苹果、英特尔与IBM共同看好SOI工艺
Soitec董事长兼首席执行官在独家专访中透露,苹果iPhone 6s已经在SOI(绝缘体上硅)的基质甚至是长时间带阻滤波器的SOI上使用多个射频(RF)芯片。与此同时,Intel和IBM正使用SOI工艺推动硅光子发展。
虽然SOI工艺成功之路历经坎坷,但目前已步入向主要市场渗透的正轨。格罗方德高级副总裁兼总经理Rutger Wijburg甚至声称FD-SOI(全耗尽绝缘硅)在四年内的销售量将超过FinFETs。
这并不奇怪,因为Wijburg在SEMICON Europa 2015上就公布了格罗方德(GlobalFoundries)的22nm“22FDX”SOI平台具体细节,他声称这项工艺能提供更低功耗,还具有与28nm工艺相似的成本优势,并且性能可与FinFET技术相媲美。斥资2.5亿美元的12寸晶圆FD-SOI(全耗尽绝缘硅)代工厂在德国萨克森硅谷(Silicon Saxony)落成,经过格罗方德长达20年的投资,现已经成为欧洲最大的半导体代工厂。
法国Soitec董事长兼首席执行官Paul Boudre表示,我们没必要等到四年后再来判断这场赌注的输赢,因为很显然苹果和Intel两家公司已经在使用SOI工艺,只是尚未公开罢了。
Soitec董事长兼首席执行官Paul Boudre(上图)声称Intel和其它OEM为苹果供应的全耗尽绝缘体(FD-SOI)射频(RF)晶体管证明,SOI工艺和Soitec的尖端基板增长曲线注定要从此开始成倍增长。(图片来源:R. Colin Johnson/EE Times)
Boudre在《电子时报》独家专访中解释:“Intel将继续使用FinFET,因为其具有更高的性能,相比FD-SOI工艺,FinFET功耗也更高。不过,我们正在为英特尔那些不需要高性能的应用提供SOI晶圆,譬如他们的硅光子,我们的晶圆就非常有用。”
同样,Boudre声称苹果已经在其前端几个射频芯片使用绝缘硅(SOI),这样能节省20倍的功耗。iPhone仍然在其功率放大器中使用砷化镓(GaAs),因为高功率的设备能实现更好的连接。但是对于其他要确保始终在运行的射频前端芯片(事实上是所有的芯片),Boudre表示FD-SOI的低功耗正在促使智能手机制造商将目光转向Soitec公司。
尽管SOI晶片成本是体硅的三倍,但是每个管芯的成本较低,因为包括更少氧化层等简化加工步骤。(图片来源: Global Foundries)
“举例来说,全球定位系统(GPS)芯片通常在0.8伏特电压中运行,消耗超过20毫安的电流,因此大部分时间只能处于关闭状态。但是如果采用SOI晶片,它们能在0.4伏特电压中运行,消耗不到1毫安的电流,这样能够允许移动设备长时间运行,因而能确保更准确的位置定位和新型的位置应用程序。”Boudre说道。
相比FinFETs工艺,FD-SOI(全耗尽绝缘体)晶体可节省20%的管芯成本和50%的氧化埋层成本。(图片来源: Global Foundries)
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