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三星2023年造3nm，2025年量产GAA的2nm芯片
2022-06-21 09:56
来源：
OFweek电子工程网
据韩媒报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA（Gate－all－around）工艺来追赶世界第一大代工公司台积电。
继2022年上半年将GAA技术应用于其3纳米工艺后，三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片，并在2025年大规模生产基于GAA的2纳米芯片。台积电的战略是在2022年下半年使用稳定的FinFET工艺进入3纳米半导体市场，而三星电子则押注于GAA技术。
三星电子正押注于将GAA技术应用于3纳米工艺，以追赶台积电。据报道，这家韩国半导体巨头在6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了15％和30％，同时与5纳米工艺相比，芯片面积减少了35％。
业内人士称，如果三星在基于GAA的3纳米工艺中保证了稳定的产量，它就能成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从2纳米芯片开始引入GAA工艺，并在2026年左右发布第一个产品。对于三星电子来说，未来三年将是一个关键时期。
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