取代NAND闪存，惠普和海力士拟于2013年推出忆阻器

2011-10-11 14:18

（OFweek电子工程网配图）

　　【OFweek电子工程网原创】：惠普实验室高级研究员Stan Williams表示，惠普公司自2008年开始研发的忆阻器非易失性内存技术将于一年半后上市，将抢占闪存芯片市场。

　　Williams在国际电子论坛上表示：“惠普与海力士半导体公司合作，计划于2013年夏推出闪存的替代芯片，并进军固态硬盘市场。”

　　惠普发言人补充道，目前还没有确切的忆阻器产品规划，但惠普力争在2013年底推出忆阻器产品。

　　Williams表示，到2014或2015年，惠普将继续进军DRAM和SRAM市场。他相信忆阻器将很快成为通用性存储介质。

　　Williams将惠普的阻变存储器技术与闪存技术进行了比较，并称惠普的阻变存储器技术将在各方面达到或超过闪存的性能。

　　过去三年，惠普已经取得了忆阻器方面500项专利。变相存储器（PCM）、阻变存储器（RRAM）和其它双端存储设备都属于忆阻器产品。Williams还透露很多其它公司也在研究金属氧化物RRAM。三星现在也有一个比惠普更强大的研究团队致力于忆阻器技术研究。

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