国产光刻胶爆发：已覆盖28nm~90nm，打破日本垄断
众所周知，在芯片制造过程中，光刻胶是一项非常重要的材料。
因为芯片进行光刻工艺时，就是利用投影原因，光线将芯片电路图，照射在涂了光刻胶的硅晶圆片上，然后光刻胶见光就会发生变化。
与光刻机对应，光刻胶也按工艺划分，有g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种。
g线、i线主要用于250nm以上工艺，KrF一般用于250nm-130nm工艺，ArF一般用于130nm-14nm，而EUV用于EUV光刻工艺，主要用于7nm以下工艺。
国内g线、i线、KrF工艺上能够生产光刻胶，但自给率不高，g线、i线在20-30%左右，而KrF在5-10%左右。ArF在2022年前国内自给率基本接近于0，至于EUV就想都没想了，目前全球仅日本能够生产EUV光刻胶。
从全球光刻胶市场来看，日本掌握最领先的光刻胶配方和工艺，东京应化、JSR、富士、信越化学、住友化学等日本厂商占据80%以上市场份额。
这样的情况，对中国芯的发展，当然非常不利，所以随着国产芯片大发展，供应链也是集体突破，所以这几年国内也有几家光刻胶企业，在向ArF发起冲击，想要在14nm及以上的工艺上实现0的突破，打破国外垄断。
2022年就有好几家企业表示，自己生产的ArF光刻胶，已经实现了60nm、45nm等工艺的覆盖，并且接到了订单等。
而6月2日，国产光刻胶大厂南大光电在互动平台上称，公司开发了多款ArF光刻胶在下游客户处验证，制程覆盖28nm~90nm。
很明显，南大光电再次打破了国外垄断，毕竟28nm工艺的光刻胶，之前国内是完全生产不出来的，只能从日本进口。
目前美国正在逆全球化，联手日本、荷兰等，对中国半导体产业进行打压，所以半导体供应链安全至关重要，光刻胶作为半导体产业核心原材料，技术壁垒高，原料自主可控尤为关键。
希望更多的厂商，能够在光刻胶、光刻机等等设备和材料上，不断的突破，打破国外的垄断，让国外无法卡我们的脖子。
同时国产晶圆厂，也应该努力的加强与国产供应链的合作，及时试用产品，加快产品验证与导入速度，给国产供应链以更好的成长环境和基础。
原文标题 : 国产光刻胶爆发：已覆盖28nm~90nm，打破日本垄断
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