多年来，芯思想研究院（ChipInsights）对国内 12 英寸、8 英寸、6 英寸晶圆生产线的情况进行了长期深入的跟踪调研。

根据芯思想研究院的统计，截止 2019 年底我国 12 英寸晶圆制造厂装机产能约 90 万片，较 2018 年增长 50％；8 英寸晶圆制造厂装机产能约 100 万片，较 2018 年增长 10％；6 英寸晶圆制造厂装机产能约 230 万片，较 2018 年增长 15％；5 英寸晶圆制造厂装机产能约 80 万片，较 2018 年下降 11％；4 英寸晶圆制造厂装机产能约 260 万片，较 2018 年增长 30％；3 英寸晶圆制造厂装机产能约 40 万片，较 2018 年下降 20％。

为了让大家对我国新的晶圆制造线的最新情况有个了解，本文对 2019 年度有关中国晶圆生产线的最新情况进行盘点，现将调研情况梳理如下。

共计 63 个项目，其中 6 个项目已经停摆，刨除停摆项目外，其他 57 个项目宣布投资总额超过 15000 亿人民币，较 2018 年统计增长 7％。

本文分为两大部分，一是硅基项目，二是化合物项目；每部分包括投产篇、产能爬坡篇、在建篇、规划篇、停摆篇。

投产篇：2019 年度宣布投产的晶圆制造生线

产能爬坡篇：2019 年前投产的生产线，2019 年产能较 2018 年开始提升

在建篇：2019 年度还在建设的晶圆生产线

规划篇：宣布建线计划

停摆篇：2019 年度停止建设的项目

一、硅基项目（53）

投产篇（12）

中芯南方集成电路制造有限公司（12 英寸 14 纳米）

华虹半导体（无锡）有限公司（12 英寸）

武汉新芯集成电路制造有限公司二期（12 英寸）

三星（中国）半导体有限公司二期一阶段

广州粤芯半导体技术有限公司（12 英寸）

重庆万国半导体科技有限公司（12 英寸）

江苏时代芯存半导体有限公司（12 英寸）

SK 海力士半导体（中国）有限公司（12 英寸）

福建省晋华集成电路有限公司（12 英寸）

中芯集成电路制造（绍兴）有限公司（中芯绍兴，8 英寸）

北京燕东微电子科技有限公司（8 英寸）

江苏英锐半导体有限公司（6 英寸）

产能爬坡篇（14）

上海华力集成电路制造有限公司（12 英寸）

长江存储科技有限责任公司（12 英寸）

长鑫存储技术有限公司（12 英寸）

合肥晶合集成电路有限公司（12 英寸）

联芯集成电路制造（厦门）有限公司（12 英寸）

台积电（南京）有限公司（12 英寸）

英特尔半导体（大连）有限公司（12 英寸）

中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司（12 英寸）

中芯国际集成电路制造（天津）有限公司（8 英寸）

中芯集成电路（宁波）有限公司（N1，8 英寸）

杭州士兰集昕微电子有限公司（士兰集昕，8 英寸）

上海新进芯微电子有限公司（8 英寸）

四川广义微电子股份有限公司（6 英寸）

河南芯睿电子科技有限公司（芯睿电子 6 英寸）

在建篇（15）

厦门士兰集科微电子有限公司（12 英寸）

武汉弘芯半导体制造有限公司（弘芯半导体，12 英寸）

三星（中国）半导体有限公司二期二阶段（12 英寸）

成都紫光国芯存储科技有限公司（12 英寸）

芯恩（青岛）集成电路有限公司（芯恩，12 英寸）

泉芯集成电路制造（济南）有限公司（泉芯集成，12 英寸）

芯恩（青岛）集成电路有限公司（芯恩，8 英寸）

赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司（赛莱克斯，8 英寸）

上海积塔半导体有限公司（积塔半导体，8 英寸）

中芯集成电路（宁波）有限公司二期（中芯宁波二期，8 英寸）

杭州士兰集昕微电子有限公司（士兰集昕二期，8 英寸）

海辰半导体（无锡）有限公司（无锡海辰，8 英寸）

济南富能半导体有限公司（富能半导体，8 英寸）

吉林华微电子股份有限公司（华微电子，8 英寸）

山东兴华半导体有限责任公司（6 英寸）

规划篇（7）

华润微电子（重庆）有限公司（华润重庆，12 英寸）

华润微电子无锡项目（华润微电子，8 英寸）

上海积塔半导体有限公司（积塔半导体，12 英寸）

紫光 DRAM 项目（紫光 DRAM，12 英寸）

青岛城芯半导体科技有限公司（城芯半导体，12 英寸）

四川中科晶芯集成电路制造有限责任公司（中科晶芯，8 英寸）

赣州名芯半导体项目（赣州名芯，8 英寸）

停摆篇（5）

南京紫光存储科技控股有限公司（12 英寸）

格芯（成都）集成电路制造有限公司（格芯成都，12 英寸）

德淮半导体有限公司（12 英寸）

德科码（南京）半导体科技有限公司（德科码南京，8 英寸）

江苏中璟航天半导体实业发展有限公司（中璟航天，8 英寸）

二、化合物项目（10）

投产篇（1）

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（6 英寸）

产能爬坡篇（4）

英诺赛科（珠海）科技有限公司（8 英寸）

株洲中车时代电气股份有限公司（6 英寸碳化硅）

苏州能讯高能半导体有限公司（氮化镓）

江苏能华微电子科技发展有限公司（氮化镓）

在建篇（3）

英诺赛科（苏州）半导体有限公司（8 英寸）

北京世纪金光半导体有限公司（6 英寸碳化硅）

济南富能半导体有限公司（6 英寸）

规划篇（1）

上海积塔半导体有限公司（积塔半导体，6 英寸）

停摆篇（1）

北京双仪微电子科技有限公司（6 英寸砷化镓）

一、硅基项目

投产篇

中芯南方集成电路制造有限公司

（中芯南方，12 英寸 14 纳米）

2019 年中芯南方集成电路制造有限公司 12 英寸 14 纳米生产线正式投产，标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步，顺利完成《推进纲要》的目标。。

2019 年第一季度，中芯南方 FinFET 工厂首台光刻机搬入，开始产能布建。目前已经具备月产能 3500 片规模，最终达到每月产能 35000 片的目标。

中芯南方成立于 2016 年 12 月 1 日，是配合中芯国际 14 纳米及以下先进制程研发和量产计划而建设的具备先进制程产能的 12 英寸晶圆厂。

华虹半导体（无锡）有限公司一期

（华虹无锡，12 英寸）

2020 年 1 月 1 日举行首批功率器件晶圆投片仪式，并和无锡新洁能签约。华虹无锡的 IC＋Power 战略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF 和 Power 等工艺平台陆续推出，可满足无锡绝大多数设计公司。

2019 年 5 月 24 日首台设备搬入，并举行了 HHFAB7 厂授牌仪式。2019 年 6 月 6 日华虹无锡集成电路研发和制造基地 12 英寸生线一期 3 台光刻机台搬入；2019 年 9 月 17 日试投片生产，标志着中国第一条 12 英寸 90 纳米 ／55 纳米工艺的功率器件生产线投产。

2017 年 8 月 2 日，华虹宏力与无锡市政府及国家集成电路产业投资基金（大基金）签订了一份投资协议，三方将在无锡投资建设一座 12 英寸晶圆厂。据介绍，大基金向华虹注资 9．22 亿美元，其中 4 亿美元投给华虹半导体，持股 18．94％；5．22 亿美元投给华虹无锡，持股 29％。

华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约 700 亩，总投资 100 亿美元，一期项目总投资约 25 亿美元，新建一条工艺等级 90－65／55 纳米、月产能约 4 万片的 12 英寸特色工艺集成电路生产线，支持 5G 和物联网等新兴领域的应用。

武汉新芯集成电路制造有限公司二期

（新芯二期，12 英寸）

2019 年二期扩产项目已经顺利投产。

2018 年 8 月 28 日，武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资 17．8 亿美元；2018 年 12 月开始进入设备安装调试。

据悉，二期将紧抓物联网和 5G 运用的市场机遇，建设 NOR Flash（自主代码型）闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，相当于再造一个武汉新芯。

根据规划，武汉新芯的 NOR Flash 闪存能力每个月扩充 8000 片，从月产能 1．2 万片扩至月能 2 万片，微控制器每个月扩充 5000 片，计划用 5 年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。

三星（中国）半导体有限公司二期一阶段

（三星西安 X2－PH1，12 英寸）

2019 年 7 月开始设备安装调试，目前已经开始试运行生产，为量产做准备，2020 年 3 月正式量产。

2018 年 3 月，三星宣布在西安举行了 3D NAND 闪存芯片二期一阶段项目奠基仪式。

三星半导体西安存储芯片基地进行了重新规划，将二期项目分为两个阶段，目前在建的做为二期第一阶段，投资 70 亿美元，规划月产能 6 万片，到 2020 年底，西安 3D NAND 月产能将由目前的 12 万片增至 18 万片，增幅约 50％。

广州粤芯半导体技术有限公司

（广州粤芯，12 英寸）

2019 年 9 月 20 日，粤芯半导体第一阶段的生产线正式投产。

2019 年 3 月 15 日，广州粤芯半导体有限公司举行了 12 英寸生产线设备搬入仪式，首批进入的设备来自全球前五大半导体设备供应商，包括 ASML 的光刻机、AMAT 的晶圆缺陷检测设备、LAM Research 的刻蚀设备、TEL 的涂胶显影设备和 KLA 的检测和量测设备。3 月 19 日，有多台国产设备开始搬入并安装调试；2019 年 6 月 29 日，粤芯半导体宣布，第一阶段的生产线调试已经完成，首批样品已经出货，良率已达到预期目标。

2018 年 3 月开始桩基工程，10 月 11 日举行了 12 英寸集成电路生产线项目主厂房封顶；12 月 7 日洁净室正压送风。

2017 年 12 月举行开工仪式，这是国内第一座以虚拟 IDM （Virtual IDM） 为营运策略的 12 英寸晶圆厂，也是广州第一条 12 英寸晶圆生产线。

粤芯半导体项目投资 70 亿元，新建厂房及配套设施共占地 14 万平方米。建成达产后，粤芯半导体将实现月产 40000 片 12 英寸晶圆的生产能力，采用 130nm 到 180nm 工艺节点生产，产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、人工智能、5G 等创新应用的模拟芯片需求。

重庆万国半导体科技有限公司

（重庆万国，12 英寸）

2019 年上半年，重庆万国完成了 12 英寸生产线设备安装，7 月开始小批量 12 英寸晶圆生产。

2015 年 9 月，两江新区管委会与万国半导体科技有限公司签订“12 英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目投资协议”，2016 年 4 月 22 日成立重庆万国，将主要从事功率半导体器件（含功率 MOSFET、IGBT 等功率集成电路）的产品设计和生产制造。2017 年 2 月动工建设。2018 年 3 月开始搬入设备并装机。

万国半导体科技有限公司是全球技术领先的功率半导体企业，该项目总投资 10 亿美元，将分二期建设。其中，项目一期投资约 5 亿美元，建筑面积 93111 平方米，预计每月生产 2 万片芯片、封装测试 5 亿颗芯片；二期投资约 5 亿美元，预计每月生产 5 万片芯片、封装测试 12．5 亿颗半导体芯片。

江苏时代芯存半导体有限公司

（时代芯存，12 英寸）

2019 年 8 月 26 日，时代全芯发布了基于相变材料的 2 兆位可编程只读相变存储器产品（EEPROM）“溥元 611”，标志着中国首条 PCRAM 后道生产线投产，其前道生产还是选择和华力微合作。

2019 年 4 月，KLA 和日立（Hitachi）的量测机台，以及 Wet Etch、CVD 机台陆续搬入。2018 年 4 月 10 日，生产线核心设备 ASML 1950Hi 光刻机进厂安装，1950Hi 可满足 38 纳米工艺生产。

2018 年 12 月公司入选工信部存储器“一条龙”应用计划“示范企业”，年产 10 万片 12 英寸相变存储器项目入选“示范项目”，是少数几家入选“示范企业”和“示范项目”的公司 ，更是全国唯一一家相变存储器（PCM）入选的公司。

2016 年 9 月 28 日，项目正式破土动工；2017 年 3 月 1 日，年产 10 万片 12 英寸相变存储器项目举行动工仪式；2017 年 11 月 9 日主厂房封顶。

江苏时代芯存半导体有限公司正式致力于开发及生产搭载最新 PCM 技术的存储产品。江苏淮安 PCRAM 生产项目总投资 130 亿元，一期投资 43 亿元。公司宣称拥有相变存储器完整的技术和工艺的知识产权及产业化能力，已制定了未来十年的产品规划。2017 年 6 月 16 日，与 IBM 公司就相变存储知识产权移转淮安签约暨大容量存储产品研发合作启动仪式举行。

SK 海力士半导体（中国）有限公司

（SK 海力士，12 英寸）

2019 年 4 月 18 日 SK 海力士半导体（中国）有限公司举行了无锡工厂扩建（C2F）竣工仪式，不过海力士对于产能爬坡不是太积极。

2018 年 11 月 30 日，首台生产装备开始搬入厂房。

2016 年 11 月二工厂破土动工，2017 年 10 月 29 日，SK 海力士与无锡市政府就海力士新上二工厂项目签约，总投资高达 86 亿美元。扩建完成之后，到满产时，无锡基地将形成月产能 20 万片 10 纳米制程等级的晶圆生产基地。

SK 海力士半导体（中国）有限公司是由韩国 SK 海力士株式会社于 2005 年 4 月投资设立的半导体制造工厂，主要生产 12 英寸半导体集成电路芯片。

SK 海力士半导体（中国）有限公司在锡进行了多次增资及技术升级，累计投资额约 200 亿美元。

福建省晋华集成电路有限公司

（晋华集成，12 英寸）

2019 年以来，笔者在多个场合见到晋华集成副总，虽然并未透露任何有关晋华的信息，但其代表晋华公开现身，应该表明“晋华仍在运转当中”。

2018 年 10 月 30 日，美国商务部以国家安全为由，宣布自 10 月 30 日起对晋华集成实施出口管制，被美国列入出口管制“实体清单”的中国企业。限制对其出口，原因是该公司新增的存储芯片生产能力将威胁到为军方提供此类芯片的美国供应商的生存能力。目前项目陷入危机中。

2016 年 2 月 26 日，晋华集成在福建省晋江市成立；2016 年 4 月，台湾经济部投审会通过联电和晋华集成合作共同开发 32 纳米 DRAM 制程；由联电在南科研发，再移转到晋华集成生产；2016 年 5 月，晋华集成与联电签署技术合作协议，开发 DRAM 相关制程技术。由晋华支付技术报酬金，开发出的 DRAM 技术成果，将由双方共同拥有；2016 年 6 月 9 日晋华集成首座 12 英寸晶圆厂项目立项备案；2016 年 7 月，晋华集成首座 12 英寸晶圆厂举行施工典礼；2016 年 10 月 18 日，晋华集成首座 12 英寸晶圆厂正式开工建设；2017 年 11 月，晋华集成首座 12 英寸晶圆厂厂房封顶；2018 年 7 月晋华集成首座 12 英寸晶圆厂工艺设备进场安装，计划年底进行小规模投片试产。

晋华集成是由福建省电子信息集团、及泉州、晋江两级政府共同出资设立，被纳入我国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作，专注于 DRAM 产品领域。预估 2018 年 9 月正式投产，到 2019 年底一厂一期项目可实现月产 6 万片 12 英寸晶圆的产能，到 2020 年底一厂二期也将达产 6 万片。并适时启动二厂的建设，到二厂达产时，总产能将达 24 万片。

中芯集成电路制造（绍兴）有限公司

（中芯绍兴，8 英寸）

2109 年 11 月 16 日，中芯集成电路制造（绍兴）有限公司宣布 8 英寸生产线通线投片，2020 年 3 月正式量产。

2019 年 6 月 19 日，主体工程结顶；9 月搬入工艺设备，10 月完成了 151 台套设备的安装调试。

2018 年 5 月 18 日，中芯绍兴 8 英寸厂房项目举行奠基仪式，标志着中芯国际微机电和功率器件产业化项目正式落地绍兴。

2018 年 3 月 1 日，中芯绍兴项目举行签约仪式，项目首期投资 58．8 亿元人民币。

北京燕东微电子科技有限公司

（北京燕东，8 英寸）

2019 年 12 月燕东微电子 8 英寸生产线投片，经过多次工艺试验后，目前良率已经达到预期。

2019 年 6 月 25 日，燕东微电子 8 英寸生产线首批设备正式搬入。首台搬入的设备是北方华创的刻蚀机。

2018 年 12 月 31 日，燕东微电子 8 英寸 Mini－line 试验线第一片晶圆正式下线，实现了 Trench MOSFET 30V 产品全流程贯通，器件功能良好，电性能测试单片良率超 80％。这是燕东微电子在 8 英寸晶圆制造的里程碑。

2018 年 4 月 15 日，燕东微电子 8 英寸集成电路项目举行上梁仪式，6 月 29 日主厂房封顶。

江苏英锐半导体有限公司

（江苏英锐，6 英寸）

江苏英锐半导体有限公司 6 英寸厂于 2019 年第四季度试生产运营。

江苏英锐半导体有限公司是由深圳英锐集团子公司盈信通科技（香港）有限公司投资建设，于 2018 年 3 月正式启动，项目总投资 1．5 亿美元。项目达产后，可年产芯片 60 万片，主要生产功率分立器件。

从日本、美国引进生产所需光刻机、离子注入机、刻蚀机、PECVD、溅射台等共计 415 台（套）。

产能爬坡篇

上海华力集成电路制造有限公司

（华力二期，12 英寸）

自投产以来，上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）的产能迅速爬坡，2019 年第二季度达月产 10000 片，到第四季度达月产 20000 片。

2018 年 10 月 18 日，上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）生产线正式投片，首批 12 英寸硅片进入机台，开始 28 纳米工艺芯片制造。

2016 年 12 月 30 日上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HHFAB6）12 英寸先进生产线开工建设；2017 年 5 月 20 日桩基工程完工，开始主厂房钢结构屋架吊装，11 月 2 日厂房主体结构完成；2018 年 5 月 21 日实现首台工艺设备光刻机搬入。

上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）12 英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目，总投资 387 亿元人民币，建成月产能 4 万片的 12 英寸集成电路芯片生产线，工艺覆盖 28－14 纳米技术节点。项目计划于 2022 年底达产。

长江存储科技有限责任公司

（长江存储，12 英寸）

2019 年长江存储 32 层 3D NAND 闪存芯片实现全速量产；9 月 64 层 3D NAND 闪存芯片已经开始生产。目前月产能约 2 万片，2020 年将爬坡至 5 万片。

2018 年第四季度，长江存储一期工程正式投产，32 层 3D NAND 闪存芯片成功实现小规模量产。

2016 年 7 月 26 日，长江存储有限责任公司成立；2016 年 12 月 30 日，国家存储器基地项目正式开工建设；2017 年 7 月，32 层 3D NAND 芯片 T／O（设计完成）；2017 年 9 月，国家存储器基地项目一期工程提前封顶；2017 年 11 月，耗资 10 亿美元、1000 人团队历时 2 年研发的 32 层 3D NAND 芯片完成首次验证；2018 年 4 月 11 日，一期工程生产机台正式进场安装。

国家存储器基地项目规划，预计 5 年投入 1600 亿元（约合 240 亿美元），到 2020 年形成月产能 30 万片的生产规模，到 2030 年建成每月 100 万片的产能。

长鑫存储技术有限公司

（长鑫存储，12 英寸）

2019 年 9 月 20 日宣布正式量产，目前装机月产能 20000 片。

2019 年 5 月 15 日的 GSA Memory＋论坛上，长鑫存储董事长朱一明表示，公司 DRAM 项目计划年内大规模投产，产生正向现金流，实现商业可持续。长鑫存储 DRAM 技术来源于奇梦达，持续投入研发超过 25 亿美元，并不断完善自身研发技术；长鑫存储完成了第一座 12 英寸 DRAM 存储器晶圆厂建设，技术和产品研发有序开展，已持续投入晶圆超 15000 片。

2016 年 5 月 6 日合肥 12 英寸存储器“506 项目”启动；2017 年 3 月厂房开工；2018 年 1 月开始设备安装；2018 年 7 月 16 日，合肥 12 英寸存储器“506 项目”正式投片；2018 年底 19 纳米产品第一阶段成果通过鉴定。

根据规划，长鑫存储合肥 12 英寸晶圆厂分为三期，第一期满载产能为 12 万片，预计分为三个阶段执行，第一阶段要完成单月 4 万片，目前为 2 万片，2020 年第一季底达到 4 万片。2020 年开始规划建设二期项目，并于 2021 年完成 17 纳米工艺的 DRAM 研发。

合肥晶合集成电路有限公司

（合肥晶合，12 英寸）

2019 年底月产能达到 20000 片规模，较 2018 年 12 月扩增 1 倍。

2018 年，晶合以 110 纳米 －180 纳米工艺制造 LCD 驱动芯片。由于因为股权问题，和力晶陷入冷冻期，此后不再从力晶进行技转，而是自研 55 纳米工艺技术逻辑工艺，原计划 2019 年量产，目前看来较计划有所落后。

2015 年 10 月 20 日，晶合总投资 128．1 亿元人民币的 12 英寸晶圆制造基地项目（一期）开工；2016 年 11 月 16 日晶合集成一期举行封顶仪式；2017 年 4 月 20 日，晶合集成主机台进驻；2017 年 6 月 28 日投产；2017 年 9 月 25 日达到量产标准；2017 年 10 月 1 日宣布正式量产。

公司计划建置 4 座 12 英寸晶圆厂。其中一期投入资金超过百亿元，目前已完成 N1、N2 两个厂房主体的建设，N1 厂计划 2020 年达到满产每月 4 万片规模。

联芯集成电路制造（厦门）有限公司

（厦门联芯，12 英寸）

2019 年联芯集成一期满载月产能约为 25000 万片，实际产出每月 18000＋片。

联芯集成电路制造（厦门）有限公司为台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立之一流晶圆专工企业，于福建省厦门市从事集成电路制造，提供 12 英寸晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于 2014 年底开始筹建，2015 年 3 月 26 日奠基动工，2016 年 11 月开始投产，可提供 40nm 及 28nm 的晶圆专工服务，一期月产能为 25000 片 12 英寸晶圆。

厦门联芯厂在引进 28 纳米制程后，2017 年第二季度投产 5000 片，第三季度投产 12000 片。2017 年 12 月 13 日通过 189．9 亿元新台币（约合 6．3 亿美元）资本预算执行案，间接增资厦门联芯集成电路制造有限公司，扩增晶圆厂产能。2018 年第一季度月产能将扩增至 16000 片规模，2018 年年底实现月产 25000 片的目标。

台积电（南京）有限公司

（台积电南京，12 英寸）

2019 年月产能提升为 15000 片，2020 年第一季达到 20000 片的规划产能。

2018 年 10 月 31 日，台积电正式对外宣布南京 12 英寸晶圆厂 FAB16 量产，提供 12 寸 16nm FinFET 晶圆代工业务。

2015 年年底，台积电宣布，已向台湾“投审会”递件申请赴大陆设立 12 英寸晶圆厂与设计服务中心，设立地点确定为江苏省南京市江北新区，投资金额大约在 30 亿美元；2016 年 3 月 28 日台积电南京项目正式落户南京，2016 年 7 月 7 日项目一期正式开工建设；2017 年 9 月 12 日，台积电南京公司举行了机台 MOVE－IN 典礼；2018 年 5 月晶圆厂开始试投产。

这次台积南京也打破了多项台积的纪录，第一是建厂最快，从动土到进机只花了 14 个月，第二是上线最快，进机到开始生产不到半年的时间；第三，这是最美、最宏伟、最有特色的台积厂区。

英特尔半导体（大连）有限公司

（英特尔大连，12 英寸）

2019 年月产能为 85000 片。

2018 年第二季，英特尔宣布大连的 Fab 68 二期投产，主要生产 96 层的 3D NAND 闪存。

2015 年 10 月 19 日，英特尔与大连市举行“大连？英特尔非易失性存储制造”项目签约。英特尔宣布，为了积极追赶竞争对手的市占率，Fab 68 二期改造工程总投资 55 亿美元，该战略性计划是英特尔深化其非易失性存储器业务发展战略的一个重要举措。

此项投资符合英特尔大连工厂的长期发展策略，也体现了英特尔与中国共成长的长期发展承诺。

中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司

（中芯深圳，12 英寸）

中芯国际深圳基地 12 英寸 MINI 晶圆生产线月产能 3000 片。

中芯国际深圳基地规划一条月产能 4 万片的 12 英寸产线，聚焦在 0．11 微米到 55 纳米这些工艺的生产，2017 年第 4 季投产。

中芯国际集成电路制造（天津）有限公司二期

（中芯天津，8 英寸）

2019 年二期月产能维持 20000 片装机规模。

根据公司财报，天津一期装机产能为 45000 片，2018 年第四季天津基地产能达 60000 片，较 2018 年第二季增长了 20％。

2017 年 2 月扩产项目正式启动。2018 年 7 月，中芯国际天津厂举行了 P2 Full Flow 扩产计划的首台设备进驻仪式。公司在 2018 年持续对天津基地进行投资以扩充产能。

2016 年 10 月 18 日开始，正式启动天津厂产能扩充计划，该计划预计投资金额为 15 亿美金。在计划完成后，产能将达到每月 15 万片的规模，有望成为全球最大的单体 8 英寸晶圆的生产基地。

中芯集成电路（宁波）有限公司一期

（宁波中芯 N1，8 英寸）

一期规划月产能 15000 万。

2018 年第三季度，中芯宁波 8 英寸特种工艺 N1 产线生产设备进厂，2018 年 11 月 2 日正式投产。

这是中芯支持建设的特色工艺生线。中芯集成电路（宁波）有限公司由中芯晶圆与宁波胜芯、华创投资等联合成立。公司将通过对相关知识产权和技术的收购、吸收、提升和发展，在高压模拟半导体以及包括射频与光电特色器件在内的模拟和特色工艺半导体技术领域，开发、建立新的核心器件及技术平台，以支持客户面向智能家电、工业与汽车电子、新一代射频通讯以及 AR／VR／MR 等专用系统应用的芯片设计、产品开发。

中芯集成电路（宁波）有限公司分为 N1（租用小港安居路现有厂房）与 N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。

杭州士兰集昕微电子有限公司

（士兰集昕，8 英寸）

一期 8 英寸生产线的产能规划 40000 片，目前已经趋于饱和。

2015 年开工建设；2016 年 1 月主要生产厂房已结顶，部分生产设备运抵公司；2016 年 12 月底，主厂房建设、净化装修和机电动力设备安装等均已完工，部分工艺设备也已安装完毕并进入调试阶段预计。

2017 年 3 月产出第一片合格芯片；2017 年 6 月正式投入量产；2017 年 12 月实现月产 15000 片；当年共产出芯片 5．71 万片。

2018 年公司进一步加快 8 英寸芯片生产线投产进度，已有高压集成电路、高压 MOS 管、低压 MOS 管、肖特基管、IGBT 等多个产品导入量产。2018 年 6 月，月产能达 20000 片，全年总共产出芯片 30 万片。

上海新进芯微电子有限公司

（上海新进，8 英寸）

2019 年年底增加到月产 15000 片晶圆。

自 2015 年启动 6 英寸升级计划，2016 年 8 英寸设备开始进厂安装调试，2017 年第四季完成了对 8 英寸晶圆质量评估。2018 年第一季度末每月产能达 3000 片 8 英寸晶圆，2018 年年底增加到月产 10000 片晶圆。

四川广义微电子股份有限公司

（四川广义，6 英寸）

2019 年 7 月 19 日《英飞凌技术转移项目》全面启动，按节点完成 IFXGEN5．0、GEN7．0 的产品量产。月产能爬坡顺利，至 12 月，月产能达 60000 片。

2018 年 12 月，在北京燕东微电子的支持下，公司 6 英寸月产能顺利达到 30000 片，较 2018 年 7 月的 12000 片，增长了 150％。

2017 年 8 月 18 日公司“0．25 微米 6 英寸 MOSFET”芯片项目一期生产线的正式投产；2018 年 6 月与英飞凌签订了战略合作协议；2018 年 8 月与北京燕东微电子公司签订增资入股协议。

四川广义微电子股份有限公司是一家专业化的集成电路设计、制造、销售于一体的 IDM 高科技企业，公司规划月产能 15 万片。

河南芯睿电子科技有限公司

（芯睿电子，6 英寸）

2019 年底，芯睿电子 6 英寸生产线月产能达 20000 片。

芯睿电子 6 英寸线于 2018 年 6 月 6 英寸开始全面投产，达产后，将形成年产 20 亿只智能终端产品用超小型传声器。

芯睿电子与中科院固体物理所、西安电子科技大学等知名科研院所深度合作，组建的光电传感与集成应用河南省重点实验室、声电转换专用集成电路河南省工程实验室、微电子研究院成为企业持续创新、保持技术领先的秘密所在。公司独有的“0．33 微米厚度声电转换芯片技术”一些关键技术指标达到了国际先进水平。

在建篇

厦门士兰集科微电子有限公司

（士兰集科，12 英寸）

2019 年 5 月开始土建；8 月完成桩基工程，主体施工开始，2019 年 12 月 23 日主厂房封顶。预计 2020 年投产。

2018 年 10 月 18 日，士兰微厦门 12 英寸特色工艺芯片生产线举行开工典礼。

12 英寸特色工艺芯片项目总投资 170 亿元，建设两条以 MEMS、功率器件为主要产品的 12 英寸集成电路制造生产线。第一条 12 英寸产线，总投资 70 亿元，工艺线宽 90nm，计划月产 8 万片，分两期实施：其中一期总投资 50 亿元，实现月产能 4 万片，将于 2020 年投产；项目二期总投资 20 亿元，新增月产能 4 万片。而第二条 12 英寸产线为项目三期，预计总投资 100 亿元，工艺线宽 65nm－－90nm。

项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责，公司注册资本为 20 亿元，其中厦门半导体投资集团以货币出资 17 亿元，占股 85％；士兰微以货币出资 3 亿元，占股 15％。

武汉弘芯半导体制造有限公司

（弘芯半导体，12 英寸）

2019 年 12 月 22 日，首台 ASML 光刻机搬入。

2019 年 7 月 3 日，蒋爸尚义正式加盟弘芯；7 月 4 日，主厂房封顶。目前有消息说公司正在商谈 14 纳米光掩模制版事宜。

2018 年 9 月 11 日弘芯半导体制造产业园项目举行开工仪式。公司宣称立志成为全球第二大 CIDM 晶圆厂。（笔者实在不知全球第一大 CIDM 晶圆厂是哪家公司？）

项目总投资 1280 亿元，主要从事 12 英寸晶圆的集成电路制造代工业务。项目计划于 2019 年上半年完成主厂房工程施工，2019 年下半年正式投产。项目一期设计产能月产 4．5 万片，预计 2019 年底投产；二期采用最新的制程工艺技术，设计月产能 4．5 万片，预 2021 年第四季度投产。

公司表示，主要运营逻辑先进工艺、成熟主流工艺、以及射频特种工艺，并持续研发世界先进的制程工艺。

三星（中国）半导体有限公司二期二阶段

（三星西安 X2－PH2，12 英寸）

2019 年 12 月 25 日三星西安基地二期二阶段正式开工建设。预计 2021 年投产。

2019 年 12 月 10 日，三星西安基地二期二阶段投资正式启动，预计投资达 80 亿美元，规划月产能 7 万片。

三星西安基地二期一阶段月产能 6 万片，已经日前开始投片试产，将于 2020 年 3 月正式量产。

二期整体完工后，西安总产能将高达 25 万片。

成都紫光国芯存储科技有限公司

（紫光成都，12 英寸）

目前正在浇土建筏板，整体进度相对迟缓！原预计 2020 年第三季投产的时间表应该要推后。

2018 年 10 月 12 日，紫光成都存储器制造基地项目开工。

据介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约 1200 亩，总投资达 240 亿美元，将建设 12 英寸 3D NAND 存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。据悉，项目全部建成将可形成月产芯片 30 万片。

芯恩（青岛）集成电路有限公司

（芯恩，12 英寸）

目前 12 英寸厂房还在建设中。

芯恩（青岛）集成电路项目正在建设特色型工艺的 8 英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的 40 纳米 12 英寸集成电路生产线一条，国内最先进 14 纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成电路设计团队。

2018 年 3 月 30 日，宁波芯恩半导体科技有限公司和青岛西海岸新区管委、青岛国际经济合作区管委、青岛澳柯玛控股集团有限公司签署框架协议，打造中国首个 CIDM 集成电路项目；2018 年 4 月 6 日完成项目立项备案，4 月 18 日项目公司完成注册，注册名称为芯恩（青岛）集成电路有限公司（注册资本 12．5 亿元，实缴资本 2．231 亿元），4 月 25 日完成首笔资金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成电路项目举行开工典礼；2018 年 12 月 13 日，签署投资合作协议。

芯恩（青岛）集成电路项目分两期建设，总投资约 188 亿元。项目开工日期为 2018 年 8 月 12 日，工程接收日为 2019 年 12 月 26 日，工期总日历天数为 501 日历天。

泉芯集成电路制造（济南）有限公司

（泉芯集成，12 英寸）

泉芯集成 12 英寸晶圆制造线于 2019 年第一季度开工建设。目前到位资金约 50 亿。

泉芯集成 12 英寸晶圆制造线计划采用 12nm／7nm 的工艺节点。

股东包括逸芯集成技术（珠海）有限公司 80％、济南高新控股集团有限公司 10％、济南产业发展投资集团有限公司 10％。

逸芯集成技术（珠海）有限公司 2018 年 11 月 28 日成立，注册资本 1 亿元人民币。注册地是珠海市横琴新区宝华路 6 号 105 室 －64419（集中办公区）。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏劲秋总经理。

芯恩（青岛）集成电路有限公司

（芯恩，8 英寸）

2019 年 10 月 28 日宣布 8 英寸项目厂房封顶，12 月 27 日高调宣布首台设备 Olympus AL3120 搬入。经咨询，Olympus AL3120 是一台显微镜。

芯恩（青岛）集成电路项目正在建设特色型工艺的 8 英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的 40 纳米 12 英寸集成电路生产线一条，国内最先进 14 纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成电路设计团队。

2018 年 3 月 30 日，宁波芯恩半导体科技有限公司和青岛西海岸新区管委、青岛国际经济合作区管委、青岛澳柯玛控股集团有限公司签署框架协议，打造中国首个 CIDM 集成电路项目；2018 年 4 月 6 日完成项目立项备案，4 月 18 日项目公司完成注册，注册名称为芯恩（青岛）集成电路有限公司（注册资本 12．5 亿元，实缴资本 2．231 亿元），4 月 25 日完成首笔资金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成电路项目举行开工典礼；2018 年 12 月 13 日，签署投资合作协议。

芯恩（青岛）集成电路项目分两期建设，总投资约 188 亿元。项目开工日期为 2018 年 8 月 12 日，工程接收日为 2019 年 12 月 26 日，工期总日历天数为 501 日历天。

赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司

（赛莱克斯，8 英寸）

2019 年 12 月 25 日，赛莱克斯北京 8 英寸项目一期开始设备搬入，较原计划有所迟缓。

2018 年赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司继续完善核心管理及人才团队，推进 8 英寸 MEMS 国际代工线建设项目的建设，2018 年 11 月基础工程建设已部分封顶。项目规划分三期建设。

原 2019 年第 3 季度一期达到试生产状态，2020 年形成新增产能；二期预计 2012 年投产；三期预计在 2023 年投产，2024 年力争实现满载，形成年产能 38 万片 8 英寸 MEMS 硅晶圆。

上海积塔半导体有限公司

（积塔半导体，8 英寸）

2019 年 12 月 28 日 8 英寸厂房开始设备搬入。

2019 年 5 月 21 日，上海积塔半导体有限公司 8 英寸特色工艺生产线项目厂房举行了结构封顶仪式。

积塔半导体特色工艺生产线项目总投资 359 亿元，目标是建设月产能 6 万片的 8 英寸生产线和 5 万片 12 英寸特色工艺生产线，还将建设一条 6 英寸碳化硅生产线，将在国内首家实现 12 英寸 65 纳米 BCD 工艺，建设一条汽车级 IGBT 专用生产线。

产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

2018 年 8 月 16 日，积塔半导体有限公司特色工艺生产线项目正式开工。

中芯集成电路（宁波）有限公司二期

（宁波中芯 N2，8 英寸）

2019 年 2 月 28 日，中芯宁波特种工艺 N2 项目正式开工。规划月产能 45000 万。

N2 项目位于宁波市北仑区柴桥，项目用地面积 192 亩，建筑面积 20 万平方米，项目总投资 39．9 亿元，建设工期 2019 年 －2021 年，2019 年计划投资 5 亿元。

根据规划，N2 项目建成后将形成年产 33 万片 8 英寸特种工艺芯片产能，同期开发高压模拟、射频前端、特种半导体技术制造和设计服务。

这是中芯支持建设的特色工艺生线。中芯宁波分为 N1（小港）与 N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。

杭州士兰集昕微电子有限公司

（士兰集昕二期，8 英寸）

士兰集昕拟对 8 英寸线进行技术改造。本项目利用士兰集昕现有的公用设施，在现有生产线的基础上，通过增加生产设备及配套设备设施，形成新增年产 43．2 万片 8 英寸芯片制造能力。

本项目总投资 15 亿元，建设周期约为五年，分两期进行。其中，一期计划投资 6 亿元，形成年产 18 万片 8 英寸芯片的产能。二期计划投资 9 亿元，形成年产 25．2 万片 8 英寸芯片的产能。

海辰半导体（无锡）有限公司

（无锡海辰，8 英寸）

2019 年 12 月 12 日，首批从韩国搬迁的工艺设备搬入海辰半导体厂房。

2019 年 2 月 27 日，海辰半导体新建 8 英寸非存储晶圆厂主厂房正式封顶。

2018 年 7 月 SK 海力士表示，旗下晶圆代工子公司 SK 海力士系统 IC 公司与无锡市政府旗下的无锡产业发展集团有限公司组成的合资公司，2018 年下半年启动工厂的建设。

海辰半导体项目将建设 200 毫米晶圆模拟生产线，项目总投资 67．9 亿，规划年产能 126 万片 8 英寸晶圆，主要生产面板驱动 IC（DDI）、电源管理 IC（PMIC）、CMOS 影像感测器（CIS）。

SK 海力士系统 IC 公司负责半导体生产设备，而无锡产业发展集团则负责提供其他必要的基础设施。据悉 SK 海力士位于韩国清州 M8 厂的设备将在 2021 年底前运至无锡。

济南富能半导体有限公司

（富能半导体，8 英寸）

2019 年 12 月 4 日，富能半导体一期项目成功封顶。

2019 年 3 月 15 日，富能半导体一期项目举行桩基工程。据悉一期项目投资 60 亿元，建设月产 3 万片 8 英寸硅基半导体功率芯片（MOSFET、IGBT）和月产一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的产能，产品覆盖消费、工业、电网以及新能源车的应用，计划 2020 年底实现量产。

富能半导体成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陈昱升，持股 40％，另 60％的持有人是济南富杰产业投资基金；富能半导体项目规划建设月产 10 万片的两个 8 英寸厂及一个月产 5 万片的 12 英寸厂。

济南富杰产业投资基金的股东包括济南产业发展投资集团有限公司、思华（北京）投资管理有限公司、富士迈半导体精密工业（上海）有限公司、鸿富晋精密工业（太原）有限公司、讯芯电子科技（中山）有限公司。

富士迈半导体、鸿富晋、讯芯电子都是富士康集团的关联企业，这也说明该项目确实和富士康有一定的关系。

吉林华微电子股份有限公司

（华微电子，8 英寸）

华微电子 8 英寸生产线筹备将近十年，终于有望实现。目前购买设备和厂房建设同步进行。

2019 年 4 月 1 日，华微电子公告，拟配股募集资金不超过 10 亿元（含发行费用），扣除发行费用后的净额拟全部用于新型电力电子器件基地项目（二期）的建设。项目建成后，华微电子将具有年产 8 英寸芯片 24 万片的加工能力。产品包括重点应用于工业传动、消费电子等领域，形成 600V－1700V 各种电压、电流等级的 IGBT 芯片；同时包括应用于各领域的具有成熟产业化技术的 MOSFET 芯片，以及与公司主流产品配套的 IC 芯片。

华微电子是中国功率半导体器件领域首家主板 A 股上市公司，是飞利浦、松下、日立、海信、创维、长虹等国内外知名企业的配套供应商。

山东兴华半导体有限责任公司

（山东兴华，6 英寸）

2019 年 6 月 15 日，据称是由我国最早的半导体制造公司香港兴华半导体工业有限公司投资的山东兴华半导体项目在日照开工。运营主体是 5 月 17 日注册成立的山东兴华半导体有限责任公司。

项目计划总投资 50 亿元，分两期建设，一期计划建设一条年产 36 万片的 5 英寸 ／6 英寸的晶圆制造线，二期建设一条 8 英寸集成电路晶圆制造线。

香港兴华成立 1979 年，1982 年 5 英寸晶圆生产线开始运营，公司主要提供 1．5＆mu；m／2．0＆mu；m／3．0＆mu；m ／5．0＆mu；m 硅栅 CMOS、2．0＆mu；m 低压金属栅 CMOS、5．0＆mu；m 高压金属栅 CMOS 工艺制程。

兴华半导体为我国培养了大批的半导体工艺制程人才，目前国内很多晶圆生产线的高管都在此工作过。

规划篇

华润微电子（重庆）有限公司

（华润重庆，12 英寸）

华润重庆基地将利用现有厂房建设 12 英寸生产线。

2018 年 11 月 5 日，华润微电子与西永微电园签署协议，共同发展 12 英寸晶圆生产线项目，该项目投资约 100 亿元，建设 12 英寸功率半导体晶圆生产线，将主要生产 MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。

华润微电子无锡项目

（华润微电子，8 英寸）

根据华润微电子招股说明书显示，公司计划在无锡基地扩建一条 8 英寸生产线。

上海积塔半导体有限公司

（积塔半导体，12 英寸）

12 英寸特色芯片工艺生产线计划 2023 年投产。

积塔半导体特色工艺生产线项目总投资 359 亿元，目标是建设月产能 6 万片的 8 英寸生产线和 5 万片 12 英寸特色工艺生产线，还将建设一条 6 英寸碳化硅生产线，将在国内首家实现 12 英寸 65 纳米 BCD 工艺，建设一条汽车级 IGBT 专用生产线。

产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

紫光 DRAM 项目

（紫光 DRAM，12 英寸）

紫光国芯 DRAM 存储芯片制造工厂原预计 2019 年底开工建设，预计 2021 年建成投产。但截止目前，紫光国芯集成电路股份有限公司还没有注册成立。

2019 年 8 月 27 日，紫光集团和重庆市人民政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。

根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司，建设包括 DRAM 总部研发中心在内的紫光 DRAM 事业群总部、DRAM 存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

2019 年 6 月 30 日，紫光集团发布公告，成立 DRAM 事业部。

青岛城芯半导体科技有限公司

（城芯半导体，12 英寸）

但截止目前，城芯半导体没有任何实质性进展。

青岛城芯半导体科技有限公司计划建设一条月产 4 万片的 12 英寸模拟集成电路芯片生产线。

2018 年 7 月 5 日，矽力杰 12 英寸先进模拟芯片集成电路产业化项目签约，项目共同投资约 180 亿元人民币，建设一条 12 英寸模拟集成电路芯片生产线，规划产能每月可达 4 万片。

据悉，矽力杰半导体项目未来规划建设 2 条 12 英寸模拟集成电路芯片生产线，1 条 8 英寸模拟集成电路芯片生产线。

实际上，青岛城芯要建设的 12 英寸生产线就是矽力杰半导体青岛项目，令人疑惑的是，除青岛项目外，目前有多个地方园区收到矽力杰晶圆厂的计划书。

四川中科晶芯集成电路制造有限责任公司

（中科晶芯，8 英寸）

2019 年 5 月 15 日，中国华冶科工集团有限公司、中国电子系统工程第二建设有限公司组成联合体与中科晶芯集成电路制造有限公司在成都签订了 8 寸圆晶厂项目合作意向书，据悉，工厂将在绵阳设立。

但截止目前，中科晶芯没有任何实质性进展。

赣州名芯半导体项目

（赣州名芯，8 英寸）

2019 年 6 月 6 日，赣州经开区与名芯有限公司、电子科技大学广东电子信息工程研究院签订三方合作框架协议，总投资 200 亿元的名芯半导体项目顺利落户。

据悉，项目分两期建设：一期投资 60 亿元，建设一条 8 英寸功率晶圆生产线；二期投资 120－140 亿元，规划建设第三代 6／8 英寸晶圆制造生产线或 12 英寸硅基晶圆制造生产线。

项目涉及的产品类型包括 IGBT、功率 MOS、功率 IC、电源管理芯片等，覆盖全球功率器件领域全部类别中 80％品种。

同时，项目规划建设与晶圆关联的封测工厂、IC 设计公司、微电子研究院等三个项目。

截止目前，公司都还没有注册。

停摆篇

南京紫光存储科技控股有限公司

（紫光南京，12 英寸）

目前项目处于事实停工状态，工地已经是草长莺飞。

2018 年 9 月 30 日，紫光南京半导体产业基地项目项目开工，总投资 300 亿美元。据悉，南京基地原计划生产 64 层 3D NAND 芯片。

项目一期投资约 105 亿美元，月产芯片 10 万片，主要产品为 3D NAND Flash、DRAM 存储芯片等。预估项目全部建成将可形成月产 12 英寸 3D NAND 存储器芯片 30 万片。

格芯（成都）集成电路制造有限公司

（格芯成都，12 英寸）

2019 年初，格芯（成都）集成电路制造有限公司已经事实停摆。

2018 年 10 月 26 日，格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案。基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案，以及与潜在客户的商议，将取消对成熟工艺技术（180nm／130nm）的原项目一期投资。同时，将修订项目时间表，以更好地调整产能，满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的 22FDX 技术。

2017 年 2 月 10 日，格芯宣布正式启动建设 12 英寸晶圆成都制造基地，推动实施成都集成电路生态圈行动计划，投资规模累计超过 100 亿美元，其中基础设施是 93 亿美元，其余为基础设施和生态链的建设，力争打造中国大陆单一逻辑产品产能最大的 12 寸工厂。

格芯 12 寸晶圆代工厂分两期建设，第一期 0．18um 和 0．13um，技术转移来自 GF 新加坡，2018 底预计产能约 2 万每月；第二期为重头戏 22nm SOI 工艺，2018 年开始从德国 FAB 转移，计划 2019 年投产，预计 2019 年下半年产能达到约 6．5 万每月。

德淮半导体有限公司

（德淮，12 英寸）

公司目前已经处于停滞状态。

2018 年 4 月 28 日生产线核心设备尼康（Nikon）光刻机（S308／S206）进厂安装，其中 S308 可满足 65 纳米工艺生产，S206 可满足 110 纳米工艺生产。

德淮半导体有限公司是一家专注于 CMOS 影像传感器的半导体公司，总投资预计约 500 亿人民币。规划建设三个 12 英寸 CMOS 图像传感器专属晶圆厂。项目首期预计投入 150 亿元，为年产 24 万片的 12 英寸晶圆厂。

2016 年 1 月 19 日公司注册成立；2016 年 3 月 27 日 12 英寸晶圆厂破土动工；2016 年 4 月 1 日在日本成立芯片设计公司；2016 年 12 月与意法半导体签署工艺授权；2016 年 12 月与安森美半导体签署 CIS 产品和技术授权；2017 年 6 月公司举行封顶仪式。

德科码（南京）半导体科技有限公司

（德科码南京，8 英寸）

2019 年，工地现场已经人去楼空，厂房已经成为烂尾楼。

2015 年 10 月，德科码（南京）半导体科技有限公司成立，服务于南京半导体项目筹建；并与南京经济技术开发区签署并执行南京 8 英寸和 12 英寸晶圆厂项目。

2015 年 11 月 27 日项目签约，总投资 25 亿美元。项目将分期建设，一期项目为 8 英寸晶圆厂一座，规划月产能 40000 片晶圆，以电源管理芯片、微机电系统芯片生产为主。2017 年 8 月 21 日宣布获得以色列 TowerJazz 技术支持。

一期建设 8 英寸晶圆厂，总投资 5 亿美元，以自主设计的图像传感器芯片制造为主，预计投产后产能可达 4 万片 ／ 月；二期项目为 12 英寸晶圆厂，总投资 20 亿美元，投产后产能可达 2 万片 ／ 月。

2016 年 6 月 8 日项目奠基，2017 年 2 月全面启动厂区土木与机电建设工程。2018 年 2 月举行上梁仪式。

据悉，地方政府已经推出一系列优惠政策，希望有公司可以接手该项目。

江苏中璟航天半导体实业发展有限公司

（中璟航天，8 英寸）

目前暂时处于停滞状态。

2019 年 4 月盱眙政府表示，现阶段，中璟项目的推进工作有了一定的成效，但还未形成规模，盱眙会进一步落实项目主体责任，助推项目取得实质性的发展。

2017 年，中璟航天半导体 8 英寸晶圆制造项目落户小龙虾之乡淮安市盱眙县，盱眙成为全国第三个引进 8 英寸生产线的县城。

据悉，项目晶圆制造为核心，打造半导体全产业链全域化、国家级半导体产业基地，创建以产学研、创融投相结合的共融共生全生态循环经济发展模式，实现真正的“中国芯”。当时项目方表示，项目总投资 120 亿元，其中两条年产 24 万片 8 英寸 CIS 晶圆制造厂的投资为 60 亿元，原预计将于 2018 年 12 月底前竣工投产。

2018 年 4 月在南京举行的“2018 中国半导体市场年会暨第七届集成电路产业创新大会”上，中璟航天获得赛迪顾问颁发的“最具成长力企业奖”和“投资新锐奖”两个奖项。

中璟航天实力如何，笔者不得而知。但是中璟航天确实是高调。

2017 年 3 月 11 日，中璟航天半导体宣布投资近 40 亿美元的 12 英寸 CIS 晶圆厂落户成都郫都区，没有下文；2017 年 4 月 22 日宣布投资 60 亿元半导体生产基地项目落户广东江门市开平翠山湖科技园，无疾而终；2018 年 4 月 28 日，江苏发布了《2018 年省重大项目名单》，在第二部分“前期工作项目”中，我们也发现有“如皋中璟航天第三代化合物半导体”，没有动静了。

二、化合物项目

1、投产篇

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

（士兰明镓，6／4 英寸，砷化镓 ／ 氮化镓）

士兰化合物半导体生产线项目于 2019 年 12 月 23 日投产，计划 7 款产品逐步投入量产，将于 2021 年达产。

士兰化合物半导体项目由厦门士兰明镓化合物半导体有限公司负责实施运营，公司注册资本为 8 亿元，其中厦门半导体投资集团以货币出资 5．6 亿元，占股 70％；士兰微以货币出资 2．4 亿元，占股 30％。

项目总投资 50 亿元，建设 4／6 英寸兼容先进化合物半导体器件生产线，主要产品包括下一代光模块芯片、5G 与射频相关模块、高端 LED 芯片产品。分两期实施，其中，项目一期投资 20 亿元，2019 年底投产，2021 年投产；项目二期投资 30 亿元，计划 2021 年启动，2024 年达产。

2018 年 10 月 18 日，项目举行开工典礼；2019 年 4 月主厂房封顶；6 月进入设备安装调试阶段，砷化镓与氮化镓芯片产品已分别于 10 月 18 日、12 月 10 日正式通线点亮。

2、产能爬坡篇

英诺赛科（珠海）科技有限公司

（英诺赛科珠海，8 英寸，氮化镓）

2019 年 8 英寸硅基氮化镓生产线产能进一步提升，公司现有三台世界领先的针对 8 英寸硅基氮化镓外延的产业化设备 G5＋ MOCVD 机台。

2017 年 11 月 9 日，英诺赛科（珠海）科技有限公司 8 英寸硅基氮化镓生产线通线投产。主要产品包括 8 英寸硅基氮化镓晶圆及 100V－650V 氮化镓功率器件。

株洲中车时代半导体有限公司

（株洲中车，6 英寸，碳化硅）

株洲中车时代半导体有限公司成立于 2019 年 1 月 18 日，承接株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部的现有资产、负债及业务。专业从事大功率半导体器件的研发与制造，是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一，全面掌握晶闸管、整流管、IGCT（集成门极换流晶闸管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、SiC（碳化硅）器件及功率组件全套技术。

2018 年 1 月，在中国科学院微电子研究所的技术支持和协助下，株洲中车 6 英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现 4 英寸及 6 英寸 SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。这是国内首条 6 英寸碳化硅生产线。

生产厂房 2017 年 8 月交付使用，12 月 SiC 芯片生产线便完成了工艺设备技术调试，2018 年 1 月首批芯片试制成功。

苏州能讯高能半导体有限公司

（苏州能诩，4 英寸，氮化镓）

2019 年 5 月，苏州能讯高能半导体有限公司 4 英寸氮化镓芯片产线建成。

苏州能讯高能半导体有限公司 3 英寸氮化镓器件生产线于 2011 年开始建设；2013 年试生产，2014 年投产，2015 年开始批量生产。2017 年开始转换 4 英寸。

能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。目前完成了面向 5G 通信系统的技术与产品的积累，产品性能已通过国际一流通讯企业的测试与认证。

江苏能华微电子科技发展有限公司

（江苏能华，4／6 英寸，氮化镓）

2017 年 11 月 15 日公司生产线正式投产后，产能一直在稳定提升中。

江苏能华微电子科技发展有限公司是专业设计、研发，生产、制造和销售以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。

3、在建篇

英诺赛科（苏州）半导体有限公司

（英诺赛科苏州，8 英寸，氮化镓 ／ 碳化硅）

2019 年 8 月 29 日主厂房封顶，预计 12 月底生产设备正式进厂，2020 年投产。

2018 年 6 月 23 日开工，计划在 5 年内完成投资 60 亿，达产后，月产能达 6 万片。项目将聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，目标是打造一个包括理论研究、材料研发与制造、器件设计、芯片制造、封装测试、失效分析和应用验证等全产业链半导体研发基地。为 5G 通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、电子信息、大数据等领域提供更先进的、高效、节能和低成本的核心半导体芯片。

北京世纪金光半导体有限公司

（世纪金光，6 英寸，碳化硅）

2018 年 2 月 1 日，北京世纪金光半导体有限公司 6 英寸碳化硅器件生产线成功通线。截止目前，工艺还在调试中。

北京世纪金光半导体有限公司成立于 2010 年 12 月 24 日，其前身为中原半导体研究所。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和器件的研发与生产。

济南富能半导体有限公司

（富能半导体，6 英寸，碳化硅）

2019 年 12 月 4 日，富能半导体一期项目成功封顶。

2019 年 3 月 15 日，富能半导体一期项目举行桩基工程。据悉一期项目投资 60 亿元，建设月产 3 万片 8 英寸硅基半导体功率芯片（MOSFET、IGBT）和月产一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的产能，产品覆盖消费、工业、电网以及新能源车的应用，计划 2020 年底实现量产。

富能半导体成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陈昱升，持股 40％，另 60％的持有人是济南富杰产业投资基金；富能半导体项目规划建设月产 10 万片的两个 8 英寸厂及一个月产 5 万片的 12 英寸厂。

济南富杰产业投资基金的股东包括济南产业发展投资集团有限公司、思华（北京）投资管理有限公司、富士迈半导体精密工业（上海）有限公司、鸿富晋精密工业（太原）有限公司、讯芯电子科技（中山）有限公司。

富士迈半导体、鸿富晋、讯芯电子都是富士康集团的关联企业，这也说明该项目确实和富士康有一定的关系。

4、规划篇

上海积塔半导体有限公司

（积塔半导体，6 英寸，碳化硅）

积塔半导体特色工艺生产线项目总投资 359 亿元，目标是建设月产能 6 万片的 8 英寸生产线和 5 万片 12 英寸特色工艺生产线，还将建设一条 6 英寸碳化硅生产线，将在国内首家实现 12 英寸 65 纳米 BCD 工艺，建设一条汽车级 IGBT 专用生产线。

产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

5、停摆篇

北京双仪微电子科技有限公司

（北京双仪，6 英寸，砷化镓）

目前项目终止。

2018 年 7 月 30 日，北京双仪微电子科技有限公司宣布拟投资 10 亿元，租赁北京燕东微电子科技有限公司的部分厂房建设具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线，进行 6 英寸砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）芯片的代工服务，该项目预计于 2019 年初投产使用，规划每月 2 万片产能。

北京双仪微电子科技有限公司是一家技术初创公司，旨在为 5G 和 IoT 毫米波市场领域所遇到的挑战开发出新的解决方案，提供高性能的射频组件。

2020 年特别关注项目

2020 年关注以下项目，看命运如何？

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作者：赵元闯