第三章 行业发展与市场竞争

3．1 行业财务分析

图：行业综合财务分析

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

图：行业历史估值

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

图：指数市场表现

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

图：指数历史估值

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

估值方法可以选择市盈率估值法、PEG估值法、市净率估值法、市现率、P／S市销率估值法、EV／Sales市售率估值法、RNAV重估净资产估值法、EV／EBITDA估值法、DDM估值法、DCF现金流折现估值法、NAV净资产价值估值法等。

图：主要上市公司

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

图：三安光电主营构成

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

图：闻泰科技主营构成

资料来源：千际投行，资产信息网，Wind

3．2 风险因子分析

管理风险

大部分公司处于扩张期，规模越来越大，涉及的领域也越来越多，如果公司的管理水平和员工的整体素质不能适应未来公司规模达到扩张的需要，将会削弱公司的市场竞争力。

技术风险

行业技术快速更新换代，行业的需求和业务模式不断升级。在此情况下，公司存在技术产品丧失竞争优势的风险、现有核心技术被竞争对手模仿等风险。

产品质量控制风险

随着公司经营规模的扩大，如果公司不能持续有效地执行相关质量控制制度和措施，一旦产品出现质量问题，将影响公司在客户中的地位和声誉，进而对公司经营业绩产生不利影响。

3．3 市场发展现状

全球市场

2020年，尽管新冠疫情对全球产业造成冲击，但半导体市场实现了强劲的增长。据美国半导体行业协会数据显示，全球半导体2020年市场规模达到4400亿美元，同比增长6．8％。新冠疫情居家办公推动了对手机、计算机、云基础设施的需求，拉动半导体市场增长。但同时，新冠疫情给汽车半导体带来消极影响，汽车半导体产能不足叠加汽车电动化对半导体需求增加的双重影响，造成全球汽车半导体芯片短缺。以SiC和GaN为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G、15光伏发电、PD快充等领域不断取得突破，2020年全球第三代半导体市场总体保持增长态势。

根据Yole和Omdia数据显示，到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场将增长到8．54亿美元，SiC电力电子市场规模约为7．03亿美元，GaN电力电子市场规模约为1．51亿美元。到2025年SiC电力电子市场规模将超过30亿美元，GaN电力电子器件市场规模将超过6．8亿美元。综合Yole、IHS、Gartner等多家分析机构数据及调研反馈，2020年全球功率半导体器件市场规模约为180～200亿美元，SiC、GaN电力电子器件渗透率约为4．2％～4．5％，较2019年提升一个百分点。

新能源汽车是最大的应用领域。由于新冠疫情的大流行，2020年上半年电动汽车／混合电动汽车（EV／HEV）领域的SiC器件和材料市场增长放缓。尽管如此，SiC的市场前景仍然乐观。丰田、大众、宝马等汽车制造商继续为其下一代车型的逆变器、车载充电器（OBC）和DC／DC转换器中的SiC分立器件或模块进行合格鉴定。在这种背景下，新能源汽车中SiC功率半导体市场预计将以38％的年复合增长率增长，到2025年将超过15亿美元。

随着新能源汽车的应用，SiC引起了充电基础设施市场极大的兴趣。受益于SiC的更高效率和更高频率，大功率充电器可以通过提供比Si基绝缘栅双极晶体管（IGBT）更紧凑的解决方案来。Yole16估计，这个市场的复合年增长率为90％，从2019年的500万美元增长到2025年的2．25亿美元。

除汽车领域外，光伏技术（PVs）、铁路和电机驱动器等应用在2019－2025年期间还将以两位数的年复合增长率增长。

中国市场

在此背景下，2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超过100亿元，较2019年增长69．5％。其中，SiC、GaN电力电子产值规模达44．7亿元，同比增长54％，衬底材料约2．2亿元，外延及芯片约5亿元，器件及模组约7．2亿元，装置约30亿元，相较前几年，中下游的增长速度加快。而GaN微波射频产值达到60．8亿元，同比增长80．3％。其中，衬底约6．5亿元，外延及芯片9．2亿元，器件及模组19．6亿元，装置约25．5亿元。

图：2016－2020年我国SiC、GaN电力电子产值规模（亿元）

资料来源：千际投行，资产信息网，CASA

图：2016－2020年我国GaN微波射频产值规模（亿元）

资料来源：千际投行，资产信息网，CASA

在半导体照明方向，受COVID－19和内需不振影响，增速持续下调。2020年中国大陆整体产值预计7013亿元，较2019年下降7．1％。但在出口市场，2020年我国LED照明产品累计出口额为355．94亿美元，同比增长达17．9％，这体现了照明产品的刚需属性，也体现了我国已经牢固树立了LED照明行业供应链、产业链优势，在疫情带来的出口替代效应下，吸引了全球半导体照明产品订单。

中国拥有第三代半导体材料最大的应用市场，受益于新能源汽车、5G、消费电子领域需求强劲，未来几年国内SiC和GaN功率半导体市场将迎来高速增长。在政策和市场的双重驱动下，国内第三代半导体电力电子和射频方向行情呈现明显上升态势。

由于第三代半导体材料属于国家战略性先进材料方向，具有技术创新和拉动经济新增点的双重优势，近年来，得到了国家大基金、地方政府、民间资本的高度关注。据CASA Research不完全统计，2020年共24笔投资扩产项目（2019年17笔），已披露的投资扩产金额达到694亿元（不含GaN光电子），较2019年同比增长161％。分材料看，SiC投资17笔，涉及金额550亿元；GaN投资7笔，涉及金额144亿元。分环节看，衬底环节投资12笔（主要为SiC衬底），涉及金额175亿元；器件／模块环节投资15笔，涉及金额520亿元。分区域看，长三角地区投资11笔，涉及金额263．3亿元；中西部地区投资6笔，涉及金额229亿元；京津冀鲁投资5笔，涉及金额188．5亿元。

图：2017－2020年第三代半导体投资扩产情况（亿元）

资料来源：千际投行，资产信息网，CASA

图：2020年国内主要第三代半导体投资扩产情况（亿元）

资料来源：千际投行，资产信息网，CASA

据CASA Research统计，2020年国内SiC、GaN电力电子器件市场规模约为46．8亿元，较上年同比增长90％。据中国半导体行业协会数据显示，2020年我国功率半导体分立器件市场规模约为3002．6亿元，SiC、GaN电力电子器件整体渗透率约为1．56％。

市场规模增长的主要驱动因素是新能源汽车市场的快速渗透和PD快充市场的爆发；而2020年光伏市场是有国家补贴的最后一年，装机量出现恢复性增长。其中，SiC器件占据的市场规模有所回升。

未来五年，SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45％的年复合增长率增长至近300亿元。在中高压领域，SiC电力电子器件将继续渗透，新能源汽车仍将是最大应用领域。在低压、小功率电源领域，包括LED驱动电源、电动工具电源、消费电源、D类音频，GaN电力电子器件将是主角，成为驱动市场的新力量；在中压领域，GaN、SiC电力电子器件在数据中心服务器、路由器和网络交换机中的应用正呈现不断增长的趋势。我国在“十四五”科技计划中将建设“面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子，应用于数据中心电源的GaN电力电子器件”提上日程。预计，未来这个市场复合年均增长率将达到66．5％；以此为契机，有条件的企业要加快储备相关技术和完善专利布局，产业链相关的“政产学研用金”各方也加强协同，共同建立良好的产业生态。

图：2020年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场结构

资料来源：千际投行，资产信息网，CASA