氮化铟镓

【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破市场存在较大开发空间

但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成

氮化铟镓 2024-02-02

应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓（GaN)MTC-65W1C

LCD（Liquid Crystal Display）显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置，从液晶显示器的结构来看，无论是笔记本电脑还是桌面系统，采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构

氮化镓氮化镓充电头 GaN LCD显示器 2024-01-10

Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能

全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSys

Transphorm Allegro 氮化镓 2023-12-12

Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

Transphorm 封装 FET 氮化镓 2023-11-07

Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔

氮化镓功率半导体 2023-10-19

Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔－ 2023 年 10 月 12 日－新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm

Transphorm氮化镓器件 2023-10-12

应用在SMPS中的GaN／氮化镓

开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流

GaN 氮化镓开关电源 SMPS 2023-10-10

【深度】硅基氮化镓（GaN-on-Si）应用前景广阔全球布局企业数量众多

使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，应用优势较高硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼

硅基氮化镓 2023-09-26

Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日－新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产

Transphorm 氮化镓器件 2023-08-24

今日“镓禁”后，美国也只能“捡捡垃圾”

7月3日，中国商务部、海关总署发布公告，对镓、锗相关物项实施出口管制。而8月1日，也就是今天，便是该管制措施实施的日期，其中最为重要的镓管制，到底有什么用？为什么说“镓禁”后，美国要沦落到“捡垃圾”。今天OFweek维科网·电子工程便和大家从头聊聊

镓美国半导体 2023-08-01

限制镓、锗出口，明明卡不死美国，为何我们也要卡？

众所周知，自8月1日起，我们将对镓、锗的相关产品进行出口管制，任何国外的企业想要从中国购买到镓、锗的相关产品，都需要许可证。也因为这个禁令的影响，目前国际上镓、锗的价格飙涨，很多国外企业都很慌，特

芯片镓锗稀土 2023-07-17

中国限制镓、锗出口，美国、韩国、日本已慌

众所周知，前几天中国又再次出手，对镓、锗限制出口，任何与镓、锗相关物项未经许可，不得出口。一时之间，引发了镓、锗产品的国际动荡，价格直线上涨，同时美国、韩国、日本等厂商，赶紧申请许可证。当然，也有人表示，其实限制也没太多用，因为镓、锗不只是中国有，美国还是全球第一大锗储备国呢

芯片镓锗稀土 2023-07-09

65W氮化镓（GaN)充电头PD快充方案

2023年数码圈中讨论较多的莫过于65W氮化镓（GAN）充电头。65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率

氮化镓 PD快充 GaN 充电器 2023-04-19

四川美阔推出：65W-1A2C接口氮化镓（GaN)PD快充电源方案

65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率

氮化镓 PD快充 GaN 2023-04-06

氮化镓技术快速发展，Power Integrations推出900V氮化镓器件

近日，深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations宣布，推出针对汽车电子领域的900V氮化镓（GaN）器件。Power Integrations公司介绍道，新IC

Power Integrations 氮化镓汽车电子 2023-03-21

Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出900V氮化镓（GaN）器件，为InnoSwitch3?系列反激式开关IC再添新品

Power Integrations 氮化镓 2023-03-21

适用于65W氮化镓1A2C国产PD快充方案

PD快充方案 65W氮化镓 1A2C快充 2023-03-02

GaN/氮化镓65W（1A2C）PD快充电源方案

　　近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W（1A2C）PD快充充电器方案，该方案采用同系列控制单晶片：QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配

PD快充方案 65W快充 GaN/氮化镓 2023-02-28

65W-1A2C接口氮化镓（GaN)充电头

2023年数码圈中说较多的莫过于两个品类，其中一个就是氮化镓（GAN）充电头。氮化镓＋充电头＋65w究竟会产生怎样的火花呢？单口充电头和多口充电头能解决什么问题呢？不同品牌手机究竟怎样才能选择好适合自

氮化镓氮化镓充电头 GaN 2023-02-23

美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案

　　氮化镓快充的出现，给生活带来的极大的便利；近期；美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品，推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案，为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案

PD快充方案氮化镓 65W1A2C 2023-02-17

Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO－220封装氮化镓功率管

目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源能够以更低的成本获得功率密度优势。加州戈利塔－－2023年1月13日－－（美国商业资讯）－－高可靠性、高性能氮

Transphorm 电源适配器参考设计 2023-01-30

Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据

该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性加州戈利塔—2012年12月15 日－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据

Transphorm 氮化镓功率管 2023-01-30

未来大好也需冷静的氮化镓

近年来，手机充电越来越快，汽车“充电桩”也越来越流行，这样的升级离不开它的助力——第三代半导体。第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、

氮化镓半导体 2022-12-17

Transphorm拓展中国区业务，扩大氮化镓应用实验室

大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力加州戈利塔—2022年12月1 日－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）宣布在中国深圳开设新的办事处

Transphorm 氮化镓半导体电源 2022-12-02

美禄推出高可靠性65W氮化镓充电头方案评测报告

　　在快充技术渐渐成为充电标配以后，市面上的快充充电器芯片也多了起来，渐渐成为充电的主流；随着氮丶际醯某墒欤咂怠⒏咝А⒏吖β拭芏雀浅晌说毕驴斐涑涞缙魇谐〉闹髁鞣⒄狗较颍黄溆判愕募嫒菪钥梢允挂桓龀涞缙魑只缒缘榷嘀稚璞腹┑?

氮化镓 PD快充 65W氮化镓充电头方案 2022-11-25

国产高性价比氮化镓芯片，更快高效率充电速度

　　氮化镓比硅更适合做高频功率器件，可显著减少电力损耗和散热负载，有体积、功率密度方面的明显优势。应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，可以有效降低能源损耗。　　从第一款氮化镓快充电源量产到如

氮化镓氮化镓芯片快充 2022-11-23

应用在65W快充上国产氮化镓芯片优势

　　氮化镓是氮和镓化合物；作为一种全新的半导体材料它具有热导率高、耐高温、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期开发中氮化镓材料被应用于发光二极管、灯具，新能源等等方面。　　氮化镓材料是研制微电子器件

氮化镓 65W快充国产氮化镓芯片 2022-11-14

半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍

三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、

GaN 氮化镓 GaN半导体 2022-11-03

应用在低功耗SMPS中的GaN／氮化镓

开关电源（简称：SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。可以把稳压电源想象成为如下的一种情形：当试

GaN 氮化镓开关电源 2022-10-27

65W1C氮化镓PD快充电源650VMTC-MGZ31N65芯片测试报告

现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多；而GaN氮化镓技术的出现，则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善，无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN／氮化镓－

氮化镓 PD快充 65W 650V 2022-10-26

应用在电源适配器中的GaN／氮化镓

电源适配器（Power adapter）是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，一般由外壳、变压器、电感、电容、控制IC、PCB板等元器件组成，它的工作原理由交流输入转换为直流输出；按连接方式可分为插墙式和桌面式

GaN 氮化镓电源适配器 2022-10-20

四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65

　　氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景

650VGaN 美阔 MGZ31N65 2022-10-14

氮化铝基大功率混合电路厚膜材料

内容摘要：40多年来，设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化铝。、摘要40多年来，设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化铝。它提供了正确电路操作所需的机械强度、电阻率和热性能。然而，在过去几年

氮化铝电阻厚膜 TCR 2022-08-16

飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术

Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。加州戈利塔－－（新闻稿）－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换

Transphorm 2022-08-02

Transphorm推出参考设计组合，加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发

公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势加州戈利塔－－（新闻稿）－－（美国商业资讯）－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先驱

Transphorm USB 氮化镓电源半导体 2022-06-27

意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计

VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件

意法半导体氮化镓功率转换器 2022-05-12

大联大友尚集团推出基于Diodes产品的130WACF氮化镓NB PD电源适配器方案

2022年4月19日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于达尔科技(Diodes)AP3306、APR340与AP43771V等芯片的130W ACF氮化镓NB PD电源适配器方案

大联大 2022-04-19

【洞察】磷化铟衬底技术进步推动市场规模快速增长

未来，在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，磷化铟衬底市场规模将持续扩大，成本也将随着规模效应而降低，进一步促进下游应用领域的发展。磷化铟衬底是重要的III－V族化合物半导体衬底材料，主要是由于磷化铟系元素周期表上的III族元素的化合物

半导体材料磷化铟衬底 2022-04-11

英飞凌任命新任首席运营官，加码碳化硅和氮化镓产能

2月24日消息,英飞凌科技股份公司(下称英飞凌)在年度股东大会上宣布了监事会的决定,任命RutgerWijburg担任公司新任首席运营官。该任命将于2022年4月1日起正式生效。按照计划,RutgerWijburg将加入英飞凌管理委员会

英飞凌 Rutger Wijburg 2022-02-24