2.5亿/mm2，台积电公布3nm工艺细节，晶体管密度是7nm的3.6倍
2020-04-20 15:17
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台积电3nm工艺首选FinFET晶体管技术。
台积电3nm工艺晶体管密度达到了2．5亿／mm?。
继公布2020年第一季度财报，净利润远高于去年同期后，台积电又公开了自研最新3nm工艺的细节：晶体管密度达2．5亿／mm?，是7nm工艺的3．6倍，可将奔腾4处理器缩小到普通针头大小。
基于如此高的晶体管密度，台积电3nm工艺的整体性能也较前几代工艺有了很大程度的提升，较7nm工艺性能提升15％，能耗提升30％；较5nm工艺性能提升7％，能耗提升15％。
根据台积电公布的今年一季度财报，在制程工艺上，7nm工艺营收占总营收的35％，10nm工艺占营收的0．5％，16nm工艺占总营收的19％，可见当前先进工艺是台积电营收的重要组成部分。
而在公布财报后的电话会议上，台积电也透露，3nm工艺研发进程没有受到疫情影响，依旧首选成本和能效都上佳的FinFET晶体管技术，并且将持续投入，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。
与此同时，同样在3nm工艺上持续投入的三星也正积极促进该工艺量产，不过它们选择的是GAA环绕栅极晶体管技术，可见三星对3nm委以重任。
从当前来看，两家公司的3nm工艺研发进程基本一致，虽然三星曾计划在2021年量产该工艺，但受疫情影响推迟到了2022年，究竟谁能率先进入量产阶段，我们拭目以待。
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