三星3nm芯片，下周就量产，能不能PK台积电，在此一举了
众所周知，虽然目前三星、台积电的工艺进入了4nm，但比较下来，三星的水平还是差一些的，最直观的就是5nm工艺时，双方的晶体管密度相差35％左右。
另外从三星、台积电分别代工的高通骁龙8、骁龙8＋就可以看出来，台积电代工的明显性能更强，同时功耗更低。
搞得nvidia都表示，下一代40系列显卡，不与三星合作，要与台积电合作，基于台积电的N4工艺了。
这对于三星而言，确实是压力山大。所以三星有了一个非常激进的计划，那就是在3nm时，一定要领先台积电，实现反超。
更重要的是，3nm时，三星要采用更先进的GAAFET晶体管技术，抛弃之前的FinFET晶体管技术。
而GAAFET晶体管技术确实比FinFET更先进，相比于之前的FinFET技术，GAAFET工艺下，加到晶体管上的电压（阈值电压）变小，这样可以让晶体管的漏电功率也变小（芯片的功耗有50％＋为漏电功耗），一旦漏电功耗小了，整体功耗就变小后，这样芯片的发热会变得更小，芯片的效率更高，性能更棒。
而为了能够领先台积电，三星表示要在2022年二季度实现量产，目前离2季度结束已经只有一周了，也就是说，最晚下周三星就会正式量产3nm。
虽然三星没有表示GAAFET工艺下的3nm，与现在的4nm相比，有多少的提升，但与之前的7nm，还是比较了一番的。
根据之前的数据，三星称与7nm 工艺相比，芯片面积减少35％，性能提高 30％ 的性能，功能降低 50％。
由于之前三星已经陷入了良率困境，据称4nm只有35％，低到高通、nvidia都受不了，三星内部都在彻查用于提升良率的资金到哪里去了。
所以3nm工艺，对三星而言相当重要，当年三星在14nm的FinFET晶体管技术上，实现了对台积电的反超，所以拿到了苹果的订单。
只不过后来三星没有稳住，让台积电又追上甚至超过了，这次三星也想像14nm一样，实现反超，从而翻身，就看这一把GAAFET工艺能不能hold住了。
原文标题 : 三星3nm芯片，下周就量产，能不能PK台积电，在此一举了
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