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Kirin9000S大突破?美国禁售ArFi光刻机,堵住7nm芯片漏洞

近日,美国再次升级了芯片禁令,在去年那份“史上最严”的禁令上,再次升级,重新制造了很多的细则。

其中针对AI芯片,一些消费级的GPU显卡,以及nvidia去年根据禁令,针对中国大陆市场,特意进行阉割,并符合去年禁令要求的H800、A800都被禁了。

另外,针对半导体设备,重新又提了要求,特别是光刻机方面,针对波长193nm、分辨率小于45nm的DUV设备,只要套刻精度的DCO值,小于等于2.4nm即不能销售,需要许可证。

目前ASML在售的所有浸润式光刻机,包括最老的那一款NXT:1980Di,其波长是193nm,分辨率是38nm,然后DCO值是1.6,所以去年的禁令能够销售,今年的禁令下,无法销售了。

美国为何会特意针对这款光刻机?其实并不是特意针对它,针的是所有浸润式光刻机,因为目前全球在售的所有浸润式光刻机,其DCO值都是小于2.4的,那么就全部不能销售。

为何要针对浸润式光刻机呢?原因很简单,那就是堵住之前的7nm芯片漏洞。

浸润式光刻机,虽然采用193nm的深紫外线,但通过水的折射之后,等效于134nm,经过多重曝光技术,最多可以生产出7nm的芯片。

前段时间,让大家沸腾的那颗9000S,其实就是采用浸润式光刻机,进行多重曝光的产物。

去年美国就想将中国芯片制造水平,锁定在14nm工艺,所以出台了那么严格的禁令,不曾想在光刻机这里,还有一个漏洞,让ASML的NXT:1980Di这样的光刻机,能够销售。

而这台光刻机,通过多重曝光技术,确实可以生产出7nm芯片,台积电第一代N7工艺,就是基于这台光刻机的。

而前段时间的9000S,虽然不知道是谁代工的,也不知道究竟是什么工艺。但对美国而言,这样的情况是不愿意看到的,所以不管是谁代工的,直接将这条路堵了再说。

在美国看来,管你谁代工的,只要将这个漏洞堵住了,浸润式光刻机买不到,那么7nm芯片就生产不出来了,那就行了。

接下来怎么办?短时间之内肯定没什么影响,毕竟目前国内还拥有很多的浸润式光刻机,还能继续用,但接下来可能买不到了,未来影响还是很大的,我们只有自己突破才行。

       原文标题 : Kirin9000S大突破?美国禁售ArFi光刻机,堵住7nm芯片漏洞

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