说一个事实：就算我们买到EUV光刻机，也制造不了7nm芯片
众所周知，紧随美国、日本之后，荷兰也出台了关于半导体设备/技术的禁令。
分析荷兰的这个禁令，可以看出来，与美国之前的步调基本一致的，那就是对14nm及以下工艺的设备，全部堵住。
不过在浸润式光刻机上，还留了一道口子，没有全部禁止，其中NXT:1800Di这台浸润式光刻机，不属于管制范围，还是可以出口的。
而根据媒体的说法，这台NXT:1800Di光刻机，采用的是193nm波长，38nm分辨率、1.35NA数值孔径，在多次曝光之下，可以实现最高7nm的工艺，之前台积电的第一代7nm工艺，就是基于这台光刻机实现的。
于是很多网友表示，这样看来，我们还是有希望马上进入到7nm工艺的，没有全部堵死，这可能也是荷兰特意留给我们的一个机会了。
不过，网友的想法是美好的，但现实却是很骨感的，对于当前的中国芯片产业而言，要进入7nm工艺，并不太现实，别说使用这台NXT:1800Di光刻机了，就算买到EUV光刻机，都制造不了7nm芯片。
采用NXT:1800Di光刻机需要多次曝光，目前多次曝光技术有三种，分别是LELE、LFLE、SADP，但不管哪一种，都对刻蚀、 沉积等工艺有非常高的技术要求，同时成本也要高2-3倍，明显对我们并不适用。
更重要的是，芯片制造，并不仅仅看光刻机的精度，还需要其它设备、材料都达到先进的工艺。因为芯片从硅晶圆到成品芯片，中间需要几十种设备，几百道工序。
最简单的来讲，像扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化等这些设备，全部要达到7nm工艺才行，还有光刻胶、靶材等，也都要支持7nm工艺。
这些设备、材料等，我们国产的大多还是在28nm、14nm甚至40nm，要实现7nm工艺，绝大部分都需要进口，但是目前先进工艺的设备/技术的进口，基本上都是被卡住的。
国产半导体设备情况
所以，不黑也不吹，靠进口的这一台NXT:1800Di光刻机，短时间之内是实现不了7nm的，甚至就算ASML放开购买，就算我们买到了EUV光刻机，不需要采用多重曝光技术来制造7nm芯片，也一样生产不了7nm的芯片，因为其它设备、材料同样的是被卡住的。
说实话，国产芯片要突破，我们不能将希望寄托在荷兰放开限制，让我们买EUV光刻机身上，而是要放在国产供应链的突破身上。
只有国产供应链全面突破，从光刻机到各种半导体设备、各种半导体材料，全部实现了7nm工艺，才是真正的无后顾之忧，否则都是假象，别人一卡就死，你觉得呢？
原文标题 : 说一个事实：就算我们买到EUV光刻机，也制造不了7nm芯片
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