磷化铟InP
-
Imec 的RF 硅中介层技术：无缝集成InP 芯片
芝能智芯出品 在当今高速无线通信和毫米波技术迅猛发展的背景下，比利时纳米电子中心 Imec 在 IEEE IEDM 2024 上展示的突破性成果：通过射频硅中介层技术实现了磷化铟（InP）芯片的无缝集成
-
【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破 市场存在较大开发空间
但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。 氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成
氮化铟镓 2024-02-02 -
【洞察】磷化铟衬底技术进步 推动市场规模快速增长
未来，在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，磷化铟衬底市场规模将持续扩大，成本也将随着规模效应而降低，进一步促进下游应用领域的发展。磷化铟衬底是重要的III－V族化合物半导体衬底材料，主要是由于磷化铟系元素周期表上的III族元素的化合物
-
美国晶体技术Q3磷化铟夺公司基板销售之冠
据悉，美国晶体技术公司（AXT）磷化铟（InP）已经超越砷化镓（GaAs）成为公司基板销售最大部门。
相关标签
换一批
最新活动更多 >
-
即日-1.16立即报名>>> 【在线会议】ImSym 开启全流程成像仿真时代
-
即日-1.17日立即投票>> 维科杯·OFweek 2024（第三届）储能行业年度评选
-
即日-1.17立即投票>> 维科杯·OFweek 2024锂电行业年度评选
-
即日-1.20限时下载>>> 爱德克（IDEC）设备及工业现场安全解决方案
-
即日-1.24立即参与>>> 【限时免费】安森美：Treo 平台带来出色的精密模拟
-
即日-1.25立即下载>> PV Inverter太阳能逆变器主要部件应用指南
最新招聘
更多
