绕过美国禁令,ASML或阉割浸润式光刻机精度,特供中国?
众所周知,以前美国是不准EUV光刻机卖到中国来,其它的光刻机不受限。
后来在去年10月份,将光刻机禁令升级了,规定光刻机如果采用193nm波长的光源,且分辨率小于45nm时,其光刻机套刻精度的DCO值小于1.5nm时, 不准出口。
按照这个规定,ASML的浸润式光刻机中,还有NXT:1980Di可以出口,因为它的DCO值是1.6nm。
而在8月份,华为Mate60 手机横空出世,搭载了麒麟9000S芯片,这颗芯片采用的是等效于7nm的工艺,很多人认为,这是浸润式光刻机经过多重曝光生产出来的。
于是在今年10月17日,美国升级光刻机禁令,规定193nm波长的光源,分辨率小于45nm时,其DCO值小于2.4nm,就不能出口,相当于将唯一的一台浸润式光刻机,也堵住了。
这对于ASML而言,肯定是大事,毕竟中国大陆的市场,是ASML无法放弃的市场。2022年,中国从ASML买了大约100台光刻机,价值高达200多亿。
而2023年前三个季度,ASML就向中国卖了53亿欧元的光刻机,价值400多亿,是去年全年的2倍多,第三季度的时候,中国大陆贡献了ASML营收的46%。
这样的市场,ASML怎么舍得?再说了,ASML担心一旦它的光刻机不卖到中国市场,中国会自己研发出来,那么就没ASML什么事了。
所以近日有消息称,ASML看到NVIDIA刀法如神,每次都能按照美国的禁令,进行精准阉割,推出不违反禁令,又能卖到中国大陆市场的GPU芯片之后,有了谁启发,决定对其光刻机也进行阉割。
按照禁令,浸润式光刻机,采用193nm波长的光源,分辨率小于45nm,但只要DCO值大于2.4nm即可销量,小于2.4nm就不能销售。
所以ASML计划将现有的浸润式光刻机进行调整,光源不变,分辨率不变依然保持38nm,但DCO值调整,让其变成2.4nm以上,这样就可以出口了。
而DCO值调整之后,对芯片制造的分辨率有一定的影响,比如生产先进芯片时,有可能会影响到良率,效率等,但至少已经不受限制了。
浸润式光刻机,与非浸润式光刻机相比,就算DCO值变成2.4nm+了,工艺也会先进很多,目前中国大陆无法生产出浸润式光刻机,上海微电子的工艺还在90nm,这样阉割的浸润式光刻机,依然大有市场。
当然,以上只是传闻,会不会如此,还不清楚,但参照Nvidia迅速推出中国特供版本GPU芯片来看,ASML这么干,也非常有可能,你觉得呢?
这样的光刻机,我们买不买?不黑不吹,在自己没有浸润式光刻机之前,只能买,毕竟它还是比普通干式光刻机强很多的,所以关键还是国产光刻机突破。
原文标题 : 绕过美国禁令,ASML或阉割浸润式光刻机精度,特供中国?
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