晋华落寞长鑫疾行：中国DRAM厂商的王者梦

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2019-12-27 09:21

而值得一提的是，长鑫从奇梦达手中接过堆叠式架构的相关技术专利，并通过引入双重图案对准（SADP）以及四重图案对准（SAQP）等技术，并从内外双面电容逐渐走到外部的单面积电容（柱状电容），成功将奇梦达的 46nm 平稳推进至 10nm。

此外，先进晶圆代工工艺在摩尔定律影响下，已发展至 5nm 及以下制程，DRAM 工艺不可避免的也将走向 10nm 以下。因此，开发环绕式三节晶体管结构 GAA（Gate－all－around）以及其他新型的存储器技术等是大势所趋。

长鑫方面的消息是，该公司已开始在 HKMG、EUV 和 GAA 等新技术方面的探索。长鑫采用从研发到生产的 IDM（Integrated Device Manufacture）的模式。截止目前，一期厂房设计月产能 12 万片 12 英寸晶圆，装机月产能 2 万片，正在评估年底月产能 4 万片的可行性。

设备利用率低产能有待提升

目前来看，长鑫在产能为每月 2 万片，与巨头三星们的不可同日而语。但无法忽视的是中国厂商在技术与生产层面达到相应水平后，不计成本以占领市场份额的激进方式，以及本土市场强大的需求与消化能力。因此，市场潜力也是分析师 Robert Maire 看好长鑫的主要原因。

此外，鉴于传统 DRAM 厂商追逐利润的运营模式，在产能保证前提下，如果长鑫强势发起市场攻占策略，之于原本脆弱的 DRAM 供需市场将是重磅炸弹，若传统厂商保持价格不变来应对，直接的后果则是新一轮 DRAM 产品大规模堆积。

三星在行业低谷期多次利用“反周期”定律，加剧行业亏损，迫使同行业企业破产，最终牢牢占据行业头把交椅。而可以预知的是，在不远的将来，长鑫也将由可能具备向三星发起以其人之道还治其人之身的挑战。