台积电2nm进展超预期 将采用GAA技术
2020-09-23 00:59
来源：
OFweek电子工程网
根据产业链消息人士透露，台积电目前2nm工艺进展非常快速，超过了预期。据悉，台积电2nm工艺将不再继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET），会转而采用环绕栅极晶体管技术（GAA）。
此前的一个活动上，台积电高级副总裁Kevin Zhang表示，台积电将投入8000名工程师，攻坚2nm工艺。
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