磷化铟InP
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【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破 市场存在较大开发空间
但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。 氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成
氮化铟镓 2024-02-02 -
【洞察】磷化铟衬底技术进步 推动市场规模快速增长
未来，在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，磷化铟衬底市场规模将持续扩大，成本也将随着规模效应而降低，进一步促进下游应用领域的发展。磷化铟衬底是重要的III－V族化合物半导体衬底材料，主要是由于磷化铟系元素周期表上的III族元素的化合物
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美国晶体技术Q3磷化铟夺公司基板销售之冠
据悉，美国晶体技术公司（AXT）磷化铟（InP）已经超越砷化镓（GaAs）成为公司基板销售最大部门。
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