就一直倍受关注,也一直蓬勃发展。

而这几年,由于美国想切断全球芯片供应链,打破全球供应链一体化的格局,引发了全球的恐慌,所以我们看到全球各国都在打造芯片产业链,想要尽量摆脱或减少对美国的依赖。

而中国就更加不例外了,毕竟我们就是美国重点打压的对象之一。

中国芯的现状:设计、封测与制造,可能有10年的差距

这几年, 国内在半导体材料、设备、技术等方面,不断突破,但与此同时,我们也发现了一个比较尴尬的事实,那就是当前芯片制造的三大流程中,设计、封测与全球顶尖水平是基本同步的,但制造却落后了可能有10年的差距。

先说设计,当前国际上最先进的芯片设计水平是3nm,而国内也拥有同等的水平,华为麒麟虽然无法量产,但华为的研发一直没断,与全球顶尖水平是同步的。

另外三星量产3nm时,国内的厂商是第一批客户,也说明国内早有3nm芯片的设计能力。

中国芯的现状:设计、封测与制造,可能有10年的差距

再说封测这一块,国内有三大封测厂商,排名全球前10,分别是长电科技、通富微电、天水华天,这三大封测企业在全球的排名分别是第3、5、6名。

这三大企业也表示自己拥有了4nm芯片的封测技术,至于3nm,因为也刚量产,所以没有表示,但考虑到封测的门槛并不高,所以这三大企业同步实现3nm的封测,也没问题。

中国芯的现状:设计、封测与制造,可能有10年的差距

最落后的就是芯片制造这一块了,大陆最强的芯片制造企业是中芯,当前对外公开的,已经量产的工艺是14nm,2019年就已经量产了。

不过由于缺EUV光刻机,然后就卡在14nm了,而2022年被拉入黑名单,进一步限制了先进工艺设备的进口,估计工艺突破,目前而言是比较困难了,所以中芯当前的策略,很明显是在提升成熟工艺产能,先解决国内晶圆产能的缺口,慢慢徐之。

而全球顶尖的芯片工艺是3nm,从14nm到3nm工艺。那么从14nm到3nm,需要多久的时间?我们参考下台积电、三星、英特尔这三大巨头。

中国芯的现状:设计、封测与制造,可能有10年的差距

台积电于2015年实现了16nm,然后2023年实现了3nm,间隔了8年时间,三星的时间大致也是如此,也是大约8年的时间。至于intel,从14nm到3nm,花的时间会更久,预计会在9年左右。

所以中芯要提升到3nm,就算先进设备不受限制,估计都得10年左右,目前先进设备以及一些技术还受限制,10年都不一定追上来。

所以整体来看,当前国内最应该补的短板,就是芯片制造能力,只要制造能力提升上来,设计、封测都不是问题,随时能够等同国际顶尖水平。

       原文标题 : 中国芯的现状:设计、封测与制造,可能有10年的差距

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