国产芯片制造工艺,或要绕过EUV光刻机了,已有重大进展
众所周知,目前硅基芯片的制造,离不开光刻工艺。
而光刻工艺,则离不开光刻机,而全球目前仅4家半导体芯片制造的光刻机厂商,分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子。
其中ASML最牛,拥有EUV光刻机、浸润式光刻机、干式光刻机等各种高、中低端光刻机,份额高达80%+。
尼康第二牛,拥有除EUV光刻机之外的其它光刻机,最高水平是浸润式光刻机。佳能排第三,不过最高水平是干式光刻机。而上海微电子实际也能生产干式光刻机,但分辨率只有90nm,相对最差。
干式光刻机最高只能支持65nm芯片,浸润式光刻机最高能达到7nm工艺,而7nm工艺之后则需要EUV光刻机。
所以目前,国内的光刻机,基本上都是从ASML、尼康、佳能进口,毕竟上海微电子的光刻机,确实差那么一丢丢,从上面的市场份额图也可以看到,国产光刻机的份额没列出来,因为基本接近于0,没有列的必要。
在这样的情况之下,光刻机已经严重拖了国产芯片产业的后腿,也导致目前美国拿光刻机卡着国内的芯片产业。
比如EUV不卖到中国来,而浸润式光刻机也受限, ASML的浸润式光刻机中,先进的两款不卖,只有一款落后的可以卖。而尼康的光刻机,同样的先进的不卖。
也在这样的情况之下,大家都认为,国产光刻机必须突破,要早点开发出EUV光刻机出来才行,才能够真正打破垄断,让禁令成为废纸。
不过,从目前的情况来看,国产芯片制造,要绕过EUV的可能性更高,为什么呢?因为有了一项新技术,那就是NIL纳米压印。
EUV光刻机是非常难的,ASML已经将产业链捆绑在一起了,其它厂商很难避开EUV产业链,生产出EUV光刻机出来。
但NIL纳米压印技术不同,没有被谁捆绑住,同时门槛相对较低,更重要的是NIL压印技术,目前佳能已经进度良好,佳能表示到2025年时实现5nm工艺。
而国内也有公司,目前虽然没有达到佳能的水准,但表现也不错,比如天仁微纳的纳米压印设备,已经可以在150/300mm基底面积上实现高精度(优于10nm )了。
可见,纳米压印技术,在国内很可能比EUV光刻机发展的更快,也许当国产EUV光刻机还没影时,NIL纳米压印技术,就进入5nm了。
所以正如我标题所言,国产芯片制造工艺,或要绕过EUV光刻机了,不信,大家等着瞧,毕竟佳能也是这么想的。
原文标题 : 国产芯片制造工艺,或要绕过EUV光刻机了,已有重大进展
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