取代NAND闪存,惠普和海力士拟于2013年推出忆阻器
2011-10-11 14:18
来源:
OFweek电子工程网
(OFweek电子工程网配图)
【OFweek电子工程网原创】:惠普实验室高级研究员Stan Williams表示,惠普公司自2008年开始研发的忆阻器非易失性内存技术将于一年半后上市,将抢占闪存芯片市场。
Williams在国际电子论坛上表示:“惠普与海力士半导体公司合作,计划于2013年夏推出闪存的替代芯片,并进军固态硬盘市场。”
惠普发言人补充道,目前还没有确切的忆阻器产品规划,但惠普力争在2013年底推出忆阻器产品。
Williams表示,到2014或2015年,惠普将继续进军DRAM和SRAM市场。他相信忆阻器将很快成为通用性存储介质。
Williams将惠普的阻变存储器技术与闪存技术进行了比较,并称惠普的阻变存储器技术将在各方面达到或超过闪存的性能。
过去三年,惠普已经取得了忆阻器方面500项专利。变相存储器(PCM)、阻变存储器(RRAM)和其它双端存储设备都属于忆阻器产品。Williams还透露很多其它公司也在研究金属氧化物RRAM。三星现在也有一个比惠普更强大的研究团队致力于忆阻器技术研究。
声明:
本网站所刊载信息,不代表OFweek观点。刊用本站稿件,务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像,违者将依法追究法律责任。
图片新闻
最新活动更多
-
3月28日立即报名 >>> 【在线研讨会】替换液压油缸的电动化解决方案
-
3月29日立即报名>> 【线下论坛】2024亚马逊云科技 出海全球化论坛
-
3月31日立即试用>> 【有奖试用】爱德克IDEC-九大王牌安全产品
-
4月2日马上预约>> 智能医疗设备测试的挑战
-
4月26日立即报名 >> 【线上研讨会】TDK模块化电容器、电能质量解决方案
-
4月30日免费下载 >> SPM31智能功率模块助力降低供暖和制冷能耗,打造可持续未来!
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论