内幕曝光,3nm参数远未达标而被喻为伪3nm,台积电和三星丢脸大了
台积电和三星的3nm都宣传了许久,三星表示已量产,而台积电则因为缺少客户犹豫着该不该量产,日前业内人士指出更深层次的问题则是它们的3n工艺都未达标,这才是根本原因,3nm似乎失败了。
台积电在研发3nm的时候无疑是偏保守的,它延续了此前的FinFET技术,如此可以确保3nm工艺的良率,毕竟FinFET技术已经用了数代,再加上3nm的研发本来风险就高,因为越是接近1nm极限,工艺研发的难度就越大,因此台积电选择了更稳妥的策略。
然而台积电的如此做法却也导致了3nm工艺的参数表现更差,据悉当时台积电其实已用3nm为苹果试产A16处理器了,但是生产出来的A16处理器表现远不如预期,而良率太低、成本太高,最终苹果还是选择放弃了3nm而改用5nm改良后的N4工艺。
三星则比台积电激进,直接在3nm工艺上引入了GAAFET技术,妄图通过更先进的技术在3nm工艺上一举赶超台积电,然而这却导致三星的3nm工艺难度更大,最终三星的3nm工艺良率低到令人发指的地步,成本则高到几乎失去经济价值。
三星如此激进在于它此前在7nm、5nm工艺上都败给了台积电,试图以3nm一举弯道超车,然而事实证明了三星在技术积累方面确实不如台积电,如此冒险推进,最终导致了它的3nm工艺量产面临的问题更多。
业内人士指出台积电和三星的3nm工艺在晶体管密度方面远未达到预期,它们将之命名为3nm更像是营销概念,因此有人将之称为“伪3nm”,这个其实此前的7nm、5nm工艺都曾引发争议,它们的7nm工艺在晶体管密度方面只是达到了Intel的10nm,但是在名字方面却偏要将之命名为7nm,也认为它们是为了营销。
在先进工艺研发方面失败,其实已经不是第一次,台积电的20nm工艺就曾未达到预期,最终20nm只是用了一代然后就被舍弃了;16nm工艺的表现更差,台积电的16nm工艺被指甚至还不如20nm,导致16nm工艺最终只有华为和另一家企业两个客户,其后台积电改良16nm工艺推出了16nmFinFET工艺才获得业界的认可。
在16nm工艺节点上,也是台积电和三星较量的分水岭,当时三星没有采用16nm的命名,而是称之为14nmFinFET工艺,苹果则将A9处理器同时交给了三星和台积电代工,成为检验它们工艺水平的利器,最终三星以14nmFinFET工艺生产的A9处理器功耗过高,而台积电以16nmFinFET工艺生产的A9处理器功耗更佳,最终奠定了台积电在先进工艺方面领先的美名。
如今在3nm工艺上,台积电和三星又展开了较量,然而从结果来看,这次两家芯片制造企业都没有获益,它们的3nm工艺似乎都已经失败了,台积电已开始推进3nm工艺的改良版N3E,三星方面估计也得加紧改进3nm工艺。
在先进工艺的研发方面,台积电和三星不仅面临技术难题,如今它们还面临着市场的压力,由于3nm工艺的成本过高,此前除了Intel和苹果计划采用之外,并无其他芯片企业愿意采用,如今它们在技术上又未能达标,再加上全球芯片行业陷入衰退更看重成本,它们改良后是否会有芯片企业采用也是问题,可以说它们如今已陷入两难。
原文标题 : 内幕曝光,3nm参数远未达标而被喻为伪3nm,台积电和三星丢脸大了
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