日本遥遥领先，国内奋起直追

纵观氧化镓发展历史，日本遥遥领先全球并引领其商业化。早在2008年，京都大学的藤田教授就发布了氧化镓深紫外线检测和SchottkyBarrier Junction、蓝宝石（Sapphire）晶圆上的外延生长（Epitaxial Growth）等研发成果。

2012年，日本率先获得2英寸氧化镓材料，并于2014年实现了批量产业化，随后又实现了4英寸氧化镓材料的突破及产业化；2015年，推出了高质量氧化镓单晶衬底；2016年又推出了同质外延片，此后基于氧化镓材料的器件研究成果开始爆发式出现，各国开始争相布局。

在国际上，有三家公司作为氧化镓衬底、晶圆和器件的开发商和制造商脱颖而出，分别是美国的Kyma Technologies和日本的FLOSFIA和Novel Crystal Technology。

2021年，Novel CrystalTechnology全球首次量产了100mm 4英寸的“氧化镓”晶圆。2022年，Novel CrystalTechnology与大阳日酸株式会社、东京农业技术大学合作，将备受关注的氧化镓（β－Ga2O3）用HVPE法成功地在6英寸晶圆上沉积。

FLOSFIA则是在2022年，与三菱重工、丰田汽车子公司电装和大规模生产使用氧化镓（硅的替代品）作为半导体材料的功率半导体。

国内方面也有不少企业开始布局氧化镓领域，比如：

北京镓族科技，成立于2017年，专业从事超宽禁带（第四代）半导体氧化镓材料开发及器件芯片应用产业化的国家高新技术产业公司，涵盖完整的产业中试产线，具备研发和小批量生产能力，初步构建了氧化单晶衬底、氧化镓异质／同质外延衬底生产和研发平台。

杭州富加镓业，成立于2019年，是由中国科学院上海光学精密机械研究所与杭州市富阳区政府共建的“硬科技”产业化平台——杭州光机所孵化的科技型企业，专注于宽禁带半导体材料研发，最初技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，主要从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作。

北京铭镓半导体，成立于2020年，是国内专业从事氧化镓材料及其功率器件产业化的高新企业，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高频大功率器件等产业化高新技术的研发。目前，铭镓半导体已实现量产2英寸氧化镓衬底材料，突破4英寸技术，是目前唯一可实现国产工业级“氧化镓”半导体晶片小批量供货中国厂家，已完成两轮融资。

深圳进化半导体，立于2021年，是一家专业从事第四代半导体氧化镓（Ga2O3）晶片研发、生产和销售的半导体企业，是少有的拥有氧化镓的单晶炉设计、热场设计、生长工艺、晶体加工等全系列自主知识产权技术的氧化镓单晶衬底生产商之一。

氧化镓产业化初期，国产“突围”有望

目前，国内对于氧化镓半导体十分看重，早在2018年，我国已启动了包括氧化镓、金刚石、氮化硼等在内的超宽禁带半导体材料的探索和研究。2022年，科技部将氧化镓列入“十四五”重点研发计划。

除了上文列举的几家国内厂商以外，国内氧化镓材料研究单位还有中电科46所、上海光机所等等，还有数十家高校院所积极展开氧化镓项目的研发工作，积累了丰富的技术成果。随着市场需求持续旺盛，这些科研成果有望逐步落地。由于全球氧化镓产业均在产业化的前期，这或许可以帮助国产半导体在全球半导体竞争中实现“突围”。