磷化铟InP
-
【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破 市场存在较大开发空间
但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。 氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成
氮化铟镓 2024-02-02 -
【洞察】磷化铟衬底技术进步 推动市场规模快速增长
未来，在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，磷化铟衬底市场规模将持续扩大，成本也将随着规模效应而降低，进一步促进下游应用领域的发展。磷化铟衬底是重要的III－V族化合物半导体衬底材料，主要是由于磷化铟系元素周期表上的III族元素的化合物
-
美国晶体技术Q3磷化铟夺公司基板销售之冠
据悉，美国晶体技术公司（AXT）磷化铟（InP）已经超越砷化镓（GaAs）成为公司基板销售最大部门。
相关标签
换一批
最新活动更多 >
-
11月起立即报名>> 光电类专业2025年秋季空中双选会
-
11月28日立即报名>>> 2024工程师系列—工业电子技术在线会议
-
11月29日立即预约>> 【上海线下】设计，易如反掌—Creo 11发布巡展
-
即日-11.30免费预约申请>>> 燧石技术-红外热成像系列产品试用活动
-
11月30日立即试用>> 【有奖试用】爱德克IDEC-九大王牌安全产品
-
即日-12.5立即观看>> 松下新能源中国布局：锂一次电池新品介绍
最新招聘
更多
