突破ASML垄断？中科院5nm激光光刻加工方法被误读
2020-12-01 21:33
来源：
OFweek电子工程网
近日，《财经》杂志发文澄清了一个关于中科院光刻技术突破ASML的误读传言。
事情可以追溯至今年7月，中国科学院官网上发布了一则研究进展相关消息，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了一篇题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super－resolution Laser Lithography）的研究论文，介绍了该团队研发的「新型5nm超高精度激光光刻加工方法」。
截图自ACS官网
这一消息被一些媒体误读为可以「突破ASML的垄断」、「中国芯取得重大进展」，「中国不需要EUV光刻机就能制作出5nm工艺的芯片」。
日前，这一论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前告诉《财经》杂志，称这是一个误读，中科院这一技术与极紫外光刻技术是两回事。
极紫外光刻技术是以波长为10－14nm的极紫外光作为光源的光刻技术。
而中科院研发的「5nm超高精度激光光刻加工方法」的主要用途是制作光掩模，目前，国内制作的掩模板主要是中低端的，装备材料和技术大多来自国外。
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