氮化铝
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泰克先进半导体实验室:量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试
_____ 在泰克先进半导体开放实验室,2024年8月份,我们有幸见证了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化镓(GaN)功率器件的动态参数测试。量芯微作为全球首家成功流片并
泰克先进半导体实验室 2024-09-03 -
助力低碳化和数字化发展,英飞凌发布新一代氮化镓产品系列
随着全球气候问题越发严峻,助力社会实现可持续发展转型迫在眉睫。而低碳化和数字化的半导体技术正是助力社会转型的重要工具。英飞凌作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,正不断通过自身先进的半导体技术助力社会转型
英飞凌 2024-08-13 -
Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件
美国加利福尼亚州戈莱塔,中国台湾新竹 —?2024年4月25日 —?全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, In
Transphorm 2024-04-25 -
【深度】氮化铟镓(InGaN)核心技术仍需突破 市场存在较大开发空间
但尽管如此,氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间,关键核心技术仍需进一步突破。 氮化铟镓(InGaN)又称为铟镓氮,是一种直接带隙半导体材料,由氮化铟(InN)和氮化镓(GaN)形成
氮化铟镓 2024-02-02 -
应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓(GaN)MTC-65W1C
LCD(Liquid Crystal Display)显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置,从液晶显示器的结构来看,无论是笔记本电脑还是桌面系统,采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构
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Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能
全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSys
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Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势,此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能,并产生较低的热量加利福尼亚
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Transphorm 最新技术白皮书: 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势,而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔
氮化镓功率半导体 2023-10-19 -
Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统
使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件,使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻,且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 - 2023 年 10 月 12 日 - 新世代电力系统的未来,氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm
Transphorm氮化镓器件 2023-10-12 -
应用在SMPS中的GaN/氮化镓
开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流
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【深度】硅基氮化镓(GaN-on-Si)应用前景广阔 全球布局企业数量众多
使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等,应用优势较高 硅基氮化镓(GaN-on-Si)是指由硅和氮化镓组成的复合材料,其兼
硅基氮化镓 2023-09-26 -
Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑
与安川电机公司合作取得的这项成果,充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日 - 新世代电力系统的未来,氮化镓(GaN)功率半导体产
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65W氮化镓(GaN)充电头PD快充方案
2023年数码圈中讨论较多的莫过于65W氮化镓(GAN)充电头。65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率
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四川美阔推出:65W-1A2C接口氮化镓(GaN)PD快充电源方案
65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率
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氮化镓技术快速发展,Power Integrations推出900V氮化镓器件
近日,深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations宣布,推出针对汽车电子领域的900V氮化镓(GaN)器件。Power Integrations公司介绍道,新IC
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Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3?系列反激式开关IC再添新品
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适用于65W氮化镓1A2C国产PD快充方案
65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率
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GaN/氮化镓65W(1A2C)PD快充电源方案
近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W(1A2C)PD快充充电器方案,该方案采用同系列控制单晶片:QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配
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65W-1A2C接口氮化镓(GaN)充电头
2023年数码圈中说较多的莫过于两个品类,其中一个就是氮化镓(GAN)充电头。氮化镓+充电头+65w究竟会产生怎样的火花呢?单口充电头和多口充电头能解决什么问题呢?不同品牌手机究竟怎样才能选择好适合自
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美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案
氮化镓快充的出现,给生活带来的极大的便利;近期;美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品,推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案,为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案
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Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管
目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装,电源能够以更低的成本获得功率密度优势。加州戈利塔--2023年1月13日--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮
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Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据
该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据
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未来大好也需冷静的氮化镓
近年来,手机充电越来越快,汽车“充电桩”也越来越流行,这样的升级离不开它的助力——第三代半导体。第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、
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Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室
大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处
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美禄推出高可靠性65W氮化镓充电头方案评测报告
在快充技术渐渐成为充电标配以后,市面上的快充充电器芯片也多了起来,渐渐成为充电的主流;随着氮丶际醯某墒欤咂怠⒏咝А⒏吖β拭芏雀浅晌说毕驴斐涑涞缙魇谐〉闹髁鞣⒄狗较颍黄溆判愕募嫒菪钥梢允挂桓龀涞缙魑只缒缘榷嘀稚璞腹┑?
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国产高性价比氮化镓芯片,更快高效率充电速度
氮化镓比硅更适合做高频功率器件,可显著减少电力损耗和散热负载,有体积、功率密度方面的明显优势。应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域,可以有效降低能源损耗。 从第一款氮化镓快充电源量产到如
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应用在65W快充上国产氮化镓芯片优势
氮化镓是氮和镓化合物;作为一种全新的半导体材料它具有热导率高、耐高温、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期开发中氮化镓材料被应用于发光二极管、灯具,新能源等等方面。 氮化镓材料是研制微电子器件
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半导体材料:GaN(氮化镓)的详细介绍
三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、
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应用在低功耗SMPS中的GaN/氮化镓
开关电源(简称:SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。可以把稳压电源想象成为如下的一种情形:当试
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65W1C氮化镓PD快充电源650VMTC-MGZ31N65芯片测试报告
现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多;而GaN氮化镓技术的出现,则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善,无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN/氮化镓 -
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应用在电源适配器中的GaN/氮化镓
电源适配器(Power adapter)是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备,一般由外壳、变压器、电感、电容、控制IC、PCB板等元器件组成,它的工作原理由交流输入转换为直流输出;按连接方式可分为插墙式和桌面式
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四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65
氮化镓化学式为GaN,由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成,相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景
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氮化铝基大功率混合电路厚膜材料
内容摘要:40多年来,设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化铝。、摘要40多年来,设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化铝。它提供了正确电路操作所需的机械强度、电阻率和热性能。然而,在过去几年
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飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术
Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发,减少元件数量;是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。加州戈利塔 -- (新闻稿)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换
Transphorm 2022-08-02 -
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发
公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势加州戈利塔--(新闻稿)-- (美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱
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意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件
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大联大友尚集团推出基于Diodes产品的130WACF氮化镓NB PD电源适配器方案
2022年4月19日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于达尔科技(Diodes)AP3306、APR340与AP43771V等芯片的130W ACF氮化镓NB PD电源适配器方案
大联大 2022-04-19 -
英飞凌任命新任首席运营官,加码碳化硅和氮化镓产能
2月24日消息,英飞凌科技股份公司(下称 英飞凌)在年度股东大会上宣布了监事会的决定,任命RutgerWijburg担任公司新任首席运营官。该任命将于2022年4月1日起正式生效。按照计划,RutgerWijburg将加入英飞凌管理委员会
英飞凌 Rutger Wijburg 2022-02-24 -
DB HiTek将采用硅基氮化镓技术改进8英寸半导体工艺
据媒体报道,韩国晶圆代工厂商DB HiTek采用在硅晶圆片上制备由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。GaN 是下一代半导体材料,可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。DB H
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智慧芽「第三代半导体-氮化镓技术洞察报告」
“报告展示的GaN日常应用场景包括氮化镓汽车,及快充充电器。”作者:涂鸦君编辑:tuya出品:财经涂鸦越来越多的人在使用手机快充充电器的时候可能不经意间会发现氮化镓(GaN)这个专业名词,实际上,正是
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