半导体设备中的核心:光刻机占24%,刻蚀机占20%,我国技术如何?
众所周知,芯片的原材料是砂子,但从砂子变成芯片,中间要经过N道工序,需要N种设备,同时也需要尖顶的技术。
而这些设备中,最重要的就是光刻机、刻蚀机了,按照机构的数据显示,在芯片制造的所有设备中,光刻机的成本占比约为24%,而刻蚀机的占比约为20%,这两种设备合计占比为44%。
之后再是薄膜沉积设备、测试设备和封装设备,分别占比20%、9%、6%。不过薄膜沉积设备不只有一台,而是一类机器,有很多种,与光刻机、刻蚀机还是不一样的。
那么问题就来了,既然这两种设备这么关键,那么国内的光刻机、刻蚀机技术如何,与世界先进水平相比,有多大的差距?
先说光刻机,这也是大家最关心的,目前全球最顶尖的光刻机自然是ASML的0.55孔径的EUV光刻机,售价大约为22亿一台,可生产2nm以下甚至埃米级(0.1nm)级的芯片。
之后再是0.33孔径的ASML的EUV光刻机,售价10亿元一台,可生产5nm、4nm、3nm级别的芯片。
不过EUV光刻机只有ASML能够生产,像尼康、佳能也不生产不了,而目前国内厂商上海微电子能够生产的,且对外公开的(不公开的不清楚),只能用于90nm工艺,离ASML至少是10年的差距。
再说说刻蚀机,这一块国产就非常厉害了,国内有一家厂商叫做中微半导体,生产的刻蚀机,在精度方面已经达到了3nm,并且被台积电采用。
而中微半导体的刻蚀机与国际顶尖水平的应用材料、泛林相比,是处于同一水平的,这一块没有落后。
另外再提一下薄膜沉积设备这一块,国内北方华创等也有生产,不过精度大约在14nm的水平,国产化率在10%到15%。
可见,半导体设备中的关键产品,我们其实除了光刻机外,其它的并不算特别落后,只要国产光刻机能够有突破,那么纯国产芯片的工艺也就能够迅速突破了。
原文标题 : 半导体设备中的核心:光刻机占24%,刻蚀机占20%,我国技术如何?
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