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俄罗斯计划2028年造出7nm光刻机,不使用EUV技术

众所周知,光刻机是当前晶圆厂商们制造芯片不可缺少的产品,而EUV光刻机,则用于7nm及以下的芯片制造,更是核心中的核心。

不过EUV光刻机,只有一家厂商能够制造,那就是荷兰的ASML。所以EUV光刻机,是被监管的,比如中国大陆、俄罗斯等国家,有钱也是买不到的,美国不准卖,美国不允许中国大陆、俄罗斯等国家,能自己制造出7nm及以下的芯片,抢自己的饭碗。

俄罗斯计划2028年造出7nm光刻机,不使用EUV技术

所以在当前情况下,不管是中国,还是俄罗斯等国家,要想生产7nm及以下的芯片,EUV光刻机是必须自己研发并生产了来。

当然,如果有其它技术方案,不用EUV光刻机,也能够制造出7nm及以下的芯片,那当然更好,但显然目前还没有。

俄罗斯计划2028年造出7nm光刻机,不使用EUV技术

之前俄罗斯计划,采用X射线,进行无掩膜式光刻,来绕开EUV光刻机,实现7nm及以下芯片的制造。

这个技术采用的是波长介于0.01nm至10nm之间的X射线,然后直接在晶圆上进行光刻,由于X射线比13.5nm的极紫外线波长更小,从而精度更高,理论上可以搞定7nm,甚至5n、3nm、2nm芯片光刻,但目前并没有实现。

俄罗斯计划2028年造出7nm光刻机,不使用EUV技术

而近日,俄罗斯又提出了另外一种技术方案,来搞定7nm芯片的光刻,并计划在2028年实现。

这项技术采用的是微影光刻技术,计划使用大于600W的光源、曝光波长为 11.3nm(EUV 波长为13.5nm)的光线来进行光刻,

俄罗斯计划是2024年推出首次产品,然后2026年可以量产芯片,到2028年推出终极版,然后可以用于大规模芯片制造。

俄罗斯计划2028年造出7nm光刻机,不使用EUV技术

按照业内人士的说法,如果俄罗斯的这种产品研发成功,是可以取代EUV光刻机的,不过缺点是产能会低于EUV光刻机,毕竟功率会小一些,但也因为功率小,所以工具成本会更低一点。

那么就看2024年俄罗斯能不能率先推出这种设备了,如果能,那么2028年有望成功,如果2024年推不出来,那么更远一点的目标肯定也完不成。

说真的,我们还是蛮希望俄罗斯成功的,虽然感觉上也不太靠谱,毕竟一旦俄罗斯成功了,我们应该可以共享这项技术。

       原文标题 : 俄罗斯计划2028年造出7nm光刻机,不使用EUV技术

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