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SK海力士突破300层技术大关,正式量产321层堆叠NAND闪存
(本篇文篇章共788字,阅读时间约2分钟) 2024年11月21日,韩国存储器巨头SK海力士宣布,已正式量产全球首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存,标志着存储器行业又一项技术里程碑的诞生
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卷死三星、SK海力士们?国产DDR4内存,比友商低50%
众所周知,存储芯片主要有两种,分别是DRAM、NAND,这两种占所有存储芯片市场的95%以上,另外的一些已经不是主流了。 至于AI芯片上大规模使用的HBM存储,其实也可以归入DRAM之中去。
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AI半导体热潮中升温,SK海力士年度营业利润或超三星
前言: 当前,英伟达的GPU终于确立了HBM技术的领先地位,整个行业正紧随其后,加速HBM技术的发展。 在AI硬件竞争的激烈角逐中,时间等同于生命,任何落后都可能导致被淘汰的命运。 在HBM技术发展的道路上,一场无形的较量正在激烈进行,同时也标志着芯片市场竞争格局的重新塑造
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HBM销售额同比增长330%!SK海力士Q3营收、利润创新高
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 SK海力士今年第三季度营收为17.5731万亿韩元创历史新高,同比大增94%。 今日,SK海力士发布截至2024年9月30日的2024财年第三季度财务报告
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SK海力士Platinum P41 2TB评测:缓外最低速度超1.6GB/s
一、前言:站在巨人肩膀上的旗舰级PCIe 4.0 SSD 大概两年前的PCIe 4.0时代,有两款产品站在了同代产品的性能巅峰,一款是三星980 Pro,另外一款是Solidigm P44 Pro。
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SK海力士加大AI需求投资,三星也在扩产
前言: 对于未来的产能规划,不仅是2024年,存储原厂已提前将2025年的HBM产能全部预订完毕,订单能见度更是延伸到了2026年第一季度。 供应商当前面临的主要路径有两条:一是扩大产能,二是技术提升
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HBM供不应求,SK海力士称2025年订单都几乎售罄
【科技明说 | 科技热点关注】 据外媒报道,SK海力士透露公司今年的HBM产能已经全部售罄,明年订单也基本售罄。此外,SK海力士预计在2024年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品,并准备在第三季度开始量产
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SK海力士正在测试低温蚀刻设备:可在-70℃低温下生产闪存
快科技5月7日消息,据媒体报道,SK海力士正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,该设备可以在-70℃的低温下运行,用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。 据了解,SK海力士此次并未直接引进设备,而是选择将测试晶圆发送到东京电子的实验室进行评估,以验证新设备在生产中的实际表现
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SK海力士计划投资超1000亿扩产,HBM芯片再度成为市场风口
SK海力士公司正式宣布,为应对全球范围内快速增长的AI需求,公司计划投资超过1000亿元人民币,扩大包括HBM在内的下一代DRAM的产能。 据了解,SK海力士已通过董事会决议,将位于韩国忠清北道清州市的M15X晶圆厂定为新的DRAM生产基地
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三星、SK 海力士因担心违反美国限制,停售二手半导体设备
(本篇文篇章共748字,阅读时间约1分钟) 近日,韩国两大芯片制造巨头,三星电子和SK 海力士,因担心违反美国对芯片制造和技术的出口限制,全面停止了二手半导体设备的销售
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三星和SK海力士之争
近年来,存储芯片行业的市场动态发生了相当大的变化。三星电子公司曾经是该领域无可争议的领导者,但现在却落后于规模较小的竞争对手 SK 海力士。两家公司之间不断扩大的差距是来自哪里?01争做CXL游戏规则改变者造成这种差距的一个主要因素是投资者对SK 海力士作为潜在人工智能 (AI) 领导者的信心增强
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SK海力士和台积电是卡英伟达脖子的幕后玩家?
前言: 在英伟达一步步站稳万亿市值的道路上,少不了两项关键技术支持:台积电主导的CoWoS高端封装和头部存储厂持续迭代的HBM(高带宽存储)。 英伟达想赚钱,还得看台积电和SK海力士的脸色行事
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1秒处理230部电影!SK海力士推出DRAM 新品HBM3E
8月21日消息,SK海力士宣布成功开发面向AI行业的超高性能DRAM新产品HBM3E,这是目前可用于AI应用的下一代最高规格DRAM。据悉,SK海力士计划在明年上半年开始量产HBM3E,现已提供给NVIDIA和其他客户进行性能评估
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SK海力士大幅裁员,团队数减少20%-30%
近日,据韩媒报道称,存储巨头SK海力士正大幅削减团队规模,该公司为各部门领导人数设定了配额,整体负责人人数减少了20%-30%。另外,该公司积极提拔75后、80后“少壮派”,提名了许多30多岁到40岁出头的高管担任团队负责人
SK海力士 2022-12-29 -
SK海力士官宣:238层NAND闪存芯片明年上半年量产
8月3日,世界第二大存储芯片制造商韩国 SK 海力士(SK Hynix)宣布,已经开发出最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。据SK海力
SK海力士 2022-08-03 -
SK海力士收购Key Foundry进入收尾流程
6月28日,韩媒报道称,SK海力士对Key Foundry的收购目前已经获得了相关机构的批准,并开始进入收尾阶段。在完成对Key Foundry的收购之后,SK海力士将会成为韩国国内仅次于三星电子的第二大晶圆代工厂商,同时还有希望跻身进全球晶圆代工排名前十的厂商行列
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重磅!SK海力士或收购ARM
韩国芯片巨头SK海力士表示,正考虑加入一个财团以共同投资收购英国芯片制造商ARM!3月30日,SK海力士CEO朴正浩在一次简报会上说:“我们正在考虑与其他公司共同投资ARM。ARM在国际半导体生态系统中发挥着非常重要的作用,而这个生态系统将不允许单一实体充分享受收购带来的好处
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SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段
①SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段SK海力士宣布,已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准
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全球NAND闪存市场Q3排名:三星电子/铠侠/SK海力士居前三
①全球NAND闪存市场Q3排名:三星电子/铠侠/SK海力士居前三全球NAND闪存企业之间的角逐战非常激烈。与DRAM市场三强格局不同,NAND闪存市场玩家较多。在这个市场,三星电子连续20年稳居第一,SK海力士也提高了占有率,紧随其后
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市场监管总局附加限制性条件批准SK海力士收购英特尔部分业务案
12月22日消息,市场监管总局消息显示,收到SK海力士株式会社(以下简称SK海力士)收购英特尔公司部分业务(以下简称目标业务)案(以下简称本案)的经营者集中反垄断申报。经审查,市场监管总局决定附加限制性条件批准此项经营者集中
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无锡工厂引入EUV设备还有转机?SK海力士回应来了
11月24日消息,据外媒报道,就SK海力士打算引入EUV光刻机到其中国无锡工厂被阻这一传言,SK海力士CEO李锡熙予以否认。此前,曾有消息称SK海力士希望引入ASML(阿斯麦)最先进的EUV设备,升级其无锡芯片厂的设备产品,以提高量产能力,控制成本并加速生产效率
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无锡工厂引入EUV光刻机还有转机?SK海力士CEO回应来了
11月23日消息,据外媒(businesskorea)报道,就SK海力士打算引入EUV光刻机到其中国无锡工厂被阻这一传言,SK海力士CEO李锡熙表示否认。此前,曾有消息称SK海力士希望引入ASML(阿斯麦)最先进的EUV设备,升级其无锡芯片厂的设备产品,以提高量产能力,控制成本并加速生产效率
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好一个“一箭三雕”之策,美国不允许SK海力士将EUV运至中国?
前段时间,ASML又表态了,称将尽其所能向中国市场提供一切他们能够提供的技术,其中DUV光刻机是想卖就卖的,不需要美国的许可。但对于直接从美国发货系统或零件到受法规影响的客户,ASML需获得许可证,这里指的就是EUV光刻机,是无法想卖就卖的
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阻止SK海力士无锡厂购买EUV光刻机,美国的计策很“毒”
近日有媒体报道称,SK海力士位于无锡的生产厂,计划从ASML购入一台先进的EUV光刻机,用来提高生产效率,扩大产能。但没想到,美国不同意这样的EUV光刻机进入中国大陆,可能要黄了。很多人表示,这是美国想将大陆半导体崛起的一切可能性扼杀在摇篮之中,反正就不允许EUV这样先进的光刻机进入大陆
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美国又搞事情!反对将EUV光刻机卖给无锡SK海力士
继近日美国拜登政府反对英特尔对其位于中国四川成都的硅晶圆厂进行扩产一事后,韩国存储器芯片大厂SK海力士恐怕也将面临来自美国的压力与限制。11月18日,路透社报道,SK海力士希望引入ASML(阿斯麦)最先进的EUV设备,升级其无锡芯片厂的设备产品,以提高量产能力,控制成本并加速生产效率
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SK Siltron计划在美投资6亿美元建设晶圆厂
①SK Siltron计划在美投资6亿美元建设晶圆厂据报道,SK集团决定在美国投资超6亿美元建设晶圆厂。美国商务部当地时间10日,公开了世界主要半导体企业提交的信息。SK Siltron的美国子公司SK Siltron CSS提供的信息中包括了6亿美元的投资计划
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