众所周知，一颗存储芯片的性能提升主要取决于主控芯片及其固件算法优化；存储芯片容量的提升一方面取决于单颗Die存储密度的不断增大（如2D NAND到3D NAND的升级跨越），另一方面还依赖于超薄Die、叠Die等核心封装工艺。在以“高性能、小尺寸、低功耗”为追求目标的嵌入式存储芯片中，eMCP／ePOP芯片从诞生到量产则集中展现了厂商的核心研发能力及封测制造等优势。佰维存储作为国内少数具备存储器研发设计、封测制造、品牌运营一体化能力的企业，近年来持续推出eMCP／ePOP系列高效能集成存储解决方案，助力智能手机、智能穿戴等小型智能终端应用小而美。

兼具小尺寸、高性能和成本优势

最高容量可达256GB（NAND）、64Gb（DRAM）

佰维eMCP整合高性能主控和NAND Flash晶片，增强了NAND Flash、DRAM与SoC之间的通信能力，提高芯片整体性能，同时最大可提供256GB＋64Gb的容量存储空间，在更好地控制成本的基础上，实现小体积内的更高性能与更大容量。

以佰维eMCP MG系列为例，其采用SiP先进封装技术——FBGA254、超薄Die堆叠封装工艺，将eMMC与LPDDR整合封装后，芯片平面尺寸为11．5mm × 13mm ，厚度薄至0．90mm，减少存储设备及内存组件的占用空间，释放PCB空间40％～60％，使智能手机、掌上游戏机、可穿戴设备、平板电脑等智能设备更为轻薄化。MG系列的顺序读写速度分别高达300MB／s、150MB／s，LPDDR支持频率最高为2133MHz，休眠功耗低至2．8mW。

严苛测试＋多平台验证

高品质助力客户产品竞争力

佰维拥有深圳市3D立体封装技术工程实验室，并设立囊括设计仿真、系统验证、信号分析、可靠性试验等模块的存储器创新实验室，可实时针对eMCP／ePOP开展eMMC测试、DRAM速度测试、功能测试等环节，充分为产品可靠性、一致性及高耐用性等维度保驾护航。

在平台验证方面，佰维与国内外主流SOC平台厂商建立了密切的合作与沟通，主要产品已进入高通、联发科、展锐、瑞芯微等SoC 芯片及系统平台厂商的合格供应商名录，便于终端品牌商或ODM客户对于佰维可靠、质优的存储芯片进行选型。

聚焦智能终端设备的核心诉求

获手机和智能穿戴大厂信赖

客户端支持上，佰维通过自身积累的多晶圆堆叠封装等技术，结合先进的存储器测试生产设备，从而满足公司高标准的质量控制和产品可靠性要求；采用大批量的原材料采购策略，积极采用先进制造技术并自主开发了一系列的大批量、大规模的测试生产设备，为客户提供具有竞争力的价格支持；在导入设计阶段，佰维为客户提供实时的FAE技术支持，通过自有存储器创新实验室进行失效性分析等，保障存储产品匹配客户端应用与量产。目前，佰维eMCP、ePOP产品已大批量进入国内外一线知名品牌的智能穿戴设备供应体系。

值得一提的是，佰维ePOP芯片E100系列屡获业界嘉奖，斩获“2021 年全球电子成就奖年度存储器”、“2021 年度硬核中国芯最佳存储芯片”诸多殊荣。佰维eMCP与eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND等存储芯片，通过通用型和定制化产品的输出，共同构建了公司丰富的嵌入式存储芯片解决方案，持续为智能终端客户提供有竞争力的存储产品。

万物互联时代，智能终端设备往智能化、集成化、节能化等趋势发展。通过创新驱动战略，佰维不断巩固与发挥“研发封测一体化”产业链体系优势，持续提升技术水平，为物联网、智能穿戴、嵌入式应用等领域提供高能效集成存储解决方案。