“内忧外患”：中芯国际2020年的重重难关

回顾中芯国际2020年，有过不少高光时刻，也同样陷入过困境。

2020年7月6日，中芯国际披露首次公开发行股票并在科创板上市发行公告，造就了科创板最大的IPO，也成为了A股10年来最大的IPO。同时也创下诸多记录：从上交所受理到过会只有19天，创出科创板审核最快纪录；到7月7日上网申购，也不过37天，堪称“史上最快IPO”。

作为中国大陆第一家实现14 nmFinFET量产的晶圆代工企业，中芯国际代表了中国大陆自主研发集成电路制造技术的最先进水平；在特色工艺领域，中芯国际陆续推出中国大陆最先进的 24 纳米 NAND、40 纳米高性能图像传感器等特色工艺，与各领域的龙头公司合作，实现在特殊存储器、高性能图像传感器等细分市场的持续增长。

但过分耀眼的光环也让中芯国际收到了国际社会的关注。2020年9月初，中芯国际就已经被美国商务部以“不可接受的风险”为由，企图进行贸易限制。对此中芯国际9月5日发布声明中芯国际严格遵守相关国家和地区的法律法规，与中国军方毫无关系。

2020年12月3日，据路透社报道，特朗普政府将中芯国际（SMIC）和中海油（CNOOC）列入所谓“中共军工企业”黑名单。报道显示，美国国防部还认定另外两家企业为中国军方所有或控制的企业，这两家企业为中国建设科技集团股份有限公司（CCTC）和中国国际工程咨询有限公司（CIECC）。此外，纳斯达克、MSCI明晟、富时罗素等相继对中芯国际实施评估／移除出指数名单。

原以为，中芯国际遭受华为一样近乎“极限制裁”已经是2020年最大的“坎”了，然而年底前某天深夜曝出的“内斗”却让国内吃足了大瓜。

继宣布台积电前COO蒋尚义重回中芯国际任职公司董事会执行董事、副董事长后，中芯国际联席CEO梁孟松在董事会上提出了辞职！12月15日晚间中芯国际发布的公告进一步确认了该消息。

根据中芯国际发布的公告显示，蒋博士现年 74 岁，一九六八年于国立台湾大学获电子工程学学士学位，一九七零年于普林斯顿大学获电子工程学硕士学位，一九七四年于斯坦福大学获电子工程学博士学位。蒋博士在半导体工业界的 45 年中，曾参与研发 CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、 SOS、SOI、GaAs 镭射、LED、电子束光刻、矽基太阳能电池等项目。在台湾积体电路制造股份有限公司（「台积电」），蒋博士牵头了 0．25μm、0．18μm、0．15μm、0．13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm 及 16nm FinFET 等关键节点的研发，使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。

公告中还提到，蒋博士将与中芯国际订立董事服务合约（其中规定任命为本公司执行董事之条款）及聘用合约（其中规定任命为董事会副董事长之条款），彼的任期自 2020 年 12 月 15 日起至本公司 2021 年股东周年大会（「2021 年股东周年大会」）为止。

而其中最受人关注的，无疑是联席CEO梁孟松提出辞职的消息。根据网传的一份梁孟松辞呈显示，梁孟松于2017年11月任职联合首席执行官至今，带领2000多位工程师尽心竭力完成了从28nm到7nm共五个世代的技术开发。而12月9日突然接获董事长电话告知蒋尚义即将出任公司副董事长一职，而梁孟松事前对此事毫无所悉。对此深感不再被尊重与不被信任，因而提出辞职。

事件引发社会强烈关注，甚至上交所也向中芯国际发送了监管工作函。关于蒋尚义梁孟松之间的“恩怨”也传出了不少版本。但最终事件还是走向平息。根据中芯国际最新公布的董事名单与其角色和职能公告显示，周子学为董事长，蒋尚义为副董事长，赵海军、梁孟松为联合首席执行官，高永岗为首席财务官。

毫无疑问，中芯国际肩负着国内芯片产能的重担，将近18％的国产芯片都由其提供，在芯片国产化的地位举足轻重。所以中芯国际的一举一动都牵动着国内芯片产业链的动向。从市场份额来看，2020年上半年中芯国际的营收规模仅达到台积电的十分之一，净利润则仅有台积电的3％。因此，中芯虽然是国内水平最高的芯片代工企业，但它距离追赶台积电还有一定距离。

原本就距离国际第一梯队有一定距离，若是中芯国际遭遇的出口管制迟迟不能缓解的话，未来向海外购买设备材料的过程必然更加多阻碍，与美国客户、部分国际客户的合作可能会受到严重影响，对于国内半导体产业发展也不是一件好事。

对于中芯国际2021年的发展，中芯国际联合首席执行官赵海军博士和梁孟松博士评论表示：“目前晶圆代工行业产能紧张，特别是对成熟制程的需求依然强劲，预计公司成熟产能将持续满载。为了满足客户需求，公司预计今年资本开支为43亿美元，其中大部分用于成熟工艺的扩产，小部分用于先进工艺，北京新合资项目土建及其它。产能建设方面，我们计划今年成熟12英寸产线扩产1万片，成熟8英寸产线扩产不少于4．5万片。在实体清单影响下，我们会考虑加强第一代、第二代FinFET多元平台开发和布建，并拓展平台的可靠性及竞争力。”