众所周知，目前在所有的国产半导体设备之中，光刻机应该是最落后的一环了。

从之前机构出具的数据来看，少部分的国产半导体设备已经支撑到了5nm，大部分的设备支撑到28nm左右，只有国产光刻机还处于90nm。

这台国产的光刻机属于干式光刻机，采用193nn光源，以空气为介质。而在干式光刻机之上，还有浸润式光刻机，EUV光刻机这两种更先进的光刻机。

不过，近年来，我们也在很多媒体上，不断的看到国产EUV光刻机有突破，什么长春光电所研发的EUV光刻技术得到了验收，哈工大的光刻机的工作台系统有突破等。很多人都认为，国产EUV光刻机，可能也不远了。

事实上，研发一台EUV光刻机并没这么简单，国内的机构其实已经研究了20多年，目前也仅仅只是摸到门槛而已，离真正的生产还差得很远。

从技术原理来看，光刻机有三大核心，分别是光源系统、物镜系统，工作台。

而国内最早研发EUV光刻机，可以追溯到2002年，当年长春光电所就开始研发EUV光刻机，针对其原理，研发对应的装置。

而除了长春光电所之外，还有中科院、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学等多个研究所和高校，也参与了EUV光刻机研发工作。

这些研究机构，分别研究不同的系统，有研究光源系统的，有研究物镜系统的，有研究工作台系统的，还有研究控制系统、掩膜板的。

但大家都清楚，目前ASML的EUV光刻机，超过10万个零件，全球超过5000家供应商，而这些零部件供应商遍布全球。

中国想要靠一个国家，就研发出这些元件出来，你想一想就知道中间有多么的难了。

更何况有些系统/技术，以国内的技术基础，目前根本没法搞定，比如EUV光源，物镜系统，目前国内的科技水平，是暂时达不到EUV光刻机的要求的。

国内众多的研究机构，虽然研发投入大，时间长，但是不黑不吹，研发出来的技术，更多的属于是极紫外光刻系统的基础建设工作。

而从基础建设工作，到最终生产出EUV光刻机出来，中间还隔了千里万里。ASML的EUV光刻机中，荷兰腔体占20%，英国真空占12%，美国光源占27%，德国光学系统占14%， 日本的材料占27%。EUV光刻机，其实就是荷兰、英国、美光、德国、日本等厂商，甚至说是整个芯片产业链的意志体现。

之前我看到有位博主说，国产EUV光刻机要突破，首先要避免自嗨。我觉得说的太对了，研发EUV光刻机并没有这么容易，20多年了，我们研发的都还只是一些基础性的工作，可以说只是摸到门槛而已，要突破真没这么容易，大家虽然不需要妄自菲薄，但也不能盲目乐观，需要实事求是的精神。