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ASML浸润式光刻机，分辨率38nm，我们为何能制造7nm芯片？
从ASML的官网可以看到，目前ASML在售的最高端的DUV光刻机，也就是浸润式光刻机一共有4种，分别是NXT:2100i、2050i、2000i、1980Di。
这4种光刻机，其分辨率均是38nm的，但实际最高都能制造7nm的芯片的，所以很多网友非常不明白，38nm的精度，如何做出7nm的芯片？
首先大家要明白一个道理，那就是现在的7nm芯片，并不是指晶体管是7nm，或者栅极长度是7nm，或者金属半间距是7nm。
7nm其实是一种等效说法，台积电的7nm，其MP（金属距离）=36nm，GP（栅极距离）=56nm。如果其它芯片厂商，只要其MP=36nm左右，一样可以认为是7nm的。
这个大家就理解了吧，7nm芯片的精度，其实并不需要真正达到7nm，实际达到36nm就够了，这是前提条件之一。
第二，还有种技术叫做多重曝光技术，目前多重曝光技术已经发展成了4成，分别是LELE，LFLE，以及SADP、SAQP。
LELE、LFLE原理差不多，将原来一层光刻图形被拆分到两个或多个掩膜上，然后就实现了图像密度的叠加。
而SADP、SAQP原理也差不多，其中SADP叫双重图形化工艺，而SAQP则是四重曝光技术，这4种技术，都是intel折腾出来的。
结合7nm芯片的特点，再加上多重曝光技术，所以明明最小分辨率为38nm的浸润式光刻机，也能制造7nm的芯片。
不过大家要注意的是，多一次曝光，成本就差不多要翻倍，再考虑良率等，采用多重曝光后的芯片成本，会高很多。
所以如果晶圆厂有办法，能够买到更高分辨率的光刻机，一般都不会采用多重曝光技术，因为成本高，良率低，划不来，只有买不到更高分辨率的光刻机，才不得不使用多重曝光技术。
所以像台积电、三星等，在7nm工艺时，就直接导入EUV光刻机了，这样效率高，良率也高，那么成本就会低很多，而既然有EUV光刻机使用，又何必使用浸润式光刻机，采用多重曝光呢？是不是傻？
原文标题 : ASML浸润式光刻机，分辨率38nm，我们为何能制造7nm芯片？
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