我们IC的规格书中，细心的开发者会注意到最大占空比的说明：

说明我在应用设计时，允许最大占空比会达到75％；当我们反激的占空比大于50％会带来什么？好的方面有哪些？不好的方面有哪些？
反激的占空比大于50％意味着什么，占空比影响哪些因素？

第一：占空比设计过大，首先带来的是匝比增大，

主MOS管的应力必然提高。

一般反激选取600V或650V以下的MOS管，成本考虑。

占空比过大势必承受不起。
上面通过公式已经有很好的说明了。
第二点：很重要的是很多人知道，需要斜坡补偿，否则环路震荡。

IC一般都有这个功能如下：

不过这也是有条件的，右平面零点的产生需要工作在CCM模式下，如果设计在DCM模式下也就不存在这一问题了。后面再讲电源的补偿设计！

这也是小功率为什么设计在DCM模式下的其中一个原因。当然我们设计足够好的环路补偿也能克服这一问题。

当然在特殊情形下也需要将占空比设计在大于50％，单位周期内传递的能量增加，可以减小开关频率，达到提升效率的目的，如果反激为了效率做高，可以考虑这一方法。

我们在设计反激开关电源的时候VRO反射电压的范围为：70V－110V；如果选择的是650V或700V的高压MOS器件时，我的经验设计推荐VRO＝90V左右！可靠性！！

注意在最大功率本设计／工作在CCM模式的最小VDC＝140V  

最小输入AC≈95VAC

也就是说我的设计在通常状况下，电源工作是在DCM。

只有系统过载或输入电压＜95VAC时 系统进行CCM模式！

此时系统有较好的EMI效果；

因此可以看到对于反激的设计应用：当输入电压变化时，变换器可能会从CCM 模式过渡到DCM 模式，或从DCM模式过渡到CCM 模式；对于两种模式，我们需要均在最恶劣条件下（最低输入电压、满载）设计变压器的初级电感Lm。由下式决定：

其中，fsw 为反激变换器的工作频率，KRF为电流纹波系数，

其定义如下图所示：

流过开关MOS管的电流波形及电流纹波系数

通常我们对于DCM 模式变换器，设计时KRF＝1。

对于CCM 模式变换器，KRF＜1。

KRF 的取值会影响到初级电流的均方根值（RMS），KRF 越小，RMS 越小，MOS 管的损耗就会越小，然而过小的KRF 会增大变压器的体积，设计时需要反复衡量。

一般而言，设计CCM 模式的反激变换器：

宽压输入时（85～265VAC），KRF 取0．25～0．5；

窄压输入时（165～265VAC），KRF 取0．4～0．8 即可。

而实际我们的开关电源在工作过程中是在DCM与CCM两种工作模式都会存在；其随负载的变化而变换！

对于FLY设计：KRF取0．25～0．85的设计就OK！不需要明确的区分来设计变压器的初级电感取值；因此一旦Lm 确定，流过MOS 管的电流峰值Idspeak和均方根值Idsrms 亦随之确定：参考如下公式；

式中：

MOS管的导通损耗Pcond可以通过下面公式计算：

Rdson为MOS 管的导通电阻

接下来是变压器的设计问题！

什么样的变压器才算是比较完美且适用的？变压器决定了什么，影响了什么？

设计变压器是各种拓扑的核心点之一，变压器设计的好坏，影响电源的方方面面，有的无法工作，有的效率不高，有的EMC问题难解，有的温升过高，有的极限情况会饱和，有的安规就过不了！

需要综合各方面的因素来设计变压器。
设计变压器从哪里入手呢？

一般来说根据功率来选择磁芯大小，有经验的可参考自己设计过的，这个是最推荐的设计；没经验的只能按照AP算法去算，当然还要留有一定的余量，最后实验去检验设计的好坏。
    一般小功率反激推荐的用的比较多EE型，EF型，EI型，ER型，中大功率PQ的用的比较多，这里面也有每个人的习惯以及不同公司的平台差异，需要根据自己公司的平台和变压器资源库来选择合适的型号。
实际设计中，由于充满太多的变数，磁芯的选择并没有非常严格的限制，可选择的余地很大。其中一种选型方式是，我们可以参看磁芯供应商给出的选型手册进行选型。相关的选型参考下表：

注意FLY－反激变换器设计，对于多路输出一定要注意负载调整率满足需求，耦合的效果要好，比如采用并绕，均匀绕制，以及副边匝数尽可能增多。