纳米压印

文：诗与星空ID：SingingUnderStars     3月，在2024年美国加州圣荷西的GTC大会上，GPU巨头英伟达宣布推出号称目前最强大的AI芯片GB200，并计划于2024年晚期开始正式出货

（本篇文篇章共655字，阅读时间约1分钟） 台积电计划于2025年量产2纳米制程的芯片，而苹果已经积极开展基于这一先进技术的芯片研发。 苹果目前使用的Mac和iPhone芯片采用台积电的3纳米制程，被认为是迄今为止最强大的芯片之一

（本篇文篇章共735字，阅读时间约1分钟） 近期，英特尔在美国圣何塞举行的Intel Foundry Direct Connect大会上宣布了一系列重要战略，将推动半导体领域的创新和发展

这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快

（本篇文篇章共715字，阅读时间约1分钟） 近日荷兰光刻机巨头ASML首次向媒体展示了最新一代的High NA EUV光刻机，这一机器被视为全球最先进的光刻技术，能够制造2纳米以下的芯片

众所周知，为了绕开EUV光刻机技术，全球的厂商们都在暗中发力，毕竟全球仅ASML一家能够生产EUV光刻机，全球所有的芯片厂都被他卡住了脖子，这样的市场对谁都是不利的。 比如俄罗斯计划用x射线来绕开EUV光刻机技术，佳能计划用纳米压印技术，欧洲既换用dsa自生长技术

据悉联发科和高通今年的高端芯片都将采用台积电的3纳米工艺，这意味着手机芯片行业全面进入3纳米时代，对于苹果来说，唯一的独占优势也将失去，如果苹果不加快创新可能最后的优势也失去了。 一直以来，苹果的A系处理器都遥遥领先，凭借的就是先进的工艺和自主核心架构研发

近期ASML计划向美国芯片企业Intel交付2纳米光刻机，凸显出美国为了增强自己芯片产业的竞争力已是竭尽全力，再加上近期尊湃通信的泄密案，这不免让人怀疑美国为了确保继续掌控芯片话语权无所不用其极！

（本篇文篇章共742字，阅读时间约1分钟） 随着全球芯片竞赛进入新的阶段，材料和化学品成为半导体制造的决定性因素。在最新的报道中，产业供应链高阶主管指出，台积电和英特尔等业者在推动制程技术达到极限的同时，新材料和更先进的化学品正发挥着越来越重要的作用

之前华为Mate60系列，带来了一款全新自研的芯片麒麟9000S，让全球都沸腾了，因为这是华为麒麟三年后的新突破。 大家预测在麒麟9000S之后，一定会有更多的麒麟芯片回归，覆盖高、中档市场，毕竟华为不可能只发布旗舰手机，还会有中档手机

长安储能研究院是由长安绿电科技有限公司全额拨款、并与西安交大国家储能研究平台的多位教授科学家共建的新能源储能科研平台，聚焦储能领域的前沿技术研究和市场洞察，推动产学研用从理论走向实至。近日，谷建民教授

据媒体报道指，在美国第69届IEEE国际会议上，国产芯片企业发布了一项GAA（环绕栅极）技术，该项技术为3纳米的关键技术，显示出国产芯片并未因为芯片设备的限制而停止研发先进工艺。 GAA技术对于

尼康宣布，将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”，生产效率、套刻精度都会有进一步提升。 据悉，尼康这款曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不超过2.1纳米

快科技11月9日消息，据外媒报道称，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，但不会卖给中国厂商。 由于该设备可以用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光学技术，引起了中国厂商的兴趣，但可能无法实现

ASML曾表示全球5纳米以下的工艺必需它的EUV光刻机，谁也无法替代它的地位，然而如今却有厂商表示可以绕开EUV光刻机生产先进工艺，吓坏了ASML。 在光刻机行业，除了ASML之

日前台积电董事长刘德音表示将在明年初量产下一代3纳米工艺，此举或许在于第一代3纳米工艺表现太差强人意，试图通过推出改良的3纳米工艺挽回客户的信心。台积电在去年底突然宣布量产3纳米工艺，还非常罕有地为3

日前媒体爆料指台积电在芯片技术方面早已布局硅光芯片，而它研发这项技术已有数年之久，它的硅光芯片工艺已达到7纳米，预计明年就能投入量产，这是在中国芯片研发硅光芯片之后，又一个重大消息 台积电研发硅

佳能在10月13日宣布，正式推出纳米压印半导体制造设备。对于2004年就开始探索纳米压印技术的佳能来说，新设备的推出无疑是向前迈出了一大步。佳能推出的这个设备型号是FPA-1200NZ2C，目前可以实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5纳米节点

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移。 佳能据介绍，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点

日前消息指欧洲也将大举投资百亿欧元建设28纳米工艺芯片工厂，这反映中国此前大举布局28纳米工艺是正确的选择，为何在如今已量产3纳米工艺的情况下，全球却忽然对成熟工艺热情起来了？

（本篇文章共602字，阅读时间约1分半钟） 近日，台积电（中国）有限公司总经理罗镇球现身一行业活动并发表演讲。他透露，经过三十六年的发展，台积电已形成了强大的产业生态，服务全球超过500家公司，提供超过300种工艺，为全球IC设计公司生产制程从1微米到3纳米的12000种产品

众所周知，目前的芯片制造技术，均是以光刻技术为基础的。 所有的晶圆厂制造芯片时，均是先将电路图，刻在光掩膜板上，然后再利用光刻机的光线去照射，最后把这些电路图投影涂了光刻胶的硅晶圆上，形成电路图。 光刻机是其中必不可少设备，且是单价最贵的设备，同时光刻工序耗时最长

这几年国产芯片屡屡说先进工艺研发难度不大，14纳米已量产，7纳米也不在话下，不过随着中芯官网暂时下架14纳米，这或许让国产芯片行业告别自嗨，明白我们的现实，先深耕28纳米等成熟工艺，满足当下的要求。

众所周知，在芯片的制造过程中，光刻机是价值最高的半导体设备，同时光刻工艺是耗时最多，工序最复杂的工艺。 所以在全球半导体设备市场规模中，光刻机也是市场最大的设备之一，约占所有半导体设备的20%左右，是唯二超过20%比例的设备

中国最大的芯片代工企业中芯国际在官网下线14纳米引发的争议仍然在持续，对此笔者认为中芯国际此举应该是当下的恰当的选择，暂避锋芒，等待合适时机再发展14纳米乃至更先进工艺。 中芯国际当前主推的是2

日前中国超级计算机研究中心（NSCC）表示已实现了中国首个4纳米芯片的封装，并已将芯片应用于计算机集群中，这意味着中国在芯片封装技术方面再进一步，将为中国解决芯片性能开辟一条新道路。 先进封装技术得到重视，在于当下先进工艺的发展已逐渐达到瓶颈

日前美国媒体报道指台积电位于美国亚利桑那州的4纳米工厂发生火灾，不过火灾造成的损失不大，消防及时到场扑灭了火灾，恰在台积电计划放弃美芯补贴并将重心放回亚洲市场之际，这就不免让人联想。

中国大陆最大的芯片代工厂中芯国际官网删除了14纳米工艺的介绍，这让人颇为疑惑，笔者认为这是中芯国际在当前环境选择低调潜行，巩固成熟工艺的地位，等待合适时间再发展先进工艺，而不是舍弃14纳米。 这

美国一直都在试图遏制中国芯片的发展，近期美国总统拜登拉拢了日本和荷兰限制先进芯片设备供应，以为如此做就能阻挡中国芯片的发展，然而中国芯片却在近期公布了好几项技术进展，让美国的图谋落空。

某国产手机芯片企业表示它已搞定14纳米以上的EDA工具全国产化，纯国产芯片变成现实，如此也就说明国产的28纳米光刻机已投入生产线，28纳米光刻机对于国产7纳米具有独特的意义，实现7纳米的国产化有了希望

中国已成功量产12纳米工艺，这对于中国芯片来说将是巨大的进步，可以进一步满足国内芯片的需求，对于当下面临美国限制芯片供应难题的中国来说无疑是巨大的进步。 一、12纳米进一步提升国产芯片自

在去年之前，全球芯片行业的热点是三星和台积电谁能更早量产更先进的工艺，然而到了去年Q4以来7纳米工艺开始出现过剩，5纳米也出现需求不足，到如今连14纳米都开始过剩了。早前消息指三星率先降低14纳米工艺

国产28纳米光刻机一直备受关注，因为这代表着浸润式先进光刻机能否量产的问题，近日有国产手机即将发布的新款手机了14纳米芯片，或许就代表着浸润式光刻机真正量产并已投入使用。 一、国产14纳米芯片的

由于众所周知的原因，中国难以获得先进的光刻机，这导致中国在先进工艺方面一直困难重重，不过中国芯片行业并未因此而停止前进的脚步，而是持续点突破，近日就有消息指出中国在一个芯片环节突破了3纳米。 据

近日，全球最牛的光刻机厂商ASML通过官网发布了关于光刻机管制的一些细节。 其中ASML明确指出，TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸没式光刻系统，已经不能出口到中国了，而TWINSCAN NXT：2000i之前的光刻机不受影响