ASML浸润式光刻机,分辨率38nm,我们为何能制造7nm芯片?
从ASML的官网可以看到,目前ASML在售的最高端的DUV光刻机,也就是浸润式光刻机一共有4种,分别是NXT:2100i、2050i、2000i、1980Di。
这4种光刻机,其分辨率均是38nm的,但实际最高都能制造7nm的芯片的,所以很多网友非常不明白,38nm的精度,如何做出7nm的芯片?
首先大家要明白一个道理,那就是现在的7nm芯片,并不是指晶体管是7nm,或者栅极长度是7nm,或者金属半间距是7nm。
7nm其实是一种等效说法,台积电的7nm,其MP(金属距离)=36nm,GP(栅极距离)=56nm。如果其它芯片厂商,只要其MP=36nm左右,一样可以认为是7nm的。
这个大家就理解了吧,7nm芯片的精度,其实并不需要真正达到7nm,实际达到36nm就够了,这是前提条件之一。
第二,还有种技术叫做多重曝光技术,目前多重曝光技术已经发展成了4成,分别是LELE,LFLE,以及SADP、SAQP。
LELE、LFLE原理差不多,将原来一层光刻图形被拆分到两个或多个掩膜上,然后就实现了图像密度的叠加。
而SADP、SAQP原理也差不多,其中SADP叫双重图形化工艺,而SAQP则是四重曝光技术,这4种技术,都是intel折腾出来的。
结合7nm芯片的特点,再加上多重曝光技术,所以明明最小分辨率为38nm的浸润式光刻机,也能制造7nm的芯片。
不过大家要注意的是,多一次曝光,成本就差不多要翻倍,再考虑良率等,采用多重曝光后的芯片成本,会高很多。
所以如果晶圆厂有办法,能够买到更高分辨率的光刻机,一般都不会采用多重曝光技术,因为成本高,良率低,划不来,只有买不到更高分辨率的光刻机,才不得不使用多重曝光技术。
所以像台积电、三星等,在7nm工艺时,就直接导入EUV光刻机了,这样效率高,良率也高,那么成本就会低很多,而既然有EUV光刻机使用,又何必使用浸润式光刻机,采用多重曝光呢?是不是傻?
原文标题 : ASML浸润式光刻机,分辨率38nm,我们为何能制造7nm芯片?
图片新闻
最新活动更多
-
4月30日免费下载 >> SPM31智能功率模块助力降低供暖和制冷能耗,打造可持续未来!
-
4月30日限时免费下载>> 高动态范围(eHDR)成像设计指南
-
5月10日立即下载>> 【是德科技】精选《汽车 SerDes 发射机测试》白皮书
-
5月16日火热报名>>> OFweek锂电/半导体行业数字化转型在线研讨会
-
5月22日立即报名>>> OFweek 2024新周期显示技术趋势研讨会
-
5月28日立即观看>> 【在线研讨会】Ansys镜头点胶可靠性技术及方案
- 1 华为P70系列即将强势来袭,能否再次复制华为Mate60系列的辉煌?
- 2 拆机实锤!华为Pura70使用新芯片,推测为7nm,性能如何?
- 3 形势严峻!暴增256%,中国还在疯狂进口ASML光刻机
- 4 过去14个月,山东从荷兰进口了12台光刻机
- 5 华为麒麟9010、苹果A17、高通8Gen3对比,差距有多大?
- 6 华为Pura70又打脸了?美国商务部长:华为芯片没那么先进
- 7 台湾遇25年来强地震,台积电停工,全球芯片产业遇危机?
- 8 2024国产CPU厂商 TOP20
- 9 华为Pura70证明:我们7nm已没问题,接下来是5nm、3nm
- 10 美国芯片禁令再升级:杜绝一切高端AI芯片,先进设备卖到中国
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论