混合组装工艺
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曦智科技全球首发新一代光电混合计算卡
2025年3月25日,曦智科技正式发布全新光电混合计算卡“曦智天枢”。曦智科技创始人兼首席执行官沈亦晨博士在发布现场表示:“曦智天枢首次实现了光电混合计算在复杂商业化模型中的应用,是曦智科技光电混合算力技术在产品化和商业化进程中的重要突破
曦智科技 2025-03-25 -
HBM4E 或 HBM5 必须要用到混合键合技术吗?
芝能智芯出品 人工智能和高性能计算需求的迅猛增长,高带宽存储器(HBM)技术已成为DRAM产业的核心焦点。 混合键合(Hybrid Bonding, HB)技术作为一种新型芯片互连方式,因其在堆叠能力、性能提升和热管理方面的显著优势,逐渐被视为HBM技术发展的关键驱动力
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华虹半导体Q4亏损,向小工艺节点迈进存挑战
国产晶圆代工厂华虹半导体(01347.HK;688347.SH)在2024年出现营利双降的情况,公司在Q4净利更是出现亏损,出现近3年来首次单季度亏损。 证券之星注意到,公司毛利率受平均售价下降和折旧成本上升的双重压力的影响,毛利率大幅下滑
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三星的最后一搏:2nm芯片工艺,自己先用,自己来证明
众所周知,不管实际情况如何,至少在表面上,三星是全球唯一能够,在先进芯片工艺上与台积电pk的厂商。 三星也是全球唯二拥有3nm芯片技术的厂商,另外一家是台积电。 甚至从量产时间上来看,三星的3nm
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青禾晶元发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备
2025年3月11日,香港——中国半导体键合集成技术领域的领先企业青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司(简称“青禾晶元”)宣布,正式推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW
青禾晶元 2025-03-12 -
新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台
3月10日,上海新微半导体有限公司(简称“新微半导体”)正式推出650V硅基氮化镓增强型(E-mode)功率工艺代工平台。该平台凭借高频运行效率、超低栅极电荷及低导通电阻等卓越特性,为新一代高速、高效功率器件应用提供了优异的解决方案
新微半导体 2025-03-11 -
全球首台,独立研发!新一代C2W&W2W混合键合设备即将震撼发布!
由青禾晶元集团独立研发的全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备——SAB 82CWW系列即将重磅登场!这是一场颠覆传统的技术革命,一次“延续摩尔&rd
青禾晶元集团 2025-03-06 -
GaAs芯片的表面工艺异常问题
一、砷化镓表面存在氧化层GaAs属于闪锌矿结构,具有立方晶系Fm3m空间群,晶胞参数为5.646 。Ga原子位于晶胞的顶点,As原子位于晶胞的面心和体内,形成四面体结构。GaAs表面在空气中容易发生氧化反应,生成氧化物如Ga2O3、As2O3和As2O5
GaAs芯片 2025-02-27 -
歌尔光学亮相SPIE 光波导刻蚀工艺新品首秀
近日,国际知名XR盛会SPIE AR|VR|MR在美国旧金山落下帷幕。SPIE AR|VR|MR是由SPIE(国际光学工程学会)举办的知名XR行业盛会,现已连续举办十届,活动聚焦于VR/AR硬件上游,
歌尔光学 2025-02-06 -
半导体工艺进步如何从量变到质变?
芝能智芯出品 2024 年的国际电子设备会议(IEDM)再次展示了半导体行业的技术进步,尤其是 2nm CMOS 工艺、3D 堆叠技术及其在 AI 和高性能计算中的应用,预示着未来几年的重要趋势。 这些技术突破不仅推动了摩尔定律的延续,也促使封装、互连、晶体管和功率传输等领域发生了深刻的变革
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台积电A16工艺将于2026年量产
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 台积电表示,先进工艺的开发正按路线图推进,未来几年基本保持不变。 近日,台积电在其欧洲开放创新平台论坛上宣布,计划在2025年末开始大规模量产N2工艺,A16(1.6nm级)工艺则预计在2026年末投产
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安森美推出业界领先的模拟和混合信号平台
新闻概要 Treo 平台基于 65 纳米节点的 BCD 工艺技术,支持同行业领先的 1- 90V 宽电压范围和高达 175°C 的工作温度 Treo 平台将
安森美 2024-11-12 -
Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务
2024年11月5日,法国格勒诺布尔——专注于欧洲成长性深度科技的Jolt Capital今日宣布,已通过新成立的
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采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH401F
工采网代理的霍尔芯片 - AH401F是一款采用高压bipolar工艺制程的国产双极霍尔开关芯片;性能卓越具备耐高压、抗噪能力强等特点;能够承受高电压冲击,适用于各种恶劣环境。同时,极强的抗干扰能力,能够有效地抵御外部干扰,确保信号的准确性和可靠性
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具有精度高、测温快、功耗低等优点的数字模拟混合信号温度传感芯片-M117B
数字温度传感芯片 - M117B是工采网代理的国产品牌MYSENTECH推出的数字模拟混合信号温度传感芯片,高测温精度为0°C 到+50°C 范围±0.5℃,用户无需进行校准
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苹果用2代芯片证明,3nm噱头居多,芯片工艺达极限了
苹果的iPhone16发布了,这次苹果带来了两颗3nm的芯片,分别是A18、A18 Pro,这是全球首颗 第二代3nm工艺的芯片。 而去年苹果发布的A17 Pro,则是全球首颗第一代3nm的芯片,后来联发科、高通都没有使用3nm工艺,可以说目前全球所有的3nm手机芯片,全部是苹果的
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硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时,将输出功率提高了15%
中国上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美(纳斯达克股票代号:ON )推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模块 (PIM),非常适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统 (ESS)的功率
安森美 2024-08-30 -
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摘要:使用SEMulator3D?可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺,实现电阻的大幅降低
作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定,并随尺寸缩小而显著提升
泛林集团 2024-08-15 -
测温精度±0.5℃的数字模拟混合信号温度传感芯片-M117
工采电子代理的国产数字高精度温度传感芯片 - M117,测温精度达医疗级±0.1℃@-20℃ ~+30℃,可广泛适用于冷链物流、仓储等对低温监控要求严格的应用场景。 M117较高测温精度±0.1℃,用户无需进行校准
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测温精度为0℃到+50℃范围±0.5℃的高精度数字模拟混合信号温度传感芯片-MTS01B
数字温度传感芯片 - MTS01B是工采网代理的国产品牌MYSENTECH推出的高精度数字模拟混合信号温度传感芯片,高测温精度为0℃到+50℃范围±0.5℃,用户无需进行校准
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用混合信号示波器识别建立和保持时间违规
信号之间的时间关系对数字设计的可靠运行至关重要。对于同步设计,时钟信号相对于数据信号的时间尤为重要。使用混合信号示波器,可以轻松确定多个逻辑输入和时钟信号之间的时间关系。建立和保持时间触发器自动确定时钟与数据时间关系
泰克 2024-07-16 -
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可量产0.2nm工艺!ASML公布超级EUV光刻机:但死胡同也不远了
ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。 ASML
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国产低功耗高精度-数字模拟混合信号温度传感芯片MTS01
由工采网代理的敏源MTS01是一款高精度数字模拟混合信号温度传感芯片。MTS01 为体温芯片,较高测温精度为+28°C 到+43°C 范围±0.1℃;MTS01Z 较高测
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可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺,符合MIL-STD-981 S级标准
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年5月13日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology
Vishay 2024-05-13 -
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通过工艺建模进行后段制程金属方案分析
作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门半导体工艺与整合部高级经理 Daebin Yim 由于阻挡层相对尺寸及电阻率增加问题,半导体行业正在寻找替代铜的金属线材料
泛林集团 2024-04-08 -
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谷歌Tensor G4采用三星FOWLP封装,与三星 Exynos 2400相同工艺
(本篇文篇章共825字,阅读时间约1分钟) 谷歌即将推出的 Tensor G4 芯片备受关注,最新消息显示,该芯片将采用三星的 FOWLP 封装工艺,与三星 Exynos 2400 具有相同的技术特点
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AMD未来APU露真容:3nm工艺与Zen6架构携手打造 Sound Wave
(本篇文篇章共636字,阅读时间约1分钟) AMD在不懈推进新产品的同时,近日首次公布了未来APU的代号——"Sound Wave"(声波)
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AMD“前女友”六年前放弃7nm工艺:终于自食恶果
2018年,GlobalFoundries因为技术、金钱都不到位,无奈放弃了7nm工艺的研发,曾经一家人的AMD全面转投台积电,自己则靠着成熟工艺享受着大量订单,甚至与美国军方都有合作,日子还算滋润。 但是,自己不进步,早晚会被社会抛弃
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