三星电子的财务状况

三星的财务数据如图3所示，但不包括刚刚报告的2018年第二季度数据。该图表明，虽然存储器行业似乎正在同步发展，但是实际上，如果比较SK海力士（图2）和三星电子（图3）的情形，他们的增长并不同步。

图3

比如，SK海力士2017年的DRAM出货量同比增长了25．2％，平均销售价格上涨了53．1％，而三星电子的DRAM出货量仅增长了16％，平均销售价格涨幅也低于SK海力士，为44．8％。

NAND部门的差异更加明显，SK海力士2017年NAND产品的位出货量同比增长了17．1％，平均售价增长了35．1％，而三星的NAND 位出货量增长了26．4％，平均销售价格增长仅为19．1％。

市场份额

这些公司之间的另一个差异是市场份额占比。三星在DRAM市场中的份额从2016年第三季度的高位50．2％下降至2018年第一季度的44．4％，美光科技同期的DRAM份额则从18．5％增长至23．1％。图4和图5说明了这些数据变化。

图4

图5

资本支出

存储器公司正在投资建设新晶圆厂和购买设备，以增加产能。

图6显示，2018日历年的DRAM产能将比2017日历年增长5．2％至19．0％。相比之下，2017年的DRAM设备支出较2016年增加了81％。

图6

有趣的是，美光预计2018日历年的DRAM产能增长率最低。而它在2016年第四季度至2018年第二季度的营业利润却增长了3637％。

图7显示，与2017日历年相比，2018日历年NAND产能仅增长5．2％至23．2％。而2017年NAND设备支出较2016年增长58％。

图7

三星电子在存储器上的投资将在2018年降至11万亿韩元（99亿美元），其中DRAM投资9万亿（81亿美元），NAND投资2万亿韩元（18亿美元）。

为了扩大下一代芯片和闪存的产能，SK海力士去年的资本支出创下10．3万亿韩元（98亿美元）的记录，并计划将其2018年的资本支出增加到15万亿韩元（134亿美元）。

美光科技的资本支出也高达81亿美元，但低于其他两家制造商。

三星电子的DRAM和NAND位出货量增长率应该分别为25％和45％。不过，这不是增加投资的结果，而是1x nm DRAM和64层NAND产线的效率高于预期的结果，这得益于更高的良率、更出色的晶圆厂布局和物流体系。三星计划于2019年在位于平泽的晶圆厂开始量产10nm LPDDR 5芯片。

SK海力士已宣布计划在其位于韩国利川的总部建造一座新的存储器工厂。这座位于利川、面积高达53，000平方米的工厂将于2018年底开工建设，计划于2020年10月完工。SK海力士计划在这家新工厂投资3．5万亿韩元（31．2亿美元）。此外，SK海力士还在继续扩大利川M14工厂的产能。它还计划于9月底在完成其位于清州的新工厂的洁净室设备的安装，该工厂将于2019年初投产。在中国，SK海力士预计将在2018年完成其无锡工厂洁净室的扩建。

美光准备在2018年至2019年在其台湾工厂扩大其10nm级别DRAM芯片的生产。美光位于台湾北部桃园的工厂将于2018年下半年进入1Xnm的生产并将于年底迁移到1Ynm工艺节点上。其位于台中的工厂将在2019年下半年放弃1Xnm产品的量产后迁移到更新的1Znm工艺上。

中国晋华的12英寸晶圆厂有望在9月份进入20nm或30nm DRAM芯片的试生产，中国最近通过禁售美光科技的部分产品来保护本土的存储器产业，这也可能影响存储器行业未来的发展态势。

Innotron最近推出了19nm工艺的8Gb DDR4产品的样片，预计也将在2019年上半年开始量产这颗芯片。

中国的长江存储科技有限公司正于本季度开始生产其32层NAND芯片样片，并计划从2019年年底开始量产64层产品。

东芝存储器业务部门刚刚在日本的岩手县举行了新型BiCS 3D NAND闪存工厂的奠基仪式，该工厂预计将于2019年年底完工，预计其长期合作伙伴西部数据将参与该项目。

东芝今年夏天将在四日市开始启用其Fab 6／第一阶段工厂。此举将帮助其在未来几个月内增加BiCS 3D NAND闪存的产量，Fab 6／第二阶段工厂预计将于明年进行部署。

竞争

当存储器市场的供需不平衡时，存储器公司的股价和芯片平均销售价格同步上涨和下降。目前，尽管仍然存在大量需求，但是随着产能的增加，内存市场正日趋走向供需平衡。目前NAND的平均销售价格已经开始下降，预计DRAM的价格也会在2018年下降。

投资者需要认识到，不同的存储器公司的股票不会再因为某一家公司业绩良好就都呈现同步上涨了。这些公司正在竞争客户，而且在即将到来的供过于求的情况下，客户可以随时更换内存供应商。这时，供应商可能会通过低价来赢得或维系客户，这就意味着内存供应商不再是盟友，而变成竞争对手了。

顺便说一句，这种概念并非我所首创，美光科技早在其10－K报告中表达了这种观点：

“我们在内存和存储市场面临包括英特尔、三星电子、SK海力士、东芝和西部数据等多家公司的激烈竞争。其中一些竞争对手是拥有更多资源投资新技术的大公司或者联盟，他们拥有更多资金把握增长机会，抵御市场低迷。竞争对手的联合可能会使我们处于竞争劣势。此外，中国等政府已经向我们的一些竞争对手或者市场新进入者提供重要的资金援助。我们的竞争对手也在寻求增加硅片容量和单晶圆存储位数，这可能导致全球供应的显著增加，并加大价格下行压力。无论是增加新设施，提高产能利用率，还是将其他半导体生产资源重新分配到内存和存储上，这些都会导致未来全球内存和存储产品供应的增加。在这种情况下，如果需求没有同步增长，必将导致我们产品平均销售价格的下降，并对我们的业务、经营业绩或财务状况造成重大不利影响。我们有很多大规模量产内存和存储产品都是按照行业通用标准规格制造的，因此和竞争对手的产品具备相似的性能特性。对于这些产品而言，主要靠价格和性能来竞争，性能的范围包括运行速度、功耗、可靠性、兼容性、尺寸和外形。对于我们其他产品而言，主要竞争因素则是性能而不是定价。”