佳能5nm NIL光刻机告诉我们，绕过EUV，或许才是出路
近日，佳能出货5nm的芯片光刻机，震惊了整个网络。
佳能官网发公告称，旗下最先进的新一代纳米压印（NIL）设备FPA-1200NZ2C正式出货。
这种光刻机，可实现最小线宽14nm的图案化，相当于目前5nm逻辑芯片。而一步，佳能要改进技术，有望实现2nm逻辑芯片。
可以说，佳能的这台光刻机一推出，将以往芯片制造的技术路线颠覆了。
以往当芯片进入到5nm时，必须使用EUV光刻机，因为除了EUV之外，其它最先进的DUV光刻机，也只能达到7nm的制程，再提升，就非EUV不可。
而EUV光刻机，目前全球只有ASML能够生产，更关键的是，EUV的核心供应商，全部ASML绑定在了自己的战车上，同时EUV专利，也基本被ASML垄断了。
所以如果其它厂商，想走EUV这条路，其实是千难万难的，不说一定不行，但走不走的通，还真说不准，因为ASML已经将路堵死了，要走就得自己打通一条路。
但现在佳能告诉我们，不一定非得搞定EUV光刻机，EUV那一套，可以被替代，不一定非得用EUV，这就是颠覆式创新了。
要知道在佳能之前，怎么颠覆EUV技术路线，有很多方案，比如佳能走的NIL纳米压印方案，还有俄罗斯走的X射线方案，欧洲厂商走的DSA方案，美国厂商走的BLE电子束方案。
但是谁走的通，谁能成功，谁也说不好，甚至有人认为，这些方案，都走不通，ASML地位稳如泰山。
但如今，佳能走通了，这对于ASML而言，肯定是坏的不能再坏的消息了，毕竟EUV不再是唯一了。
三大光刻技术，厂商们拥有的专利量
同时，这个消息，也给了我们启示，那就是我们接下来的光刻机之路该怎么走呢？死磕EUV，按照ASML的路走，还是换成NIL，或者其它方案呢？或许绕开EUV才是出路。
另外值得一提的，目前在NIL、EUV、DSA、BLE等方向上，中国大陆的厂商表现都不突出，如上图所示是几大技术方案的专利数量，佳能在NIL上处于垄断地位。
而ASML主要集中在EUV上，在NIL上也有一些布局。台积电、蔡司、三星主要集中在EUV上面。
原文标题 : 佳能5nm NIL光刻机告诉我们，绕过EUV，或许才是出路
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