国产90nm光刻机，到底能生产多少纳米的芯片？最高55nm
众所周知，在芯片的制造过程中，光刻机是价值最高的半导体设备，同时光刻工艺是耗时最多，工序最复杂的工艺。
所以在全球半导体设备市场规模中，光刻机也是市场最大的设备之一，约占所有半导体设备的20%左右，是唯二超过20%比例的设备。
目前全球有四大光刻机厂商，分别是荷兰的ASML、日本的尼康、佳能，还有中国的上海微电子。
ASML最先进的光刻机是EUV光刻机，全球仅它一家能够生产。尼康最先进的光刻机是浸润式光刻机，也就是ArFi光刻机，采用的是193nm的深紫外线光源，但经过水这一层介质后，等效于134nm光源。
而佳能无法生产ArFi光刻机，还只能生产ArF Dry光刻机，光源也是193nm的深紫外线，但介质是空气，不是水，所以称之为ArF Dry(干式光刻机)，对的采用水的ArFi的则是浸润式光刻机。
而上海微电子也无法生产ArFi光刻机，还只能生产ArF Dry光刻机，在上海微电子的官网上显示，目前最先进的光刻机是SSA600/20，分辨率是90nm。
很多人表示，分辨率是90nm的光刻机，在经过二次曝光后是45nm，再三次曝光后是28nm什么的，反正就是国产光刻机至少能够到达28nm工艺。
当然，也有人反驳，表示不可能。那么国产的光刻机，最多能够支撑多少纳米的芯片工艺？其实非常简单，看ArF Dry的极限工艺就明白了。
上图就是目前所有制程对应的光刻机，可以看到ArF Dry可以实现从130nm-55nm工艺的光刻；而浸润式光刻机（ArFi）可以实现45nm-7nm的光刻；5nm及以下就必须用到EUV光刻机了。
所以我们取最高工艺的那一项，也就是说ArF Dry最多也就是实现55nm，是无法实现45nm及以下的，一旦进入45nm，就必须有浸润式光刻机才行，而目前我们还没有掌握浸润式的技术（暗中有没有，这个不清楚，反正公开信息没有）
目前还没有任何一家厂商的ArF Dry光刻机，能够实现45nm及以下工艺的光刻。可见，对于当前国内半导体产业而言，最拖后腿的应该就是光刻机了，你觉得呢？
原文标题 : 国产90nm光刻机，到底能生产多少纳米的芯片？最高55nm
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