氮化镓GaN

【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破市场存在较大开发空间

但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成

氮化铟镓 2024-02-02

应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓（GaN)MTC-65W1C

LCD（Liquid Crystal Display）显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置，从液晶显示器的结构来看，无论是笔记本电脑还是桌面系统，采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构

氮化镓氮化镓充电头 GaN LCD显示器 2024-01-10

Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能

全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSys

Transphorm Allegro 氮化镓 2023-12-12

Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

Transphorm 封装 FET 氮化镓 2023-11-07

Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔

氮化镓功率半导体 2023-10-19

GaN圈“扫地僧”誉鸿锦：身藏宝藏，初现锋芒

10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆）隆重举行了氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。借此，我们注意到这家一亮相便惊艳四座的GaN赛

誉鸿锦 GaN 2023-10-16

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命

誉鸿锦氮化镓 2023-10-13

Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔－ 2023 年 10 月 12 日－新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm

Transphorm氮化镓器件 2023-10-12

应用在SMPS中的GaN／氮化镓

开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流

GaN 氮化镓开关电源 SMPS 2023-10-10

【深度】硅基氮化镓（GaN-on-Si）应用前景广阔全球布局企业数量众多

使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，应用优势较高硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼

硅基氮化镓 2023-09-26

Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日－新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产

Transphorm 氮化镓器件 2023-08-24

今日“镓禁”后，美国也只能“捡捡垃圾”

7月3日，中国商务部、海关总署发布公告，对镓、锗相关物项实施出口管制。而8月1日，也就是今天，便是该管制措施实施的日期，其中最为重要的镓管制，到底有什么用？为什么说“镓禁”后，美国要沦落到“捡垃圾”。今天OFweek维科网·电子工程便和大家从头聊聊

镓美国半导体 2023-08-01

限制镓、锗出口，明明卡不死美国，为何我们也要卡？

众所周知，自8月1日起，我们将对镓、锗的相关产品进行出口管制，任何国外的企业想要从中国购买到镓、锗的相关产品，都需要许可证。也因为这个禁令的影响，目前国际上镓、锗的价格飙涨，很多国外企业都很慌，特

芯片镓锗稀土 2023-07-17

中国限制镓、锗出口，美国、韩国、日本已慌

众所周知，前几天中国又再次出手，对镓、锗限制出口，任何与镓、锗相关物项未经许可，不得出口。一时之间，引发了镓、锗产品的国际动荡，价格直线上涨，同时美国、韩国、日本等厂商，赶紧申请许可证。当然，也有人表示，其实限制也没太多用，因为镓、锗不只是中国有，美国还是全球第一大锗储备国呢

芯片镓锗稀土 2023-07-09

Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型

该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统加州戈利塔－－（2023年5月31日）－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供应

Transphorm 2023-06-01

意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压（iso－buck）转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69

意法半导体隔离式降压转换器芯片 2023-05-16

Nexperia推出支持低压和高压应用的E－mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e－mode）氮化镓器件的供应商奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压（100／150 V）和高电压（650 V）应用的E－mode（增强型）功率GaN FET

Nexperia 2023-05-10

65W氮化镓（GaN)充电头PD快充方案

2023年数码圈中讨论较多的莫过于65W氮化镓（GAN）充电头。65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率

氮化镓 PD快充 GaN 充电器 2023-04-19

四川美阔推出：65W-1A2C接口氮化镓（GaN)PD快充电源方案

65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率

氮化镓 PD快充 GaN 2023-04-06

英飞凌重金押注GaN，57亿收购GaN Systems

近日，芯片巨头英飞凌宣布以8．3亿美元现金（约合人民币57亿元）收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。对此，英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片

英飞凌第三代半导体 GaN 2023-03-27

GaN出击

自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以Si材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至

GaN 纳微半导体 2023-03-24

氮化镓技术快速发展，Power Integrations推出900V氮化镓器件

近日，深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations宣布，推出针对汽车电子领域的900V氮化镓（GaN）器件。Power Integrations公司介绍道，新IC

Power Integrations 氮化镓汽车电子 2023-03-21

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

该系统级封装（SiP）氮化镓功率管可以为USB－C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品（展位＃853）。加

GaNSiP 2023-03-21

Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出900V氮化镓（GaN）器件，为InnoSwitch3?系列反激式开关IC再添新品

Power Integrations 氮化镓 2023-03-21

适用于65W氮化镓1A2C国产PD快充方案

PD快充方案 65W氮化镓 1A2C快充 2023-03-02

GaN/氮化镓65W（1A2C）PD快充电源方案

　　近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W（1A2C）PD快充充电器方案，该方案采用同系列控制单晶片：QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配

PD快充方案 65W快充 GaN/氮化镓 2023-02-28

65W-1A2C接口氮化镓（GaN)充电头

2023年数码圈中说较多的莫过于两个品类，其中一个就是氮化镓（GAN）充电头。氮化镓＋充电头＋65w究竟会产生怎样的火花呢？单口充电头和多口充电头能解决什么问题呢？不同品牌手机究竟怎样才能选择好适合自

氮化镓氮化镓充电头 GaN 2023-02-23

美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案

　　氮化镓快充的出现，给生活带来的极大的便利；近期；美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品，推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案，为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案

PD快充方案氮化镓 65W1A2C 2023-02-17

Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO－220封装氮化镓功率管

目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源能够以更低的成本获得功率密度优势。加州戈利塔－－2023年1月13日－－（美国商业资讯）－－高可靠性、高性能氮

Transphorm 电源适配器参考设计 2023-01-30

Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据

该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性加州戈利塔—2012年12月15 日－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据

Transphorm 氮化镓功率管 2023-01-30

未来大好也需冷静的氮化镓

近年来，手机充电越来越快，汽车“充电桩”也越来越流行，这样的升级离不开它的助力——第三代半导体。第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、

氮化镓半导体 2022-12-17

Transphorm拓展中国区业务，扩大氮化镓应用实验室

大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力加州戈利塔—2022年12月1 日－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）宣布在中国深圳开设新的办事处

Transphorm 氮化镓半导体电源 2022-12-02

聚能创芯携高性能、低成本GaN器件产品和应用方案成功亮相2022慕尼黑华南电子展！

2022慕尼黑华南电子展览会已于11月15日－17日在深圳国际会展中心成功举办。本届慕尼黑华南电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等

慕尼黑聚能创芯 GaN 2022-11-29

美禄推出高可靠性65W氮化镓充电头方案评测报告

　　在快充技术渐渐成为充电标配以后，市面上的快充充电器芯片也多了起来，渐渐成为充电的主流；随着氮丶际醯某墒欤咂怠⒏咝А⒏吖β拭芏雀浅晌说毕驴斐涑涞缙魇谐〉闹髁鞣⒄狗较颍黄溆判愕募嫒菪钥梢允挂桓龀涞缙魑只缒缘榷嘀稚璞腹┑?

氮化镓 PD快充 65W氮化镓充电头方案 2022-11-25

国产高性价比氮化镓芯片，更快高效率充电速度

　　氮化镓比硅更适合做高频功率器件，可显著减少电力损耗和散热负载，有体积、功率密度方面的明显优势。应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，可以有效降低能源损耗。　　从第一款氮化镓快充电源量产到如

氮化镓氮化镓芯片快充 2022-11-23

应用在65W快充上国产氮化镓芯片优势

　　氮化镓是氮和镓化合物；作为一种全新的半导体材料它具有热导率高、耐高温、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期开发中氮化镓材料被应用于发光二极管、灯具，新能源等等方面。　　氮化镓材料是研制微电子器件

氮化镓 65W快充国产氮化镓芯片 2022-11-14

半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍

三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、

GaN 氮化镓 GaN半导体 2022-11-03