光刻机不突破，我们设计出1nm芯片，有100%自研架构，也没用
众所周知，怕龙芯崛起，打破美国的CPU霸权，抢了intel、AMD的饭碗，美国又出手，将龙芯也接入了“实体清单”，限制美国技术、设备为龙芯提供服务。
很多人表示，龙芯的指令集是自研的LoongArch，所以不怕打压，同时龙芯最新的芯片，是中芯代工的，所以也不怕。
但其实龙芯也一样怕打压，一是EDA，龙芯设计也大量使用了美国的EDA软件，一旦受限，也是挺麻烦的，要切换成国产的EDA或者没有美国技术的EDA，并不容易。
二是制造，毕竟龙芯只是Fabless企业，只设计，不制造的，制造要找代工厂。而中芯的14nm工艺，也是大量使用了美国的设备、技术，没有许可证，也是不能帮龙芯制造芯片的。可能很多人不服，表示设备买回来，就不归美国管了，那你就太天真了，华为麒麟芯片的例子就在眼前，不用杠。
可以说，所谓的制裁，最终还是又回到了芯片制造这一块，而真正卡住国内芯片制造的是什么？又是光刻机，可以说，光刻机才是一切制裁的核心。
如果我们的光刻机不突破，就算我们能够设计出1nm的芯片，甚至设计出0．1nm的芯片，也没有用，至于100％自研的指令集研究出再多，也没有用，一样会被卡住的。
因为最终所有芯片，都需要制造，而制造就需要光刻机，7nm及以下的芯片，就需要EUV光刻机，这是绕不开的。
目前国产光刻机的水平如何？上海微电子当前的光刻机精度是90nm，虽然很多不负责任的媒体表示，多次曝光后，可以达到22nm，但这只是猜测，事实上干式光刻机的精小精度只能达到45nm，只有进入浸润式光刻机，才能达到45nm以下，最终实现最小7nm工芯。
所以我们的芯片，只要是涉及45nm工艺以下的芯片，都必须依赖ASML或日本的光刻机，而ASML、日本都听美国的，这也是美国能够卡住我脖子的原因。
可见，如果我们的光刻机不突破，哪怕自研出更多的指令集，设计水平再高，哪怕达到1nm，0．1nm，一样会被卡住脖子的。
国产光刻机加油吧，只要光刻机突破了，那么美国的制裁就将毫无意义，因为我们没有脖子让美国卡了，否则其它方面再突破，也一样是空中楼阁，还是被卡。
原文标题 : 光刻机不突破，我们设计出1nm芯片，有100%自研架构，也没用
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