不黑不吹,研发出EUV光刻机,我们也无法顺利制造7nm芯片
目前网络有一种声音,那就是我们必须自研出EUV光刻机,只要自研出EUV光刻机,ASML和美国就卡不住我们的脖子了,芯片就再也不用愁了。
但真的自研出EUV光刻机,我们就能够制造出7nm芯片了么?在我看来,仅靠EUV光刻机,是远远不够的,还差得远呢。
芯片制造是一个非常复杂的流程,涉及到几十种设备,上百道工序,主要可以分为单晶硅片制造、前道工序、后道工序这三部分。
单晶硅片涉及到各种半导体材料,目前国内整体半导体材料的自给率不足20%,特别是14nm以下的半导体材料自给率就更低,高度依赖国外进口。
而前道工序更是重点,有至少8个工序,分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试。
而这里也要用到各种设备,众多的材料,光刻机只是其中的一种设备,这些设备大多和光刻机一样,是有精度要求的,分别要求达到7nm。
还有一些材料,也需要达到7nm,比如光刻胶,7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻胶,但我们自给率为0。
后道工序,这里主要涉及到的是封测,相对要求会低一些,但也是有工艺精度要求的。
综合起来看,要想芯片制造水平达到7nm,需要EDA支持7nm,半导体材料也是支持7nm,半导体设备也支持7nm……
而EUV光刻机只是其中的一种设备,就算我们突破了,美国或其它国家一样能够在其它设备、材料上卡住我们,因为目前国产的半导体材料、半导体设备,很多在28nm甚至更成熟的工艺,达到7nm的少之又少。
目前仅是EUV光刻机卡得最为明显,卡得最为关键,最为大家所知而已,并不意味着其它设备或材料不卡了,一旦EUV光刻机我们有了,美国在其它设备或材料上就会卡住我们的。
要想真正不受限的制造出7nm芯片,我们需要的是整个产业链崛起,达到7nm才行的,所以现在真不必急着进入7nm,并且也进入不了。
按照机构的数据,2022年28nm及以下的芯片占全球所有芯片的比例还高达75%+,所以我们现在的重点不是先进工艺,而是全产业的国产化率,同时提升产能,先满足国内成熟工艺的需求,先解决了这些问题,再向先进工艺前进,这样才走得稳健。
原文标题 : 不黑不吹,研发出EUV光刻机,我们也无法顺利制造7nm芯片
图片新闻
技术文库
最新活动更多
-
即日-12.26立即报名>>> 【在线会议】村田用于AR/VR设计开发解决方案
-
1月8日火热报名中>> Allegro助力汽车电气化和底盘解决方案优化在线研讨会
-
1月9日立即预约>>> 【直播】ADI电能计量方案:新一代直流表、EV充电器和S级电能表
-
即日-1.14火热报名中>> OFweek2025中国智造CIO在线峰会
-
即日-1.16立即报名>>> 【在线会议】ImSym 开启全流程成像仿真时代
-
即日-1.20限时下载>>> 爱德克(IDEC)设备及工业现场安全解决方案
推荐专题
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论